VET Energy 12인치 SOI 웨이퍼는 뛰어난 전기적 특성과 독특한 구조로 인해 높은 선호도를 보이는 고성능 반도체 기판 소재입니다. VET Energy는 최첨단 SOI 웨이퍼 제조 공정을 통해 매우 낮은 누설 전류, 빠른 속도, 그리고 내방사선성을 보장하여 고성능 집적 회로를 위한 견고한 기반을 제공합니다.
VET Energy의 제품 라인은 SOI 웨이퍼에만 국한되지 않습니다. Si 웨이퍼, SiC 기판, SiN 기판, Epi 웨이퍼 등 광범위한 반도체 기판 소재는 물론, 산화갈륨(Ga₂O₃) 및 AlN 웨이퍼와 같은 새로운 와이드 밴드갭 반도체 소재도 제공합니다. 이러한 제품들은 전력 전자, RF, 센서 등 다양한 분야의 고객 요구를 충족할 수 있습니다.
최고를 지향하는 당사의 SOI 웨이퍼는 산화갈륨(Ga2O3), 카세트, AlN 웨이퍼와 같은 첨단 소재를 사용하여 모든 운영 단계에서 신뢰성과 효율성을 보장합니다. VET Energy는 기술 발전의 토대를 마련하는 최첨단 솔루션을 제공합니다.
VET Energy 12인치 SOI 웨이퍼의 탁월한 성능으로 프로젝트의 잠재력을 극대화하세요. 품질, 정밀성, 그리고 혁신을 구현하는 웨이퍼로 혁신 역량을 강화하고 역동적인 반도체 기술 분야에서 성공의 기반을 마련하세요. 기대를 뛰어넘는 프리미엄 SOI 웨이퍼 솔루션을 원하신다면 VET Energy를 선택하세요.
웨이퍼링 사양
*n-Pm=n형 Pm등급,n-Ps=n형 Ps등급,Sl=반절연
| 목 | 8인치 | 6인치 | 4인치 | ||
| 엔피 | n-오후 | n-Ps | SI | SI | |
| TTV(GBIR) | ≤6um | ≤6um | |||
| Bow(GF3YFCD)-절대값 | ≤15μm | ≤15μm | ≤25μm | ≤15μm | |
| 워프(GF3YFER) | ≤25μm | ≤25μm | ≤40μm | ≤25μm | |
| LTV(SBIR)-10mmx10mm | <2μm | ||||
| 웨이퍼 엣지 | 베벨링 | ||||
표면 마감
*n-Pm=n형 Pm등급,n-Ps=n형 Ps등급,Sl=반절연
| 목 | 8인치 | 6인치 | 4인치 | ||
| 엔피 | n-오후 | n-Ps | SI | SI | |
| 표면 마감 | 양면 광학 연마, Si-Face CMP | ||||
| 표면 거칠기 | (10um x 10um) Si-FaceRa≤0.2nm | (5umx5um) Si-Face Ra≤0.2nm | |||
| 엣지 칩스 | 허용되지 않음(길이 및 너비≥0.5mm) | ||||
| 들여쓰기 | 허용되지 않음 | ||||
| 스크래치(Si-Face) | 수량≤5,누적 | 수량≤5,누적 | 수량≤5,누적 | ||
| 균열 | 허용되지 않음 | ||||
| 에지 제외 | 3mm | ||||







