Sumusunod sa teorya ng "kalidad, serbisyo, pagganap at paglago", nakatanggap kami ng mga tiwala at papuri mula sa lokal at pandaigdigang mamimili para sa IOS Certificate China na 99.5%Target na Seramik na SicSilicon Carbide Sputtering Target para sa Coating, Ang aming pangunahing layunin ay magbigay sa aming mga customer sa buong mundo ng mahusay na kalidad, mapagkumpitensyang presyo, kasiya-siyang paghahatid at mahusay na serbisyo.
Sumusunod sa teorya ng "kalidad, serbisyo, pagganap at paglago", nakatanggap kami ng mga tiwala at papuri mula sa mga lokal at pandaigdigang mamimili para saTarget na Pag-sputtering ng Silicon Carbide ng Tsina, Target na Seramik na Sic, Mayroon na kaming mahigpit at kumpletong sistema ng kontrol sa kalidad, na tinitiyak na ang bawat produkto ay makakatugon sa mga kinakailangan sa kalidad ng mga customer. Bukod pa rito, lahat ng aming mga produkto ay mahigpit na siniyasat bago ipadala.
Mga komposit na karbon / karbon(mula rito ay tatawaging "C / C o CFC) ay isang uri ng composite material na nakabatay sa carbon at pinatibay ng carbon fiber at mga produkto nito (carbon fiber preform). Taglay nito ang parehong inertia ng carbon at mataas na lakas ng carbon fiber. Mayroon itong mahusay na mekanikal na katangian, heat resistance, corrosion resistance, friction damping at thermal at electrical conductivity characteristics.
CVD-SiCAng patong ay may mga katangian ng pare-parehong istraktura, siksik na materyal, resistensya sa mataas na temperatura, resistensya sa oksihenasyon, mataas na kadalisayan, resistensya sa acid at alkali at organikong reagent, na may matatag na pisikal at kemikal na mga katangian.
Kung ikukumpara sa mga materyales na grapayt na may mataas na kadalisayan, ang grapayt ay nagsisimulang mag-oxidize sa 400C, na magdudulot ng pagkawala ng pulbos dahil sa oksihenasyon, na magreresulta sa polusyon sa kapaligiran sa mga peripheral device at vacuum chamber, at magpapataas ng mga dumi sa kapaligirang may mataas na kadalisayan.
Gayunpaman, ang SiC coating ay maaaring mapanatili ang pisikal at kemikal na katatagan sa 1600 degrees. Malawakang ginagamit ito sa modernong industriya, lalo na sa industriya ng semiconductor.
Ang aming kumpanya ay nagbibigay ng mga serbisyo sa proseso ng pagpapatong ng SiC gamit ang pamamaraang CVD sa ibabaw ng grapayt, seramika, at iba pang materyales, upang ang mga espesyal na gas na naglalaman ng carbon at silicon ay mag-react sa mataas na temperatura upang makakuha ng mga molekulang SiC na may mataas na kadalisayan, ang mga molekulang idineposito sa ibabaw ng mga materyales na pinahiran, na bumubuo ng SIC protective layer. Ang SIC na nabuo ay mahigpit na nakakabit sa base ng grapayt, na nagbibigay sa base ng grapayt ng mga espesyal na katangian, kaya ginagawa ang ibabaw ng grapayt na siksik, walang porosity, lumalaban sa mataas na temperatura, lumalaban sa kalawang, at lumalaban sa oksihenasyon.
Pangunahing mga tampok:
1. Mataas na temperaturang resistensya sa oksihenasyon:
Napakaganda pa rin ng resistensya sa oksihenasyon kahit ang temperatura ay kasing taas ng 1600 C.
2. Mataas na kadalisayan: ginawa sa pamamagitan ng kemikal na pagdedeposito ng singaw sa ilalim ng mataas na temperaturang kondisyon ng klorasyon.
3. Paglaban sa erosyon: mataas na katigasan, siksik na ibabaw, pinong mga partikulo.
4. Paglaban sa kalawang: asido, alkali, asin at mga organikong reagent.
Pangunahing mga Espesipikasyon ng mga Patong na CVD-SIC:
| SiC-CVD | ||
| Densidad | (g/cc)
| 3.21 |
| Lakas ng pagbaluktot | (Mpa)
| 470 |
| Pagpapalawak ng init | (10-6/K) | 4
|
| Kondaktibiti ng init | (W/mK) | 300
|
