12 collu SOI vafele

Īss apraksts:

Izbaudiet inovācijas kā vēl nekad ar modernāko 12 collu SOI vafeli — tehnoloģisko brīnumu, ko lepni piedāvā VET Energy. Šī Silicon-On-Insulator vafele, kas izgatavota ar precizitāti un kompetenci, no jauna definē nozares standartus, piedāvājot nepārspējamu kvalitāti un veiktspēju.

Sūtiet mums e-pastu Lejupielādēt kā PDF

Produkta informācija

Produkta tagi

VET Energy 12 collu SOI plāksne ir augstas veiktspējas pusvadītāju substrāta materiāls, kas ir ļoti iecienīts tā izcilo elektrisko īpašību un unikālās struktūras dēļ. VET Energy izmanto uzlabotus SOI plākšņu ražošanas procesus, lai nodrošinātu, ka plāksnei ir ārkārtīgi zema noplūdes strāva, liels ātrums un izturība pret starojumu, nodrošinot stabilu pamatu jūsu augstas veiktspējas integrētajām shēmām.

VET Energy produktu līnija neaprobežojas tikai ar SOI plāksnēm. Mēs piedāvājam arī plašu pusvadītāju substrātu materiālu klāstu, tostarp Si plāksni, SiC substrātu, SiN substrātu, Epi plāksni utt., kā arī jaunus platjoslas pusvadītāju materiālus, piemēram, gallija oksīdu Ga2O3 un AlN plāksni. Šie produkti var apmierināt dažādu klientu lietojumprogrammu vajadzības jaudas elektronikā, radiofrekvenču (RF), sensoru un citās jomās.

Koncentrējoties uz izcilību, mūsu SOI plāksnēs tiek izmantoti arī tādi progresīvi materiāli kā gallija oksīds Ga2O3, kasetes un AlN plāksnītes, lai nodrošinātu uzticamību un efektivitāti visos darbības līmeņos. Uzticieties VET Energy, lai nodrošinātu modernus risinājumus, kas paver ceļu tehnoloģiskajai attīstībai.

Atbrīvojiet sava projekta potenciālu ar VET Energy 12 collu SOI plākšņu izcilo veiktspēju. Palieliniet savas inovāciju spējas ar plāksnēm, kas iemieso kvalitāti, precizitāti un inovācijas, liekot pamatu panākumiem dinamiskajā pusvadītāju tehnoloģiju jomā. Izvēlieties VET Energy, lai iegūtu augstākās kvalitātes SOI plākšņu risinājumus, kas pārsniedz cerības.

VAFEĻU SPECIFIKĀCIJAS

*n-Pm=n tipa Pm pakāpe, n-Ps=n tipa Ps pakāpe, Sl=daļēji izolējošs

Prece	8 collu	6 collu			4 collu
Prece	nP	n-Pm	n-Ps	SI	SI
TTV (GBIR)	≤6 µm	≤6 µm
Loks (GF3YFCD) - absolūtā vērtība	≤15 μm	≤15 μm	≤25 μm		≤15 μm
Šķērs (GF3YFER)	≤25 μm	≤25 μm	≤40 μm		≤25 μm
LTV (SBIR) — 10 mm x 10 mm	<2 μm
Vafeles mala	Slīpējums

VIRSMAS APDARE

*n-Pm=n tipa Pm pakāpe, n-Ps=n tipa Ps pakāpe, Sl=daļēji izolējošs

Prece	8 collu	6 collu			4 collu
	nP	n-Pm	n-Ps	SI	SI
Virsmas apdare	Divpusēja optiskā pulēšana, Si-Face CMP
Virsmas raupjums	(10 µm x 10 µm) Si-FaceRa≤0,2 nm C-veida virsma Ra≤ 0,5 nm			(5 µm x 5 µm) Si-Face Ra≤0,2 nm C-veida virsma Ra≤0,5 nm
Malu čipsi	Nav atļauts (garums un platums ≥0,5 mm)
Atkāpes	Nav atļauts
Skrāpējumi (Si-Face)	Daudzums ≤5, kumulatīvais Garums ≤0,5 × vafeles diametrs	Daudzums ≤5, kumulatīvais Garums ≤0,5 × vafeles diametrs			Daudzums ≤5, kumulatīvais Garums ≤0,5 × vafeles diametrs
Plaisas	Nav atļauts
Malu izslēgšana	3 mm