Recubrimiento CVD

Recubrimientos CVD para el procesamiento avanzado de semiconductores

Diseñados para entornos críticos de fabricación de semiconductores, nuestros recubrimientos de carburo de silicio (SiC), carburo de tantalio (TaC) y carbono pirolítico (PyC) mediante deposición química de vapor (CVD) ofrecen una inercia química excepcional, una estabilidad térmica extrema y una pureza ultra alta (< 5 ppm). Diseñados para proteger sustratos de grafito y cerámica de alta pureza del plasma agresivo, los gases reactivos del proceso y los ciclos térmicos elevados, nuestros recubrimientos avanzados minimizan la generación de partículas y prolongan significativamente la vida útil de los componentes.Epitaxia de silicio/SiC, MOCVD, grabado por plasma y crecimiento de monocristales.aplicaciones.

Pureza ultra alta (< 5 ppm)

GDMS verifica la baja concentración de impurezas metálicas para prevenir la contaminación de las obleas en procesos críticos.

Resistencia superior al plasma y a los gases

Su densa estructura cristalina protege contra el plasma de halógenos (CF₄, NF₃, Cl₂) y los gases corrosivos.

Adaptación térmica optimizada

El control estricto del coeficiente de dilatación térmica (CTE) elimina la microfisuración y la delaminación del recubrimiento bajo fuertes choques térmicos.

Tipo de recubrimiento	Ventaja técnica clave	Aplicación del proceso primario
Recubrimiento de SiC mediante CVD	Alta conductividad térmica, excelente resistencia a la erosión por plasma.	Grabado en seco, epitaxia de silicio, MOCVD, crecimiento de cristales
Recubrimiento de TaC mediante CVD	Resistencia a temperaturas extremas (>2000 °C), barrera contra la corrosión H₂/SiH₄	Epitaxia de SiC, crecimiento PVT de SiC monocristalino
Recubrimiento de PyC	Sellado hermético de gas, superficie de carbono anisotrópica ultrasuave.	Aislamiento térmico de campo, silicio monocristalino CZ