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Quali sono gli ostacoli tecnici all'utilizzo del carburo di silicio?
La prima generazione di materiali semiconduttori è rappresentata dai tradizionali silicio (Si) e germanio (Ge), che costituiscono la base per la produzione di circuiti integrati. Sono ampiamente utilizzati in transistor e rivelatori a bassa tensione, bassa frequenza e bassa potenza. Oltre il 90% dei prodotti a semiconduttore...Per saperne di più -
Come si produce la micropolvere di SiC?
Il monocristallo di SiC è un materiale semiconduttore composto del Gruppo IV-IV, composto da due elementi, Si e C, in un rapporto stechiometrico di 1:1. La sua durezza è seconda solo a quella del diamante. Il metodo di riduzione del carbonio dell'ossido di silicio per preparare il SiC si basa principalmente sulla seguente formula di reazione chimica...Per saperne di più -
In che modo gli strati epitassiali aiutano i dispositivi semiconduttori?
L'origine del nome "wafer epitassiale" Innanzitutto, rendiamo noto un piccolo concetto: la preparazione del wafer comprende due fasi principali: la preparazione del substrato e il processo epitassiale. Il substrato è un wafer costituito da materiale semiconduttore monocristallino. Il substrato può essere immesso direttamente nel processo di produzione del wafer...Per saperne di più -
Introduzione alla tecnologia di deposizione chimica da vapore (CVD) di film sottili
La deposizione chimica da vapore (CVD) è un'importante tecnologia di deposizione di film sottili, spesso utilizzata per preparare vari film funzionali e materiali a strato sottile, ed è ampiamente utilizzata nella produzione di semiconduttori e in altri settori. 1. Principio di funzionamento della CVD Nel processo CVD, un precursore gassoso (uno o...Per saperne di più -
Il segreto dell’“oro nero” dell’industria dei semiconduttori fotovoltaici: il desiderio e la dipendenza dalla grafite isostatica
La grafite isostatica è un materiale molto importante nel settore fotovoltaico e dei semiconduttori. Con la rapida ascesa delle aziende nazionali produttrici di grafite isostatica, il monopolio delle aziende straniere in Cina è stato spezzato. Grazie alla continua ricerca e sviluppo indipendente e alle innovazioni tecnologiche,...Per saperne di più -
Svelare le caratteristiche essenziali delle barchette di grafite nella produzione di ceramiche semiconduttrici
Le barchette di grafite, note anche come "barchette di grafite", svolgono un ruolo cruciale nei complessi processi di produzione di ceramiche semiconduttrici. Questi contenitori specializzati fungono da supporti affidabili per i wafer semiconduttori durante i trattamenti ad alta temperatura, garantendo una lavorazione precisa e controllata. Con...Per saperne di più -
La struttura interna dell'apparecchiatura del tubo del forno è spiegata in dettaglio
Come mostrato sopra, ecco una tipica prima metà: ▪ Elemento riscaldante (serpentina di riscaldamento): situato attorno al tubo del forno, solitamente costituito da fili di resistenza, utilizzato per riscaldare l'interno del tubo del forno. ▪ Tubo di quarzo: il nucleo di un forno di ossidazione a caldo, realizzato in quarzo ad alta purezza in grado di resistere a...Per saperne di più -
Effetti del substrato SiC e dei materiali epitassiali sulle caratteristiche dei dispositivi MOSFET
Difetto triangolare I difetti triangolari sono i difetti morfologici più fatali negli strati epitassiali di SiC. Numerosi studi in letteratura hanno dimostrato che la formazione di difetti triangolari è correlata alla forma cristallina 3C. Tuttavia, a causa di diversi meccanismi di crescita, la morfologia di molti...Per saperne di più -
Crescita di monocristalli di carburo di silicio SiC
Fin dalla sua scoperta, il carburo di silicio ha attirato grande attenzione. Il carburo di silicio è composto per metà da atomi di Si e per metà da atomi di C, collegati da legami covalenti attraverso coppie di elettroni che condividono orbitali ibridi sp3. Nell'unità strutturale di base del suo monocristallo, quattro atomi di Si sono...Per saperne di più
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