Grafît bi pêçandina TaC

I. Lêkolîna parametreyên pêvajoyê

1. Sîstema TaCl5-C3H6-H2-Ar

2. Germahiya danînê:

Li gorî formula termodînamîkî, tê hesabkirin ku dema germahî ji 1273K mezintir be, enerjiya azad a Gibbs a reaksiyonê pir kêm e û reaksiyon nisbeten temam e. Sabîta reaksiyonê KP li 1273K pir mezin e û bi germahiyê re bi lez zêde dibe, û rêjeya mezinbûnê di 1773K de hêdî dibe.

Bandor li ser morfolojiya rûyê pêçanê: Dema ku germahî ne guncaw be (pir zêde an pir nizm), rûber morfolojiya karbona azad an jî kunên sist nîşan dide.

(1) Di germahiyên bilind de, leza tevgera atom an komên reaktantên çalak pir zêde ye, ku ev yek dê di dema kombûna materyalan de bibe sedema belavkirinek neyeksan, û deverên dewlemend û xizan nikarin bi nermî veguherin, di encamê de kun çêdibin.

(2) Di navbera rêjeya reaksiyona pîrolîzê ya alkanan û rêjeya reaksiyona kêmkirinê ya pentaklorîda tantalumê de ferqek heye. Karbona pîrolîzê zêde ye û di demê re nikare bi tantalumê re were hev kirin, di encamê de rûber ji hêla karbonê ve tê pêçandin.

Dema ku germahî guncaw be, rûyêPêçandina TaCtîr e.

TaCperçe dihelin û bi hev re kom dibin, şiklê krîstal temam dibe, û sînorê dendikan bi nermî diguhere.

3. Rêjeya hîdrojenê:

Wekî din, gelek faktor hene ku bandorê li kalîteya pêlavê dikin:

-Qalîteya rûyê substratê

-Zeviya gazê ya danînê

-Asta yekrengiya tevlihevkirina gaza reaktant

II. Xeletiyên tîpîk ênpêçandina karbîda tantalumê

1. Şikestin û qelişîna pêçanê

Koefîsyenta berfirehbûna germî ya xêzikî CTE ya xêzikî:

2. Analîza kêmasiyan:

(1) Sedem:

(2) Rêbaza karakterîzekirinê

① Ji bo pîvandina zorê ya mayî teknolojiya difraksiyona tîrêjên X bikar bînin.

② Ji bo texmînkirina stresa mayî, qanûna Hu Ke bikar bînin.

(3) Formulên têkildar

3. Lihevhatina mekanîkî ya pêçandinê û substratê zêde bike

(1) Pêçandina mezinbûna di cîh de ya rûberê

Teknolojiya belavkirin û depokirina reaksiyona germî TRD

Pêvajoya xwêya helandî

Pêvajoya hilberînê hêsan bikin

Germahiya reaksiyonê kêm bikin

Mesrefa nisbeten kêmtir

Hawirdorparêztir

Ji bo hilberîna pîşesaziyê ya mezin minasib e

(2) Pêçandina veguherîna kompozît

Pêvajoya hev-sepandinê

Nexweşiyên dil û damarandoz

Pêçandina pir-pêkhateyî

Bi hev re avantajên her pêkhateyê

Kompozîsyon û rêjeya pêçanê bi nermî rast bikin

4. Teknolojiya belavkirin û depokirina reaksiyona germî TRD

(1) Mekanîzma Reaksiyonê

Teknolojiya TRD jî wekî pêvajoya bicihkirinê tê zanîn, ku ji bo amadekirina pergala asîda borîk-pentoksîda tantalum-florîda sodyûm-oksîda boron-karbîda boron bikar tîne.pêçandina karbîda tantalumê.

① Asîda borîk a helandî pentoksîda tantalumê dihelîne;

② Pentoksîda tantalûmê vediguhere atomên tantalûmê yên çalak û li ser rûyê grafîtê belav dibe;

③ Atomên tantalûmê yên çalak li ser rûyê grafîtê têne adsorbkirin û bi atomên karbonê re reaksiyonê dikin da kupêçandina karbîda tantalumê.

(2) Kilîda Reaksiyonê

Cureyê pêçandina karbîdê divê şertê ku enerjiya azad a oksîdasyonê ya hêmana ku karbîdê çêdike ji ya oksîda boronê bilindtir be, bicîh bîne.

Enerjiya azad a Gibbs a karbîdê têra xwe kêm e (wekî din, dibe ku bor an borîd çêbibe).

Tantalum pentoksîd oksîdeke bêalî ye. Di boraksa helandî ya germahiya bilind de, ew dikare bi oksîda alkalîn a bihêz, oksîda sodyûmê re reaksiyonê bike da ku sodyûm tantalat çêbike, bi vî rengî germahiya destpêkê ya reaksiyonê kêm bike.