SIC estalitako harri-ehotzeko oinarriak tenperatura-erresistentzia handiko, oxidazio-erresistentzia handiko, azido, alkali, gatz eta erreaktibo organikoen aurkako purutasun handiko eta funtzio fisiko eta kimiko egonkorrerako ezaugarriak ditu. Grafito purutasun handikoarekin alderatuta, grafito purutasunak 400 ℃-tan oxidazio bizia hasten du, tenperatura altua ez bada ere, epe luzerako aplikazioa oxidazioaren eta hautsaren ondoriozkoa izango da, piezaren eta mahaiaren erabileraren edo ingurumenaren kutsaduraren arabera. Beraz, SIC estaldurako grafito-oinarria MOCVD ekipamendu berri gisa, hauts-sinterizazio prozesuak pixkanaka ordezkatzen du purutasun handiko grafitoa.
Ezaugarri nagusiak:
1. Tenperatura altuko antioxidatzailea: antioxidatzailea, antioxidatzaileen funtzioa oso ona da oraindik ere tenperatura 1600 ℃-ra iristen denean;
2. Purutasun handia: tenperatura altuko klorazio-baldintzetan lurrun kimiko bidezko deposizio-metodoaren bidez lortua;
3. Higaduraren aurkako erresistentzia: gogortasun handia, gainazal trinkoa, partikula finak;
Korrosioarekiko erresistentzia: azidoa, alkalia, gatza eta erreaktibo organikoak;
5. SIC gainazaleko geruza β-silizio karburozkoa da, aurpegi-zentratutako kubikoa.
Argitaratze data: 2023ko otsailaren 20a