Wafer SOI 12 inci

Deskripsi Singkat:

Rasakan inovasi yang belum pernah ada sebelumnya dengan Wafer SOI 12 Inch yang canggih, keajaiban teknologi yang dipersembahkan dengan bangga oleh VET Energy. Dibuat dengan presisi dan keahlian, wafer Silicon-On-Insulator ini mendefinisikan ulang standar industri, menawarkan kualitas dan kinerja yang tak tertandingi.


Detail Produk

Label Produk

Wafer SOI 12 inci VET Energy merupakan material substrat semikonduktor berkinerja tinggi, yang sangat disukai karena sifat listriknya yang sangat baik dan strukturnya yang unik. VET Energy menggunakan proses produksi wafer SOI yang canggih untuk memastikan bahwa wafer tersebut memiliki arus bocor yang sangat rendah, kecepatan tinggi, dan ketahanan terhadap radiasi, sehingga menyediakan fondasi yang kokoh untuk sirkuit terpadu berkinerja tinggi Anda.

Lini produk VET Energy tidak terbatas pada wafer SOI. Kami juga menyediakan berbagai macam bahan substrat semikonduktor, termasuk Wafer Si, Substrat SiC, Substrat SiN, Wafer Epi, dll., serta bahan semikonduktor dengan celah pita lebar baru seperti Gallium Oxide Ga2O3 dan Wafer AlN. Produk-produk ini dapat memenuhi kebutuhan aplikasi berbagai pelanggan dalam bidang elektronika daya, RF, sensor, dan bidang lainnya.

Berfokus pada keunggulan, wafer SOI kami juga menggunakan material canggih seperti galium oksida Ga2O3, kaset, dan wafer AlN untuk memastikan keandalan dan efisiensi di setiap tingkat operasional. Percayakan VET Energy untuk menyediakan solusi canggih yang membuka jalan bagi kemajuan teknologi.

Bebaskan potensi proyek Anda dengan kinerja wafer SOI 12 inci VET Energy yang unggul. Tingkatkan kemampuan inovasi Anda dengan wafer yang mewujudkan kualitas, presisi, dan inovasi, yang menjadi dasar keberhasilan dalam bidang teknologi semikonduktor yang dinamis. Pilih VET Energy untuk solusi wafer SOI premium yang melampaui ekspektasi.

第6页-36
第6页-35

SPESIFIKASI WAFERING

*n-Pm=Tipe-n Kelas Pm,n-Ps=Tipe-n Kelas Ps,Sl=Semi-isolasi

Barang

8 inci

6 inci

4 inci

nP

n-Pm

n-Ps

SI

SI

TTV (Inggris Raya)

Ukuran ≤6um

Ukuran ≤6um

Bow(GF3YFCD)-Nilai Mutlak

≤15 mikron

≤15 mikron

≤25 mikron

≤15 mikron

Melengkung(GF3YFER)

≤25 mikron

≤25 mikron

Ukuran ≤40 mikrometer

≤25 mikron

LTV (SBIR)-10mm x 10mm

<2 mikron

Tepi Wafer

Kemiringan

AKHIR PERMUKAAN

*n-Pm=Tipe-n Kelas Pm,n-Ps=Tipe-n Kelas Ps,Sl=Semi-isolasi

Barang

8 inci

6 inci

4 inci

nP

n-Pm

n-Ps

SI

SI

Permukaan Akhir

Poles Optik Dua Sisi, Si-Face CMP

Kekasaran Permukaan

(10um x 10um) Muka SiRa≤0,2nm
C-Wajah Ra≤ 0,5nm

(5umx5um) Sisi Si Ra≤0,2nm
Muka C Ra≤0,5nm

Keripik Tepi

Tidak Diizinkan (panjang dan lebar ≥ 0,5 mm)

Indentasi

Tidak Diizinkan

Goresan (Si-Face)

Jumlah ≤5, Kumulatif
Panjang ≤ 0,5 × diameter wafer

Jumlah ≤5, Kumulatif
Panjang ≤ 0,5 × diameter wafer

Jumlah ≤5, Kumulatif
Panjang ≤ 0,5 × diameter wafer

Retakan

Tidak Diizinkan

Pengecualian Tepi

ukuran 3mm

teknologi_1_2_ukuran
下载 (2)

  • Sebelumnya:
  • Berikutnya:

  • Obrolan Daring WhatsApp!