Il wafer SOI da 12 pollici di VET Energy è un materiale di substrato semiconduttore ad alte prestazioni, molto apprezzato per le sue eccellenti proprietà elettriche e la sua struttura unica. VET Energy utilizza processi di produzione avanzati per i wafer SOI per garantire che il wafer presenti una corrente di dispersione estremamente bassa, un'elevata velocità e una resistenza alle radiazioni elevata, fornendo una solida base per i vostri circuiti integrati ad alte prestazioni.
La linea di prodotti di VET Energy non si limita ai wafer SOI. Offriamo anche un'ampia gamma di materiali per substrati semiconduttori, tra cui wafer di Si, substrati di SiC, substrati di SiN, wafer di Epi, ecc., nonché nuovi materiali semiconduttori ad ampio bandgap come l'ossido di gallio Ga₂O₂ e wafer di AlN. Questi prodotti possono soddisfare le esigenze applicative di diversi clienti nei settori dell'elettronica di potenza, della radiofrequenza, della sensoristica e di altri settori.
Concentrandosi sull'eccellenza, i nostri wafer SOI utilizzano anche materiali avanzati come l'ossido di gallio Ga2O3, cassette e wafer AlN per garantire affidabilità ed efficienza a ogni livello operativo. Affidatevi a VET Energy per soluzioni all'avanguardia che aprono la strada al progresso tecnologico.
Sfrutta il potenziale del tuo progetto con le prestazioni superiori dei wafer SOI da 12 pollici di VET Energy. Potenzia le tue capacità di innovazione con wafer che incarnano qualità, precisione e innovazione, gettando le basi per il successo nel dinamico settore della tecnologia dei semiconduttori. Scegli VET Energy per soluzioni wafer SOI premium che superano le aspettative.
SPECIFICHE DI WAFERING
*n-Pm=tipo n Pm-Grade,n-Ps=tipo n Ps-Grade,Sl=Semi-isolante
| Articolo | 8 pollici | 6 pollici | 4 pollici | ||
| nP | n-Pm | n-Ps | SI | SI | |
| TTV (GBIR) | ≤6um | ≤6um | |||
| Arco (GF3YFCD) - Valore assoluto | ≤15μm | ≤15μm | ≤25μm | ≤15μm | |
| Deformazione (GF3YFER) | ≤25μm | ≤25μm | ≤40μm | ≤25μm | |
| LTV(SBIR)-10mmx10mm | <2μm | ||||
| Bordo del wafer | smussatura | ||||
FINITURA SUPERFICIALE
*n-Pm=tipo n Pm-Grade,n-Ps=tipo n Ps-Grade,Sl=Semi-isolante
| Articolo | 8 pollici | 6 pollici | 4 pollici | ||
| nP | n-Pm | n-Ps | SI | SI | |
| Finitura superficiale | Lucidatura ottica bifacciale, Si-Face CMP | ||||
| Rugosità superficiale | (10 µm x 10 µm) Si-FaceRa≤0,2 nm | (5umx5um) Si-Face Ra≤0,2nm | |||
| Chip di bordo | Nessuno consentito (lunghezza e larghezza ≥0,5 mm) | ||||
| Rientri | Nessuno consentito | ||||
| Graffi (Si-Face) | Quantità ≤5, Cumulativo | Quantità ≤5, Cumulativo | Quantità ≤5, Cumulativo | ||
| crepe | Nessuno consentito | ||||
| Esclusione del bordo | 3 millimetri | ||||
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