Tấm wafer SOI 12 inch

Mô tả ngắn gọn:

Trải nghiệm sự đổi mới chưa từng có với Wafer SOI 12 Inch hiện đại, một kỳ quan công nghệ được VET Energy tự hào mang đến cho bạn. Được chế tạo với độ chính xác và chuyên môn, wafer Silicon-On-Insulator này định nghĩa lại các tiêu chuẩn của ngành, mang đến chất lượng và hiệu suất vô song.


Chi tiết sản phẩm

Thẻ sản phẩm

Tấm wafer SOI 12 inch của VET Energy là vật liệu nền bán dẫn hiệu suất cao, được ưa chuộng vì tính chất điện tuyệt vời và cấu trúc độc đáo. VET Energy sử dụng quy trình sản xuất wafer SOI tiên tiến để đảm bảo wafer có dòng rò cực thấp, tốc độ cao và khả năng chống bức xạ, tạo nền tảng vững chắc cho mạch tích hợp hiệu suất cao của bạn.

Dòng sản phẩm của VET Energy không chỉ giới hạn ở wafer SOI. Chúng tôi còn cung cấp nhiều loại vật liệu nền bán dẫn, bao gồm wafer Si, chất nền SiC, chất nền SiN, wafer Epi, v.v., cũng như các vật liệu bán dẫn có khoảng cách băng thông rộng mới như gallium oxide Ga2O3 và wafer AlN. Các sản phẩm này có thể đáp ứng nhu cầu ứng dụng của nhiều khách hàng khác nhau trong lĩnh vực điện tử công suất, RF, cảm biến và các lĩnh vực khác.

Tập trung vào sự hoàn hảo, các tấm SOI của chúng tôi cũng sử dụng các vật liệu tiên tiến như gali oxit Ga2O3, băng cassette và tấm AlN để đảm bảo độ tin cậy và hiệu quả ở mọi cấp độ hoạt động. Hãy tin tưởng VET Energy để cung cấp các giải pháp tiên tiến mở đường cho sự tiến bộ về công nghệ.

Giải phóng tiềm năng của dự án của bạn với hiệu suất vượt trội của wafer SOI 12 inch VET Energy. Tăng cường khả năng đổi mới của bạn với wafer thể hiện chất lượng, độ chính xác và đổi mới, đặt nền tảng cho thành công trong lĩnh vực công nghệ bán dẫn năng động. Chọn VET Energy để có các giải pháp wafer SOI cao cấp vượt quá mong đợi.

第6页-36
第6-35

THÔNG SỐ KỸ THUẬT WAFERING

*n-Pm=n-loại Pm-Cấp,n-Ps=n-loại Ps-Cấp,Sl=Bán cách điện

Mục

8 inch

6 inch

4 inch

không có

n-Chiều

n-Ps

SI

SI

TTV (GBIR)

≤6um

≤6um

Bow(GF3YFCD)-Giá trị tuyệt đối

≤15μm

≤15μm

≤25μm

≤15μm

Cong vênh (GF3YFER)

≤25μm

≤25μm

≤40μm

≤25μm

LTV (SBIR)-10mmx10mm

<2μm

Cạnh wafer

Vát mép

HOÀN THIỆN BỀ MẶT

*n-Pm=n-loại Pm-Cấp,n-Ps=n-loại Ps-Cấp,Sl=Bán cách điện

Mục

8 inch

6 inch

4 inch

không có

n-Chiều

n-Ps

SI

SI

Hoàn thiện bề mặt

Đánh bóng quang học hai mặt, Si- Face CMP

Độ nhám bề mặt

(10um x 10um) Si-FaceRa≤0.2nm
Mặt C Ra≤ 0,5nm

(5umx5um) Si-Face Ra≤0.2nm
Mặt C Ra≤0.5nm

Chip cạnh

Không được phép (chiều dài và chiều rộng ≥0,5mm)

thụt lề

Không được phép

Trầy xước (Si-Face)

Số lượng ≤5,Tích lũy
Chiều dài≤0,5×đường kính wafer

Số lượng ≤5,Tích lũy
Chiều dài≤0,5×đường kính wafer

Số lượng ≤5,Tích lũy
Chiều dài≤0,5×đường kính wafer

Các vết nứt

Không được phép

Loại trừ cạnh

3mm

công nghệ_1_2_kích thước
下载 (2)

  • Trước:
  • Kế tiếp:

  • Trò chuyện trực tuyến trên WhatsApp!