ਪ੍ਰਤੀਕਿਰਿਆ ਸਿੰਟਰਿੰਗ ਸਿਲੀਕਾਨ ਕਾਰਬਾਈਡ ਪ੍ਰੋਸੈਸਿੰਗ ਤਕਨਾਲੋਜੀ

ਪ੍ਰਤੀਕਿਰਿਆ-ਸਿੰਟਰਡ ਸਿਲੀਕਾਨ ਕਾਰਬਾਈਡ ਪੋਰਸਿਲੇਨ ਵਿੱਚ ਵਾਤਾਵਰਣ ਦੇ ਤਾਪਮਾਨ 'ਤੇ ਚੰਗੀ ਸੰਕੁਚਿਤ ਤਾਕਤ, ਹਵਾ ਦੇ ਆਕਸੀਕਰਨ ਪ੍ਰਤੀ ਗਰਮੀ ਪ੍ਰਤੀਰੋਧ, ਵਧੀਆ ਪਹਿਨਣ ਪ੍ਰਤੀਰੋਧ, ਵਧੀਆ ਗਰਮੀ ਪ੍ਰਤੀਰੋਧ, ਰੇਖਿਕ ਵਿਸਥਾਰ ਦਾ ਛੋਟਾ ਗੁਣਾਂਕ, ਉੱਚ ਗਰਮੀ ਟ੍ਰਾਂਸਫਰ ਗੁਣਾਂਕ, ਉੱਚ ਕਠੋਰਤਾ, ਗਰਮੀ ਪ੍ਰਤੀਰੋਧ ਅਤੇ ਵਿਨਾਸ਼ਕਾਰੀ, ਅੱਗ ਰੋਕਥਾਮ ਅਤੇ ਹੋਰ ਉੱਚ-ਗੁਣਵੱਤਾ ਵਿਸ਼ੇਸ਼ਤਾਵਾਂ ਹਨ। ਵਾਹਨਾਂ, ਮਕੈਨੀਕਲ ਆਟੋਮੇਸ਼ਨ, ਵਾਤਾਵਰਣ ਵਾਤਾਵਰਣ ਸੁਰੱਖਿਆ, ਏਰੋਸਪੇਸ ਇੰਜੀਨੀਅਰਿੰਗ, ਜਾਣਕਾਰੀ ਸਮੱਗਰੀ ਇਲੈਕਟ੍ਰਾਨਿਕ ਉਪਕਰਣਾਂ, ਬਿਜਲੀ ਊਰਜਾ ਅਤੇ ਹੋਰ ਖੇਤਰਾਂ ਵਿੱਚ ਵਿਆਪਕ ਤੌਰ 'ਤੇ ਵਰਤਿਆ ਜਾਂਦਾ ਹੈ, ਬਹੁਤ ਸਾਰੇ ਉਦਯੋਗਿਕ ਖੇਤਰਾਂ ਵਿੱਚ ਇੱਕ ਲਾਗਤ-ਪ੍ਰਭਾਵਸ਼ਾਲੀ ਅਤੇ ਅਟੱਲ ਢਾਂਚਾਗਤ ਵਸਰਾਵਿਕ ਬਣ ਗਿਆ ਹੈ।

ਦਬਾਅ ਰਹਿਤ ਸਿੰਟਰਿੰਗ ਨੂੰ ਇੱਕ ਵਾਅਦਾ ਕਰਨ ਵਾਲੀ SiC ਕੈਲਸੀਨੇਸ਼ਨ ਵਿਧੀ ਵਜੋਂ ਜਾਣਿਆ ਜਾਂਦਾ ਹੈ। ਵੱਖ-ਵੱਖ ਨਿਰੰਤਰ ਕਾਸਟਿੰਗ ਮਸ਼ੀਨਾਂ ਲਈ, ਪ੍ਰੈਸ-ਮੁਕਤ ਸਿੰਟਰਿੰਗ ਨੂੰ ਠੋਸ ਪੜਾਅ ਕੈਲਸੀਨੇਸ਼ਨ ਅਤੇ ਉੱਚ ਪ੍ਰਦਰਸ਼ਨ ਵਾਲੇ ਤਰਲ ਪੜਾਅ ਕੈਲਸੀਨੇਸ਼ਨ ਵਿੱਚ ਵੰਡਿਆ ਜਾ ਸਕਦਾ ਹੈ। ਇੱਕ ਬਹੁਤ ਹੀ ਬਰੀਕ ਬੀਟਾ SiC ਪਾਊਡਰ ਵਿੱਚ ਢੁਕਵੇਂ B ਅਤੇ C (2% ਤੋਂ ਘੱਟ ਆਕਸੀਜਨ ਸਮੱਗਰੀ) ਨੂੰ ਇਕੱਠੇ ਜੋੜ ਕੇ, S. Proehazka ਨੂੰ 2020 ਵਿੱਚ 98% ਤੋਂ ਵੱਧ ਦੀ ਸਾਪੇਖਿਕ ਘਣਤਾ ਵਾਲੇ SIC ਕੈਲਸੀਨਡ ਬਾਡੀ ਵਿੱਚ ਸਿੰਟਰ ਕੀਤਾ ਜਾਂਦਾ ਹੈ, ਜਿਸ ਵਿੱਚ Al2O3 ਅਤੇ Y2O3 ਐਡਿਟਿਵ ਵਜੋਂ ਸ਼ਾਮਲ ਹਨ। 1850-1950 ਤੋਂ ਘੱਟ 0.5m-SiC (ਥੋੜ੍ਹੇ ਜਿਹੇ SiO2 ਵਾਲੀ ਕਣ ਸਤਹ) ਦੇ ਅਧੀਨ ਕੈਲਸੀਨ ਕੀਤਾ ਗਿਆ, ਸਿੱਟਾ ਇਹ ਹੈ ਕਿ SiC ਪੋਰਸਿਲੇਨ ਦੀ ਘਣਤਾ ਮੂਲ ਸਿਧਾਂਤਕ ਘਣਤਾ ਦੇ 95% ਤੋਂ ਵੱਧ ਹੈ, ਅਨਾਜ ਦਾ ਆਕਾਰ ਛੋਟਾ ਹੈ, ਅਤੇ ਔਸਤ ਆਕਾਰ ਵੱਡਾ ਹੈ, ਜੋ ਕਿ 1.5μm ਹੈ।

ਪ੍ਰਤੀਕਿਰਿਆਸ਼ੀਲ ਸਿੰਟਰਿੰਗ ਸਿਲੀਕਾਨ ਕਾਰਬਾਈਡ ਤਰਲ ਪੜਾਅ ਜਾਂ ਉੱਚ ਪ੍ਰਦਰਸ਼ਨ ਵਾਲੇ ਤਰਲ ਪੜਾਅ ਦੇ ਨਾਲ ਪੋਰਸ ਸਟ੍ਰਕਚਰ ਬਿਲੇਟ ਨੂੰ ਪ੍ਰਤੀਬਿੰਬਤ ਕਰਨ, ਬਿਲੇਟ ਦੀ ਗੁਣਵੱਤਾ ਵਿੱਚ ਸੁਧਾਰ ਕਰਨ, ਵੈਂਟ ਹੋਲ ਨੂੰ ਘਟਾਉਣ ਅਤੇ ਇੱਕ ਖਾਸ ਤਾਕਤ ਅਤੇ ਅਯਾਮੀ ਸ਼ੁੱਧਤਾ ਨਾਲ ਤਿਆਰ ਉਤਪਾਦ ਨੂੰ ਕੈਲਸੀਨ ਕਰਨ ਦੀ ਪੂਰੀ ਪ੍ਰਕਿਰਿਆ ਨੂੰ ਦਰਸਾਉਂਦਾ ਹੈ। ਪਲੂਟੋਨੀਅਮ-ਸਿਕ ਪਾਊਡਰ ਅਤੇ ਉੱਚ ਸ਼ੁੱਧਤਾ ਵਾਲੇ ਗ੍ਰਾਫਾਈਟ ਨੂੰ ਇੱਕ ਖਾਸ ਅਨੁਪਾਤ ਵਿੱਚ ਮਿਲਾਇਆ ਜਾਂਦਾ ਹੈ ਅਤੇ ਵਾਲਾਂ ਦੇ ਭਰੂਣ ਪੈਦਾ ਕਰਨ ਲਈ ਲਗਭਗ 1650 ਤੱਕ ਗਰਮ ਕੀਤਾ ਜਾਂਦਾ ਹੈ। ਉਸੇ ਸਮੇਂ, ਇਹ ਤਰਲ ਪੜਾਅ Si ਰਾਹੀਂ ਸਟੀਲ ਵਿੱਚ ਪ੍ਰਵੇਸ਼ ਕਰਦਾ ਹੈ ਜਾਂ ਪ੍ਰਵੇਸ਼ ਕਰਦਾ ਹੈ, ਪਲੂਟੋਨੀਅਮ-ਸਿਕ ਬਣਾਉਣ ਲਈ ਸਿਲੀਕਾਨ ਕਾਰਬਾਈਡ ਨਾਲ ਪ੍ਰਤੀਬਿੰਬਤ ਕਰਦਾ ਹੈ, ਅਤੇ ਮੌਜੂਦਾ ਪਲੂਟੋਨੀਅਮ-ਸਿਕ ਕਣਾਂ ਨਾਲ ਫਿਊਜ਼ ਕਰਦਾ ਹੈ। Si ਘੁਸਪੈਠ ਤੋਂ ਬਾਅਦ, ਵਿਸਤ੍ਰਿਤ ਸਾਪੇਖਿਕ ਘਣਤਾ ਅਤੇ ਅਨਪੈਕ ਕੀਤੇ ਆਕਾਰ ਦੇ ਨਾਲ ਪ੍ਰਤੀਕਿਰਿਆ ਸਿੰਟਰਡ ਬਾਡੀ ਪ੍ਰਾਪਤ ਕੀਤੀ ਜਾ ਸਕਦੀ ਹੈ। ਹੋਰ ਸਿੰਟਰਿੰਗ ਤਰੀਕਿਆਂ ਦੇ ਮੁਕਾਬਲੇ, ਉੱਚ ਘਣਤਾ ਪ੍ਰਤੀਕਿਰਿਆ ਸਿੰਟਰਡ ਆਕਾਰ ਪਰਿਵਰਤਨ ਦੀ ਪ੍ਰਕਿਰਿਆ ਵਿੱਚ ਮੁਕਾਬਲਤਨ ਛੋਟਾ ਹੁੰਦਾ ਹੈ, ਸਾਮਾਨ ਦਾ ਸਹੀ ਆਕਾਰ ਬਣਾ ਸਕਦਾ ਹੈ, ਪਰ ਕੈਲਸੀਨ ਕੀਤੇ ਸਰੀਰ 'ਤੇ ਬਹੁਤ ਸਾਰਾ SiC ਹੁੰਦਾ ਹੈ, ਪ੍ਰਤੀਕਿਰਿਆ ਸਿੰਟਰਡ SiC ਪੋਰਸਿਲੇਨ ਦੀਆਂ ਉੱਚ ਤਾਪਮਾਨ ਵਿਸ਼ੇਸ਼ਤਾਵਾਂ ਬਦਤਰ ਹੋਣਗੀਆਂ। ਗੈਰ-ਦਬਾਅ ਕੈਲਸਾਈਨਡ SiC ਸਿਰੇਮਿਕਸ, ਗਰਮ ਆਈਸੋਸਟੈਟਿਕ ਕੈਲਸਾਈਨਡ SiC ਸਿਰੇਮਿਕਸ ਅਤੇ ਪ੍ਰਤੀਕਿਰਿਆ ਸਿੰਟਰਡ SiC ਸਿਰੇਮਿਕਸ ਦੀਆਂ ਵੱਖੋ-ਵੱਖਰੀਆਂ ਵਿਸ਼ੇਸ਼ਤਾਵਾਂ ਹਨ।

ਪ੍ਰਤੀਕਿਰਿਆਸ਼ੀਲ ਸਿੰਟਰਿੰਗ ਸਿਲੀਕਾਨ ਕਾਰਬਾਈਡ ਨਿਰਮਾਤਾ: ਉਦਾਹਰਨ ਲਈ, ਕੈਲਸਾਈਨਡ ਸਾਪੇਖਿਕ ਘਣਤਾ ਅਤੇ ਝੁਕਣ ਦੀ ਤਾਕਤ ਦੇ ਪੱਧਰ 'ਤੇ SiC ਪੋਰਸਿਲੇਨ, ਗਰਮ ਦਬਾਉਣ ਵਾਲੀ ਸਿੰਟਰਿੰਗ ਅਤੇ ਗਰਮ ਆਈਸੋਸਟੈਟਿਕ ਦਬਾਉਣ ਵਾਲੀ ਕੈਲਸੀਨੇਸ਼ਨ ਵਧੇਰੇ ਹੁੰਦੀ ਹੈ, ਅਤੇ ਪ੍ਰਤੀਕਿਰਿਆਸ਼ੀਲ ਸਿੰਟਰਿੰਗ SiC ਮੁਕਾਬਲਤਨ ਘੱਟ ਹੁੰਦੀ ਹੈ। ਉਸੇ ਸਮੇਂ, ਕੈਲਸੀਨੇਸ਼ਨ ਮੋਡੀਫਾਇਰ ਦੇ ਬਦਲਾਅ ਦੇ ਨਾਲ SiC ਪੋਰਸਿਲੇਨ ਦੇ ਭੌਤਿਕ ਗੁਣ ਬਦਲਦੇ ਹਨ। SiC ਪੋਰਸਿਲੇਨ ਦੇ ਗੈਰ-ਦਬਾਅ ਸਿੰਟਰਿੰਗ, ਗਰਮ ਦਬਾਉਣ ਵਾਲੀ ਸਿੰਟਰਿੰਗ ਅਤੇ ਪ੍ਰਤੀਕਿਰਿਆ ਸਿੰਟਰਿੰਗ ਵਿੱਚ ਚੰਗੀ ਖਾਰੀ ਪ੍ਰਤੀਰੋਧ ਅਤੇ ਐਸਿਡ ਪ੍ਰਤੀਰੋਧ ਹੁੰਦਾ ਹੈ, ਪਰ ਪ੍ਰਤੀਕਿਰਿਆ ਸਿੰਟਰਡ SiC ਪੋਰਸਿਲੇਨ ਵਿੱਚ HF ਅਤੇ ਹੋਰ ਬਹੁਤ ਮਜ਼ਬੂਤ ​​ਐਸਿਡ ਖੋਰ ਪ੍ਰਤੀ ਕਮਜ਼ੋਰ ਪ੍ਰਤੀਰੋਧ ਹੁੰਦਾ ਹੈ। ਜਦੋਂ ਵਾਤਾਵਰਣ ਦਾ ਤਾਪਮਾਨ 900 ਤੋਂ ਘੱਟ ਹੁੰਦਾ ਹੈ, ਤਾਂ ਜ਼ਿਆਦਾਤਰ SiC ਪੋਰਸਿਲੇਨ ਦੀ ਝੁਕਣ ਦੀ ਤਾਕਤ ਉੱਚ ਤਾਪਮਾਨ ਵਾਲੇ ਸਿੰਟਰਡ ਪੋਰਸਿਲੇਨ ਨਾਲੋਂ ਕਾਫ਼ੀ ਜ਼ਿਆਦਾ ਹੁੰਦੀ ਹੈ, ਅਤੇ ਪ੍ਰਤੀਕਿਰਿਆਸ਼ੀਲ ਸਿੰਟਰਡ SiC ਪੋਰਸਿਲੇਨ ਦੀ ਝੁਕਣ ਦੀ ਤਾਕਤ 1400 ਤੋਂ ਵੱਧ ਹੋਣ 'ਤੇ ਤੇਜ਼ੀ ਨਾਲ ਘੱਟ ਜਾਂਦੀ ਹੈ। (ਇਹ ਕੈਲਸਾਈਨ ਕੀਤੇ ਸਰੀਰ ਵਿੱਚ ਇੱਕ ਨਿਸ਼ਚਿਤ ਤਾਪਮਾਨ ਤੋਂ ਪਰੇ ਲੈਮੀਨੇਟਡ ਗਲਾਸ Si ਦੀ ਇੱਕ ਨਿਸ਼ਚਿਤ ਮਾਤਰਾ ਦੇ ਝੁਕਣ ਦੀ ਤਾਕਤ ਵਿੱਚ ਅਚਾਨਕ ਗਿਰਾਵਟ ਕਾਰਨ ਹੁੰਦਾ ਹੈ। ਦਬਾਅ ਕੈਲਸੀਨੇਸ਼ਨ ਤੋਂ ਬਿਨਾਂ ਅਤੇ ਗਰਮ ਸਥਿਰ ਸਥਿਰ ਦਬਾਅ ਹੇਠ ਸਿੰਟਰ ਕੀਤੇ SiC ਸਿਰੇਮਿਕਸ ਦੀ ਉੱਚ ਤਾਪਮਾਨ ਦੀ ਕਾਰਗੁਜ਼ਾਰੀ ਮੁੱਖ ਤੌਰ 'ਤੇ ਐਡਿਟਿਵ ਦੀਆਂ ਕਿਸਮਾਂ ਦੁਆਰਾ ਪ੍ਰਭਾਵਿਤ ਹੁੰਦੀ ਹੈ।