Fandokoana CVD

Fandrakofana CVD ho an'ny fanodinana semiconductor mandroso

Namboarina ho an'ny tontolo famokarana semiconductor tena ilaina, ny coating Chemical Vapor Deposition (CVD) Silicon Carbide (SiC), Tantalum Carbide (TaC), ary Pyrolytic Carbon (PyC) dia manome tsy fahatomombanana simika miavaka, fahamarinan-toerana mafana be, ary fahadiovana avo lenta (< 5 ppm). Natao hiarovana ny substrates grafita sy seramika madio avo lenta amin'ny plasma mahery vaika, ny entona mihetsika, ary ny tsingerin'ny hafanana avo lenta, ny coatings mandroso dia mampihena ny famokarana poti-javatra ary manitatra be ny androm-piainan'ny singa ao anatin'ny.Epitaksia Silikônina/SiC, MOCVD, Fanosehana Plasma, ary Fitomboan'ny Monokristalfampiharana.

Fahadiovana avo lenta (< 5 ppm)

Kely ny loto metaly voamarin'ny GDMS mba hisorohana ny fahalotoan'ny wafer amin'ny dingana manan-danja.

Fanoherana tsara ny plasma sy ny entona

Ny rafitra kristaly matevina dia miaro amin'ny plasma halogen (CF₄, NF₃, Cl₂) sy ireo entona manimba.

Fifanarahana mafana nohatsaraina

Ny fanaraha-maso hentitra ny CTE dia manafoana ny triatra bitika sy ny fahasimban'ny sosona rehefa tratran'ny fahatapahan'ny hafanana mahery vaika.

Karazana fanosotra	Tombony ara-teknika lehibe	Fampiharana ny dingana voalohany
Fandrakofana CVD SiC	Fitondran-tena mafana avo lenta, fanoherana tsara ny fahasimban'ny plasma	Dry Etch, Si Epitaxy, MOCVD, Fitomboan'ny Kristaly
Fandrakofana CVD TaC	Fanoherana ny mari-pana tafahoatra (>2000°C), sakana amin'ny harafesina H₂/SiH₄	Epitaxy SiC, Fitomboan'ny PVT SiC Kristaly Tokana
Fandrakofana PyC	Famehezana entona hermetika, velaran-tany karbônina anisotropika malefaka be	Fitaovana fanafanana amin'ny saha mafana, CZ Monocrystalline Silicon