La plaquette SOI 12 pouces de VET Energy est un substrat semi-conducteur hautes performances, très apprécié pour ses excellentes propriétés électriques et sa structure unique. VET Energy utilise des procédés de fabrication avancés pour garantir un courant de fuite extrêmement faible, une vitesse élevée et une résistance aux radiations, offrant ainsi une base solide pour vos circuits intégrés hautes performances.
La gamme de produits de VET Energy ne se limite pas aux plaquettes SOI. Nous proposons également une large gamme de substrats semi-conducteurs, notamment des plaquettes de silicium, des substrats de silicium (SiC), de silicium (SiN), des plaquettes Epi, etc., ainsi que de nouveaux matériaux semi-conducteurs à large bande interdite comme l'oxyde de gallium Ga₂O₃ et les plaquettes d'AlN. Ces produits répondent aux besoins applicatifs de différents clients dans les domaines de l'électronique de puissance, de la radiofréquence (RF), des capteurs et autres.
Axés sur l'excellence, nos plaquettes SOI utilisent également des matériaux avancés tels que l'oxyde de gallium Ga₂O₃, des cassettes et des plaquettes d'AlN pour garantir fiabilité et efficacité à tous les niveaux opérationnels. Faites confiance à VET Energy pour fournir des solutions de pointe ouvrant la voie au progrès technologique.
Libérez le potentiel de votre projet grâce aux performances supérieures des plaquettes SOI 12 pouces de VET Energy. Boostez votre capacité d'innovation avec des plaquettes qui incarnent la qualité, la précision et l'innovation, posant les bases de votre réussite dans le secteur dynamique des semi-conducteurs. Choisissez VET Energy pour des solutions de plaquettes SOI haut de gamme qui dépassent vos attentes.
SPÉCIFICATIONS DE DÉCAPAGE
*n-Pm=type n de qualité Pm,n-Ps=type n de qualité Ps,Sl=semi-isolant
| Article | 8 pouces | 6 pouces | 4 pouces | ||
| nP | n-Pm | n-Ps | SI | SI | |
| TTV (GBIR) | ≤ 6 µm | ≤ 6 µm | |||
| Arc (GF3YFCD) - Valeur absolue | ≤15 μm | ≤15 μm | ≤ 25 μm | ≤15 μm | |
| Déformation (GF3YFER) | ≤ 25 μm | ≤ 25 μm | ≤ 40 μm | ≤ 25 μm | |
| LTV (SBIR)-10 mm x 10 mm | <2 μm | ||||
| Bord de plaquette | Biseautage | ||||
FINITION DE SURFACE
*n-Pm=type n de qualité Pm,n-Ps=type n de qualité Ps,Sl=semi-isolant
| Article | 8 pouces | 6 pouces | 4 pouces | ||
| nP | n-Pm | n-Ps | SI | SI | |
| Finition de surface | Polissage optique double face, Si-Face CMP | ||||
| Rugosité de surface | (10 µm x 10 µm) Si-FaceRa≤0,2 nm | (5 µm x 5 µm) Face Si Ra ≤ 0,2 nm | |||
| Chips de bord | Aucun autorisé (longueur et largeur ≥ 0,5 mm) | ||||
| Retraits | Aucun permis | ||||
| Rayures (Si-Face) | Qté ≤ 5, Cumulatif | Qté ≤ 5, Cumulatif | Qté ≤ 5, Cumulatif | ||
| Fissures | Aucun permis | ||||
| Exclusion des bords | 3 mm | ||||
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