Bagian Epitaksial SiC

Lapisan CVD Canggih pikeun Pertumbuhan Epitaksial SiC

Dirancang pikeun prosés alat semikonduktor kakuatan tinggi anu beroperasi dina setrés termal anu ekstrim (1500°C - 1700°C), susceptor planét, cakram satelit, sareng deflektor gas anu dilapis CVD SiC sareng TaC kami didamel pikeun unggul. Dirancang pikeun nyegah generasi partikel, degradasi permukaan, sareng etsa gas réaktif (H₂, SiH₄, C₃H∯), palapis canggih kami mastikeun umur operasional anu panjang, kontrol dopan anu unggul, sareng keseragaman ketebalan pilem anu luhur di sakumna.Wafer epitaksial SiC 6 inci sareng 8 inci.

Stabilitas Suhu Ultra-Luhur

Stabil sacara termal dugi ka 1700°C dina lingkungan pangurang H₂/silane anu parah.

Pencocokan CTE Gradien

Ngaleungitkeun delaminasi lapisan, mikro-retakan, sareng spalling salami siklus termal anu gancang.

Kesiapan Timbangan Wafer 8 Inci

Mesin CNC presisi anu dirancang pikeun réaktor SiC Epi throughput tinggi generasi salajengna (LPE, Aixtron, Nuflare).

Parameter Téknis	Nilai Spésifikasi	Métode Standar / Tés
Pilihan Bahan Pelapis	CVD SiC / Tantalum Karbida (TaC)	Lapisan Hermetik Kamurnian Tinggi
Substrat Dasar	Grafit Isostatik Murni	Pangotor Massal < 5 ppm
Résistansi Kejutan Termal	Laju Ramp Delta T > 500°C	Teu Retak/Ngelupas
Kasar Beungeut (Ra)	≤ 0,4 μm (Dipoles ku Eunteung)	Nyegah Wafer Nempel & Partikel