VET Energyの12インチSOIウェーハは、優れた電気特性と独自の構造により、高い評価を得ている高性能半導体基板材料です。VET Energyは、高度なSOIウェーハ製造プロセスを採用することで、極めて低いリーク電流、高速性、耐放射線性を実現し、高性能集積回路の強固な基盤を提供します。
VET Energyの製品ラインはSOIウェーハにとどまりません。Siウェーハ、SiC基板、SiN基板、エピウェーハなど、幅広い半導体基板材料に加え、酸化ガリウム(Ga2O3)やAlNウェーハといった新しいワイドバンドギャップ半導体材料も提供しています。これらの製品は、パワーエレクトロニクス、RF、センサーなどの分野におけるさまざまなお客様のアプリケーションニーズにお応えします。
卓越性に重点を置く当社のSOIウェーハは、酸化ガリウム(Ga2O3)、カセット、AlNウェーハなどの先進材料も使用し、あらゆる運用レベルにおける信頼性と効率性を確保しています。VET Energyは、技術革新への道を切り開く最先端のソリューションを提供します。
VET Energyの12インチSOIウェーハの優れた性能で、プロジェクトの潜在能力を最大限に引き出しましょう。品質、精度、そして革新性を体現するウェーハは、半導体技術というダイナミックな分野における成功の基盤を築き、イノベーション力を高めます。期待を超えるプレミアムSOIウェーハソリューションをお探しなら、VET Energyをお選びください。
ウェーハ仕様
*n-Pm=n型Pmグレード、n-Ps=n型Psグレード、Sl=半絶縁
| アイテム | 8インチ | 6インチ | 4インチ | ||
| nP | n-午後 | n-Ps | SI | SI | |
| TTV(GBIR) | ≤6um | ≤6um | |||
| ボウ(GF3YFCD)-絶対値 | ≤15μm | ≤15μm | ≤25μm | ≤15μm | |
| ワープ(GF3YFER) | ≤25μm | ≤25μm | ≤40μm | ≤25μm | |
| LTV(SBIR)-10mmx10mm | 2μm未満 | ||||
| ウェーハエッジ | 面取り | ||||
表面仕上げ
*n-Pm=n型Pmグレード、n-Ps=n型Psグレード、Sl=半絶縁
| アイテム | 8インチ | 6インチ | 4インチ | ||
| nP | n-午後 | n-Ps | SI | SI | |
| 表面仕上げ | 両面光学研磨、Si面CMP | ||||
| 表面粗さ | (10um x 10um) Si面Ra≤0.2nm | (5umx5um) Si面Ra≤0.2nm | |||
| エッジチップ | なし 許可なし(長さと幅≥0.5mm) | ||||
| インデント | 許可なし | ||||
| 傷(Si面) | 数量≤5、累計 | 数量≤5、累計 | 数量≤5、累計 | ||
| ひび割れ | 許可なし | ||||
| エッジ除外 | 3mm | ||||







