A oblea SOI de 12 polgadas de VET Energy é un substrato semicondutor de alto rendemento, moi apreciado polas súas excelentes propiedades eléctricas e a súa estrutura única. VET Energy emprega procesos avanzados de fabricación de obleas SOI para garantir que a oblea teña unha corrente de fuga extremadamente baixa, alta velocidade e resistencia á radiación, o que proporciona unha base sólida para os seus circuítos integrados de alto rendemento.
A liña de produtos de VET Energy non se limita ás obleas SOI. Tamén ofrecemos unha ampla gama de materiais de substrato semicondutores, incluíndo obleas de Si, substratos de SiC, substratos de SiN, obleas Epi, etc., así como novos materiais semicondutores de banda ancha como o óxido de galio Ga2O3 e a oblea de AlN. Estes produtos poden satisfacer as necesidades de aplicación de diferentes clientes en electrónica de potencia, RF, sensores e outros campos.
Centrándonos na excelencia, as nosas obleas SOI tamén empregan materiais avanzados como óxido de galio Ga2O3, casetes e obleas de AlN para garantir a fiabilidade e a eficiencia en todos os niveis operativos. Confíe en VET Energy para obter solucións de vangarda que allanen o camiño para o avance tecnolóxico.
Libera o potencial do teu proxecto co rendemento superior das obleas SOI de 12 polgadas de VET Energy. Impulsa as túas capacidades de innovación con obleas que representan calidade, precisión e innovación, sentando as bases para o éxito no dinámico campo da tecnoloxía de semicondutores. Escolle VET Energy para obter solucións de obleas SOI de primeira calidade que superen as expectativas.
ESPECIFICACIÓNS DE WAFERING
*n-Pm=tipo n grao Pm,n-Ps=tipo n grao Ps,Sl=semi-illlante
| Elemento | 8 polgadas | 6 polgadas | 4 polgadas | ||
| nP | n-Pm | n-Ps | SI | SI | |
| TTV (GBIR) | ≤6 µm | ≤6 µm | |||
| Arco (GF3YFCD) - Valor absoluto | ≤15 μm | ≤15 μm | ≤25 μm | ≤15 μm | |
| Deformación (GF3YFER) | ≤25 μm | ≤25 μm | ≤40 μm | ≤25 μm | |
| LTV(SBIR)-10 mm x 10 mm | <2 μm | ||||
| Bordo da oblea | Biselado | ||||
ACABADO DA SUPERFICIE
*n-Pm=tipo n grao Pm,n-Ps=tipo n grao Ps,Sl=semi-illlante
| Elemento | 8 polgadas | 6 polgadas | 4 polgadas | ||
| nP | n-Pm | n-Ps | SI | SI | |
| Acabado superficial | Pulido óptico de dobre cara, CMP Si-Face | ||||
| Rugosidade da superficie | (10 µm x 10 µm) Si-FaceRa≤0,2 nm | (5um x 5um) Ra ≤ 0,2 nm da cara de silicio | |||
| Chips de bordo | Ningún permitido (lonxitude e anchura ≥0,5 mm) | ||||
| Sangrías | Ningún permitido | ||||
| Rasguños (Si-Face) | Cantidade ≤5, acumulativa | Cantidade ≤5, acumulativa | Cantidade ≤5, acumulativa | ||
| Gretas | Ningún permitido | ||||
| Exclusión de bordos | 3 mm | ||||
-
Os sistemas de apilamento de pilas de combustible de hidróxeno poden ser personalizados...
-
Pilas de combustible de hidróxeno vendidas por Pem Stack Drone Fue...
-
Xerador de pila de combustible de hidróxeno de 220 W, 24 V, Pemfc Sta...
-
Pila de combustible de hidróxeno Pila de combustible de drón de hidróxeno
-
Molde de silicona para fundición de ouro e prata, molde de silicona...
-
Pila de combustible de 1 kW para drons e bicicletas eléctricas

