CVD-coating

CVD-coatings foar avansearre healgeleiderferwurking

Us Chemical Vapor Deposition (CVD) Silicon Carbide (SiC), Tantalum Carbide (TaC) en Pyrolytic Carbon (PyC) coatings binne ûntworpen foar krityske omjouwings foar healgeleiderproduksje en leverje treflike gemyske inertheid, ekstreme termyske stabiliteit en ultrahege suverens (< 5 ppm). Untworpen om grafyt- en keramyske substraten mei hege suverens te beskermjen tsjin agressyf plasma, reaktive prosesgassen en hege termyske syklusen, minimalisearje ús avansearre coatings dieltsjegeneraasje en ferlingje de libbensdoer fan komponinten signifikant.Silisium/SiC-epitaxy, MOCVD, plasma-etsen en monokristalgroeiapplikaasjes.

Ultrahege suverens (< 5 ppm)

GDMS-ferifiearre lege metallyske ûnreinheden om waferfersmoarging yn krityske prosessen te foarkommen.

Superieure plasma- en gasresistinsje

Dicht kristalfoarmich struktuer beskermet tsjin halogeenplasma (CF₄, NF₃, Cl₂) en korrosive gassen.

Optimalisearre termyske oerienkomst

Strikte CTE-kontrôle elimineert mikro-skea en coating-delaminaasje ûnder swiere termyske skokken.

Coatingtype	Wichtich technysk foardiel	Primêre prosesapplikaasje
CVD SiC-coating	Hege termyske geliedingsfermogen, poerbêste plasma-eroazjebestriding	Droech etsen, Si-epitaksy, MOCVD, kristalgroei
CVD TaC-coating	Ekstreme temperatuerresistinsje (>2000 °C), H₂/SiH₄ korrosjebarriêre	SiC-epitaksy, groei fan ienkristal SiC PVT
PyC-coating	Hermetyske gasfersegeling, ultra-glêd anisotropysk koalstofoerflak	Termyske fjildisolaasje, CZ Monokristallijn Silisium