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  • Ricerca sul forno epitassiale SiC da 8 pollici e sul processo omoepitassiale-I

    Ricerca sul forno epitassiale SiC da 8 pollici e sul processo omoepitassiale-I

    Attualmente, l'industria del SiC si sta trasformando passando da 150 mm (6 pollici) a 200 mm (8 pollici). Per soddisfare l'urgente domanda di wafer omoepitassiali di SiC di grandi dimensioni e di alta qualità nel settore, sono stati preparati con successo wafer omoepitassiali di 4H-SiC da 150 mm e 200 mm...
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  • Ottimizzazione della struttura dei pori del carbonio poroso - II

    Ottimizzazione della struttura dei pori del carbonio poroso - II

    Benvenuti sul nostro sito web per informazioni e consulenza sui prodotti. Il nostro sito web: https://www.vet-china.com/ Metodo di attivazione fisico-chimica Il metodo di attivazione fisico-chimica si riferisce al metodo di preparazione di materiali porosi combinando le due attive sopra descritte...
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  • Ottimizzazione della struttura dei pori del carbonio poroso-I

    Ottimizzazione della struttura dei pori del carbonio poroso-I

    Benvenuti sul nostro sito web per informazioni e consulenza sui prodotti. Il nostro sito web: https://www.vet-china.com/ Questo documento analizza l'attuale mercato del carbone attivo, effettua un'analisi approfondita delle materie prime del carbone attivo e introduce la struttura dei pori...
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  • Flusso di processo dei semiconduttori - II

    Flusso di processo dei semiconduttori - II

    Benvenuti sul nostro sito web per informazioni e consulenza sui prodotti. Il nostro sito web: https://www.vet-china.com/ Incisione di Poly e SiO2: Successivamente, il Poly e il SiO2 in eccesso vengono incisi, ovvero rimossi. In questa fase, viene utilizzata l'incisione direzionale. Nella classificazione...
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  • Flusso di processo dei semiconduttori

    Flusso di processo dei semiconduttori

    È comprensibile anche a chi non ha mai studiato fisica o matematica, ma è un po' troppo semplice e adatto ai principianti. Se vuoi saperne di più sul CMOS, devi leggere il contenuto di questo numero, perché solo dopo aver compreso il flusso del processo (cioè...
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  • Fonti di contaminazione e pulizia dei wafer di semiconduttori

    Fonti di contaminazione e pulizia dei wafer di semiconduttori

    Alcune sostanze organiche e inorganiche sono necessarie per la produzione di semiconduttori. Inoltre, poiché il processo viene sempre eseguito in una camera bianca con la partecipazione umana, i wafer di semiconduttori sono inevitabilmente contaminati da varie impurità. Pertanto...
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  • Fonti di inquinamento e prevenzione nell'industria manifatturiera dei semiconduttori

    Fonti di inquinamento e prevenzione nell'industria manifatturiera dei semiconduttori

    La produzione di dispositivi a semiconduttore comprende principalmente dispositivi discreti, circuiti integrati e i relativi processi di confezionamento. La produzione di semiconduttori può essere suddivisa in tre fasi: produzione del materiale del corpo del prodotto, fabbricazione dei wafer e assemblaggio del dispositivo. Tra queste,...
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  • Perché è necessario diradare?

    Perché è necessario diradare?

    Nella fase di processo back-end, il wafer (wafer di silicio con circuiti sulla parte anteriore) deve essere assottigliato sul retro prima delle successive fasi di taglio, saldatura e confezionamento, al fine di ridurre l'altezza di montaggio del package, diminuire il volume del package del chip e migliorare la dissipazione termica del chip...
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  • Processo di sintesi di polvere monocristallina di SiC ad elevata purezza

    Processo di sintesi di polvere monocristallina di SiC ad elevata purezza

    Nel processo di crescita di monocristalli di carburo di silicio, il trasporto fisico in fase vapore (PVT) è attualmente il metodo di industrializzazione principale. Per il metodo di crescita PVT, la polvere di carburo di silicio ha una grande influenza sul processo di crescita. Tutti i parametri della polvere di carburo di silicio sono direttamente correlati...
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