CVD каптоо

Өркүндөтүлгөн жарым өткөргүчтөрдү иштетүү үчүн CVD каптоолору

Жарым өткөргүчтөрдү өндүрүүнүн маанилүү чөйрөлөрү үчүн иштелип чыккан, биздин химиялык буу чөктүрүү (CVD) кремний карбиди (SiC), тантал карбиди (TaC) жана пиролитикалык көмүртек (PyC) каптамаларыбыз эң сонун химиялык инерциялуулукту, өтө термикалык туруктуулукту жана өтө жогорку тазалыкты (< 5 ppm) камсыз кылат. Жогорку тазалыктагы графит жана керамикалык субстраттарды агрессивдүү плазмадан, реактивдүү процесстик газдардан жана жогорку термикалык циклден коргоо үчүн иштелип чыккан биздин өркүндөтүлгөн каптамаларыбыз бөлүкчөлөрдүн пайда болушун минималдаштырат жана компоненттердин иштөө мөөнөтүн бир топ узартат.Кремний/SiC эпитаксиясы, MOCVD, плазмалык оюу жана монокристаллдык өсүүтиркемелер.

Өтө жогорку тазалык (< 5 ppm)

Маанилүү процесстерде пластинанын булганышынын алдын алуу үчүн GDMS тарабынан текшерилген аз металлдык кошулмалар.

Жогорку плазма жана газга туруктуулук

Тыгыз кристаллдык түзүлүш галоген плазмасынан (CF₄, NF₃, Cl₂) жана коррозиялык газдардан коргойт.

Оптималдаштырылган жылуулук дал келүүсү

Катуу CTE көзөмөлү катуу жылуулук соккулары учурунда микрожарылууларды жана каптоолордун бөлүкчөлөрүнүн пайда болушун жок кылат.

Каптоо түрү	Негизги техникалык артыкчылык	Негизги процесстин колдонулушу
CVD SiC каптоо	Жогорку жылуулук өткөрүмдүүлүгү, плазма эрозиясына мыкты туруктуулугу	Кургак оюу, Si эпитаксиясы, MOCVD, кристаллдардын өсүшү
CVD TaC каптоо	Өтө жогорку температурага туруктуулук (>2000°C), H₂/SiH₄ коррозияга каршы тосмо	SiC эпитаксиясы, бир кристаллдуу SiC PVT өсүшү
PyC каптоо	Герметикалык газ менен бекитүүчү, өтө жылмакай анизотроптук көмүртек бети	Жылуулук талаасын изоляциялоо, CZ монокристаллдык кремний