VET Energys 12-tums SOI-wafer är ett högpresterande halvledarsubstratmaterial som är mycket populärt för sina utmärkta elektriska egenskaper och unika struktur. VET Energy använder avancerade tillverkningsprocesser för SOI-wafers för att säkerställa att wafern har extremt låg läckström, hög hastighet och strålningsbeständighet, vilket ger en solid grund för dina högpresterande integrerade kretsar.
VET Energys produktsortiment är inte begränsat till SOI-wafers. Vi erbjuder även ett brett utbud av halvledarsubstratmaterial, inklusive Si-wafer, SiC-substrat, SiN-substrat, Epi-wafer etc., såväl som nya halvledarmaterial med brett bandgap som galliumoxid Ga2O3 och AlN-wafer. Dessa produkter kan möta applikationsbehoven hos olika kunder inom kraftelektronik, RF, sensorer och andra områden.
Med fokus på excellens använder våra SOI-wafers även avancerade material som galliumoxid Ga2O3, kassetter och AlN-wafers för att säkerställa tillförlitlighet och effektivitet på alla operativa nivåer. Lita på VET Energy för att tillhandahålla banbrytande lösningar som banar väg för tekniska framsteg.
Släpp lös potentialen i ditt projekt med den överlägsna prestandan hos VET Energys 12-tums SOI-wafers. Öka din innovationsförmåga med wafers som förkroppsligar kvalitet, precision och innovation och lägger grunden för framgång inom det dynamiska området halvledarteknik. Välj VET Energy för premium SOI-waferlösningar som överträffar förväntningarna.
SPECIFIKATIONER FÖR WAFERANLÄGGNING
*n-Pm=n-typ Pm-kvalitet,n-Ps=n-typ Ps-kvalitet,Sl=Halvisolerande
| Punkt | 8-tums | 6-tums | 4-tums | ||
| nP | n-Pm | n-Ps | SI | SI | |
| TTV (GBIR) | ≤6um | ≤6um | |||
| Båge(GF3YFCD) - Absolut värde | ≤15 μm | ≤15 μm | ≤25 μm | ≤15 μm | |
| Varpning (GF3YFER) | ≤25 μm | ≤25 μm | ≤40 μm | ≤25 μm | |
| LTV (SBIR) - 10 mm x 10 mm | <2 μm | ||||
| Waferkant | Avfasning | ||||
YTBEHANDLING
*n-Pm=n-typ Pm-kvalitet,n-Ps=n-typ Ps-kvalitet,Sl=Halvisolerande
| Punkt | 8-tums | 6-tums | 4-tums | ||
| nP | n-Pm | n-Ps | SI | SI | |
| Ytbehandling | Dubbelsidig optisk polering, Si-Face CMP | ||||
| Ytjämnhet | (10µm x 10µm) Si-FaceRa≤0,2nm | (5umx5um) Si-yta Ra≤0,2nm | |||
| Kantchips | Inget tillåtet (längd och bredd ≥0,5 mm) | ||||
| Indrag | Inget tillåtet | ||||
| Repor (Si-Face) | Antal ≤5, Kumulativt | Antal ≤5, Kumulativt | Antal ≤5, Kumulativt | ||
| Sprickor | Inget tillåtet | ||||
| Kantuslutning | 3 mm | ||||







