CVD povlakování

CVD povlaky pro pokročilé zpracování polovodičů

Naše povlaky z karbidu křemíku (SiC), karbidu tantalu (TaC) a pyrolytického uhlíku (PyC) vyrobené metodou chemické depozice z plynné fáze (CVD) poskytují vynikající chemickou inertnost, extrémní tepelnou stabilitu a ultra vysokou čistotu (< 5 ppm). Naše pokročilé povlaky jsou navrženy tak, aby chránily vysoce čisté grafitové a keramické substráty před agresivní plazmou, reaktivními procesními plyny a vysokými tepelnými cykly, minimalizují tvorbu částic a výrazně prodlužují životnost součástek.Křemíková/SiC epitaxe, MOCVD, plazmové leptání a růst monokrystalůaplikace.

Ultravysoká čistota (< 5 ppm)

Nízký obsah kovových nečistot ověřený GDMS pro prevenci kontaminace destiček v kritických procesech.

Vynikající odolnost proti plazmatu a plynu

Hustá krystalická struktura chrání před halogenovou plazmou (CF₄, NF₃, Cl₂) a korozivními plyny.

Optimalizované tepelné přizpůsobení

Přísná kontrola součinitele tepelné roztažnosti (CTE) eliminuje mikrotrhliny a delaminaci povlaku při silných tepelných šokech.

Typ povlaku	Klíčová technická výhoda	Primární procesní aplikace
CVD SiC povlak	Vysoká tepelná vodivost, vynikající odolnost proti plazmové erozi	Suché leptání, Si epitaxe, MOCVD, růst krystalů
CVD TaC povlakování	Extrémní teplotní odolnost (>2000 °C), korozní bariéra H₂/SiH₄	SiC epitaxe, růst monokrystalického SiC metodou PVT
PyC povlak	Hermetické plynotěsné utěsnění, ultra hladký anizotropní uhlíkový povrch	Tepelná izolace, monokrystalický křemík CZ