အဆင့်မြင့် တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်း လုပ်ငန်းစဉ်အတွက် CVD အလွှာများ

အရေးကြီးသော တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်း ထုတ်လုပ်ရေးပတ်ဝန်းကျင်များအတွက် ဒီဇိုင်းထုတ်ထားသော ကျွန်ုပ်တို့၏ Chemical Vapor Deposition (CVD) Silicon Carbide (SiC)၊ Tantalum Carbide (TaC) နှင့် Pyrolytic Carbon (PyC) အပေါ်ယံလွှာများသည် ထူးချွန်သော ဓာတုဗေဒဆိုင်ရာ တည်ငြိမ်မှုမရှိခြင်း၊ အလွန်အမင်း အပူချိန်တည်ငြိမ်မှုနှင့် အလွန်မြင့်မားသော သန့်ရှင်းစင်ကြယ်မှု (< 5 ppm) ကို ပေးစွမ်းသည်။ မြင့်မားသော သန့်ရှင်းစင်ကြယ်မှုရှိသော ဂရပ်ဖိုက်နှင့် ကြွေထည်အောက်ခံများကို ရန်လိုသော ပလာစမာ၊ ဓာတ်ပြုဖြစ်စဉ်ဓာတ်ငွေ့များနှင့် မြင့်မားသော အပူလည်ပတ်မှုတို့မှ ကာကွယ်ရန် ဒီဇိုင်းထုတ်ထားသော ကျွန်ုပ်တို့၏ အဆင့်မြင့် အပေါ်ယံလွှာများသည် အမှုန်ထုတ်လုပ်မှုကို လျှော့ချပေးပြီး အစိတ်အပိုင်းသက်တမ်းကို သိသိသာသာ တိုးချဲ့ပေးပါသည်။ဆီလီကွန်/SiC Epitaxy၊ MOCVD၊ Plasma Etching နှင့် Monocrystal ကြီးထွားမှုအပလီကေးရှင်းများ။