Aderând la teoria „calitate, servicii, performanță și creștere”, am primit încredere și laude din partea cumpărătorilor autohtoni și internaționali pentru Certificatul IOS China 99,5%.Țintă ceramică SicȚintă de pulverizare cu carbură de siliciu pentru acoperire, Principalele noastre obiective sunt de a oferi clienților noștri din întreaga lume o calitate bună, preț competitiv, livrare satisfăcătoare și servicii excelente.
Aderând la teoria „calitate, servicii, performanță și creștere”, am primit încredere și laude din partea cumpărătorilor autohtoni și din întreaga lume pentruȚintă de pulverizare cu carbură de siliciu din China, Țintă ceramică SicAcum avem un sistem strict și complet de control al calității, care garantează că fiecare produs poate îndeplini cerințele de calitate ale clienților. În plus, toate articolele noastre au fost inspectate cu strictețe înainte de expediere.
Compozite carbon/carbon(denumit în continuare „C/C sau CFC”) este un tip de material compozit pe bază de carbon, ranforsat cu fibră de carbon și produse ale acesteia (preforme din fibră de carbon). Are atât inerția carbonului, cât și rezistența ridicată a fibrei de carbon. Are proprietăți mecanice bune, rezistență la căldură, rezistență la coroziune, amortizare a frecării și caracteristici de conductivitate termică și electrică.
CVD-SiCAcoperirea are caracteristici precum structură uniformă, material compact, rezistență la temperaturi ridicate, rezistență la oxidare, puritate ridicată, rezistență la acid și alcaline și reactiv organic, cu proprietăți fizice și chimice stabile.
Comparativ cu materialele din grafit de înaltă puritate, grafitul începe să se oxideze la 400°C, ceea ce va cauza o pierdere de pulbere din cauza oxidării, rezultând poluarea dispozitivelor periferice și a camerelor de vid și creșterea impurităților din mediul de înaltă puritate.
Cu toate acestea, acoperirea cu SiC poate menține stabilitatea fizică și chimică la 1600 de grade, fiind utilizată pe scară largă în industria modernă, în special în industria semiconductorilor.
Compania noastră oferă servicii de acoperire cu SiC prin metoda CVD pe suprafața grafitului, ceramicii și a altor materiale, astfel încât gazele speciale care conțin carbon și siliciu reacționează la temperatură ridicată pentru a obține molecule de SiC de înaltă puritate, molecule depuse pe suprafața materialelor acoperite, formând un strat protector de SIC. SIC-ul format este ferm lipit de baza de grafit, conferind bazei de grafit proprietăți speciale, făcând astfel suprafața grafitului compactă, fără porozități, rezistentă la temperaturi ridicate, la coroziune și la oxidare.
Caracteristici principale:
1. Rezistență la oxidare la temperaturi ridicate:
Rezistența la oxidare este încă foarte bună chiar și la temperaturi de până la 1600 °C.
2. Puritate ridicată: realizat prin depunere chimică de vapori în condiții de clorurare la temperatură înaltă.
3. Rezistență la eroziune: duritate ridicată, suprafață compactă, particule fine.
4. Rezistență la coroziune: acid, alcali, sare și reactivi organici.
Specificații principale ale acoperirilor CVD-SIC:
| SiC-CVD | ||
| Densitate | (g/cc)
| 3.21 |
| Rezistență la încovoiere | (Mpa)
| 470 |
| Expansiune termică | (10-6/K) | 4
|
| Conductivitate termică | (W/mK) | 300
|
