Bagian Epitaksial Si

Komponen Dilapis CVD SiC pikeun Epitaksi Silikon (Si Epi)

Dirancang sacara presisi pikeun sistem déposisi Silicon Epitaxial wafer tunggal sareng batch, susceptor anu dilapis CVD SiC, cakram satelit, sareng komponén médan termal kami ngahasilkeun keseragaman termal anu luar biasa sareng nol outgassing. Lapisan palapis β-SiC kubik kapadetan luhur ngabungkus sapinuhna substrat grafit kamurnian luhur, nyegah étsa gas réaktif (SiH₄, SiH₂Cl₂, HCl) sareng ngajamin tingkat pangotor logam anu ultra-rendah (< 5 ppm) salami pamrosésan Si Epi suhu luhur (1000°C - 1200°C).

Keseragaman Medan Termal

Émisivitas anu dikontrol mastikeun konsistensi ketebalan pilem wafer ujung-ka-tengah anu akurat.

Résistansi Étsa HCl

Nyayogikeun panyalindungan anu kuat ngalawan bahan kimia beberesih rohangan in-situ sareng kejutan termal.

Kompatibilitas Sistem OEM

Mesin CNC presisi supados cocog sareng alat Epi wafer tunggal 200mm/300mm (Applied Materials, ASM) umum.

Parameter Téknis	Nilai Spésifikasi	Métode Standar / Tés
Bahan Pelapis	CVD β-SiC (Fase Kubik)	Struktur Kristal Kapadetan Luhur
Bahan Substrat	Grafit Isostatik Ultra-Murni	Kapadetan: 1,82 - 1,88 g/cm³
Kamurnian Kimia	Total Pangotor < 5 ppm	GDMS Diuji
Kandel Lapisan	80 μm - 150 μm	Kaseragaman ≤ ±5%