Gofr SOI 12 pous

Deskripsyon kout:

Fè eksperyans inovasyon tankou ou pa janm fè sa anvan ak dènye krip SOI 12 pous la, yon mèvèy teknolojik VET Energy fyè dèske li prezante ba ou. Fabrike avèk presizyon ak ekspètiz, krip Silisyòm-sou-Izolan sa a redefini estanda endistri yo, li ofri yon kalite ak yon pèfòmans san parèy.

Voye yon imèl ban nou Telechaje kòm PDF

Detay pwodwi

Etikèt pwodwi yo

Wafer SOI 12 pous VET Energy a se yon materyèl substrat semi-kondiktè pèfòmans segondè, ki trè popilè pou pwopriyete elektrik ekselan li yo ak estrikti inik li yo. VET Energy itilize pwosesis fabrikasyon wafer SOI avanse pou asire ke wafer la gen yon kouran flit ki ba anpil, gwo vitès ak rezistans radyasyon, sa ki bay yon fondasyon solid pou sikui entegre pèfòmans segondè ou yo.

Liy pwodwi VET Energy a pa limite a wafer SOI sèlman. Nou ofri tou yon pakèt materyèl substrat semi-kondiktè, tankou Si Wafer, SiC Substrate, SiN Substrate, Epi Wafer, elatriye, ansanm ak nouvo materyèl semi-kondiktè ak gwo espas bann tankou Galyòm Oksid Ga2O3 ak AlN Wafer. Pwodwi sa yo ka satisfè bezwen aplikasyon diferan kliyan nan elektwonik pouvwa, RF, detèktè ak lòt domèn.

Konsantre sou ekselans, waf SOI nou yo itilize tou materyèl avanse tankou oksid galyòm Ga2O3, kasèt ak waf AlN pou asire fyab ak efikasite nan chak nivo operasyonèl. Fè VET Energy konfyans pou bay solisyon dènye kri ki louvri chemen pou avansman teknolojik.

Lage potansyèl pwojè w la ak pèfòmans siperyè waf SOI 12 pous VET Energy yo. Ranfòse kapasite inovasyon w yo ak waf ki reprezante kalite, presizyon ak inovasyon, pou poze fondasyon siksè nan domèn dinamik teknoloji semi-kondiktè a. Chwazi VET Energy pou solisyon waf SOI prim ki depase atant yo.

ESPESIFIKASYON WAFERING

*n-Pm=tip-n Pm-Grade,n-Ps=tip-n Ps-Grade,Sl=Semi-izolan

Atik	8 pous	6 pous			4 pous
Atik	nP	n-Pm	n-Ps	SI	SI
TTV(GBIR)	≤6um	≤6um
Bow(GF3YFCD)-Valè Absoli	≤15μm	≤15μm	≤25μm		≤15μm
Deformation (GF3YFER)	≤25μm	≤25μm	≤40μm		≤25μm
LTV(SBIR)-10mmx10mm	<2μm
Bò waf la	Bizote

FINI SIFAS

*n-Pm=tip-n Pm-Grade,n-Ps=tip-n Ps-Grade,Sl=Semi-izolan

Atik	8 pous	6 pous			4 pous
	nP	n-Pm	n-Ps	SI	SI
Fini sifas	Doub bò Poli optik, Si-Fas CMP
Sifas Rugosité	(10um x 10um) Si-FasRa≤0.2nm C-Fas Ra≤ 0.5nm			(5umx5um) Si-Fas Ra≤0.2nm C-Fas Ra≤0.5nm
Chips kwen	Pa gen okenn otorize (longè ak lajè ≥0.5mm)
Endantasyon	Okenn pa pèmèt
Reyur (Si-Face)	Kantite ≤5, Kimilatif Longè ≤ 0.5 × dyamèt wafer la	Kantite ≤5, Kimilatif Longè ≤ 0.5 × dyamèt wafer la			Kantite ≤5, Kimilatif Longè ≤ 0.5 × dyamèt wafer la
Fant	Okenn pa pèmèt
Eksklizyon kwen	3mm