12 inch SOI-wafer

Korte beschrijving:

Ervaar innovatie als nooit tevoren met de state-of-the-art 12-inch SOI-wafer, een technologisch wonder van VET Energy. Deze met precisie en expertise vervaardigde Silicon-On-Insulator-wafer herdefinieert de industrienormen en biedt ongeëvenaarde kwaliteit en prestaties.


Productdetails

Productlabels

De 12-inch SOI-wafer van VET Energy is een hoogwaardig halfgeleidersubstraatmateriaal dat zeer geliefd is vanwege de uitstekende elektrische eigenschappen en unieke structuur. VET Energy gebruikt geavanceerde SOI-waferproductieprocessen om te garanderen dat de wafer een extreem lage lekstroom, hoge snelheid en stralingsbestendigheid heeft, wat een solide basis vormt voor uw hoogwaardige geïntegreerde schakelingen.

De productlijn van VET Energy beperkt zich niet tot SOI-wafers. We leveren ook een breed scala aan halfgeleidersubstraten, waaronder Si-wafers, SiC-substraten, SiN-substraten en Epi-wafers, evenals nieuwe halfgeleidermaterialen met een brede bandgap, zoals galliumoxide, Ga2O3 en AlN-wafers. Deze producten kunnen voldoen aan de toepassingsbehoeften van verschillende klanten in vermogenselektronica, RF, sensoren en andere sectoren.

Onze SOI-wafers zijn gericht op uitmuntendheid en maken gebruik van geavanceerde materialen zoals galliumoxide (Ga2O3), cassettes en AlN-wafers om betrouwbaarheid en efficiëntie op elk operationeel niveau te garanderen. Vertrouw op VET Energy voor geavanceerde oplossingen die de weg vrijmaken voor technologische vooruitgang.

Benut het potentieel van uw project met de superieure prestaties van VET Energy 12-inch SOI-wafers. Vergroot uw innovatievermogen met wafers die kwaliteit, precisie en innovatie belichamen en de basis leggen voor succes in de dynamische wereld van de halfgeleidertechnologie. Kies VET Energy voor hoogwaardige SOI-waferoplossingen die de verwachtingen overtreffen.

第6页-36
第6页-35

WAFERINGSPECIFICATIES

*n-Pm = n-type Pm-klasse, n-Ps = n-type Ps-klasse, Sl = half-isolerend

Item

8 inch

6 inch

4-inch

nP

n-Pm

n-Ps

SI

SI

TTV(GBIR)

≤6um

≤6um

Bow (GF3YFCD) - Absolute waarde

≤15μm

≤15μm

≤25μm

≤15μm

Warp(GF3YFER)

≤25μm

≤25μm

≤40μm

≤25μm

LTV(SBIR)-10mmx10mm

<2μm

Waferrand

Afschuinen

OPPERVLAKTEAFWERKING

*n-Pm = n-type Pm-klasse, n-Ps = n-type Ps-klasse, Sl = half-isolerend

Item

8 inch

6 inch

4-inch

nP

n-Pm

n-Ps

SI

SI

Oppervlakteafwerking

Dubbelzijdige optische polijst, Si-Face CMP

Oppervlakteruwheid

(10um x 10um) Si-FaceRa≤0,2nm
C-vlak Ra≤ 0,5 nm

(5umx5um) Si-oppervlak Ra≤0,2 nm
C-vlak Ra≤0,5 nm

Randchips

Niet toegestaan ​​(lengte en breedte ≥ 0,5 mm)

Inspringingen

Niet toegestaan

Krassen (Si-Face)

Aantal ≤ 5, cumulatief
Lengte ≤ 0,5 × waferdiameter

Aantal ≤ 5, cumulatief
Lengte ≤ 0,5 × waferdiameter

Aantal ≤ 5, cumulatief
Lengte ≤ 0,5 × waferdiameter

Scheuren

Niet toegestaan

Randuitsluiting

3 mm

tech_1_2_formaat
下载 (2)

  • Vorig:
  • Volgende:

  • WhatsApp Online Chat!