Blanco cerámico de SiC, blanco de pulverización catódica de carburo de silicio para recubrimiento, varilla de SiC, varilla de silicio para ingeniería mecánica

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Siguiendo la teoría de “calidad, servicios, rendimiento y crecimiento”, hemos recibido la confianza y los elogios de clientes nacionales e internacionales por nuestro Certificado IOS de China al 99,5%.Objetivo cerámico de SiCObjetivo de pulverización catódica de carburo de silicio para recubrimiento. Nuestros principales objetivos son proporcionar a nuestros clientes en todo el mundo buena calidad, precios competitivos, entregas satisfactorias y excelentes servicios.
Siguiendo la teoría de “calidad, servicios, rendimiento y crecimiento”, hemos recibido la confianza y los elogios de clientes nacionales e internacionales.Objetivo de pulverización catódica de carburo de silicio de China, Objetivo cerámico de SiCContamos con un sistema de control de calidad estricto y completo que garantiza que cada producto cumpla con los requisitos de calidad de nuestros clientes. Además, todos nuestros artículos son inspeccionados minuciosamente antes de su envío.

Descripción del Producto

Carbono / compuestos de carbono(en adelante denominada “C/C o CFC”Es un tipo de material compuesto basado en carbono y reforzado con fibra de carbono y sus productos (preformas de fibra de carbono). Posee tanto la inercia del carbono como la alta resistencia de la fibra de carbono. Tiene buenas propiedades mecánicas, resistencia al calor, resistencia a la corrosión, amortiguación de la fricción y características de conductividad térmica y eléctrica.

SiC CVDEl recubrimiento presenta características como una estructura uniforme, un material compacto, resistencia a altas temperaturas, resistencia a la oxidación, alta pureza, resistencia a ácidos y álcalis y a reactivos orgánicos, con propiedades físicas y químicas estables.

En comparación con los materiales de grafito de alta pureza, el grafito comienza a oxidarse a 400 °C, lo que provoca una pérdida de polvo debido a la oxidación, lo que resulta en contaminación ambiental para los dispositivos periféricos y las cámaras de vacío, y aumenta las impurezas en el entorno de alta pureza.

Sin embargo, el recubrimiento de SiC puede mantener la estabilidad física y química a 1600 grados, y se utiliza ampliamente en la industria moderna, especialmente en la industria de semiconductores.

Nuestra empresa ofrece servicios de recubrimiento de SiC mediante el método CVD sobre superficies de grafito, cerámica y otros materiales. Mediante gases especiales que contienen carbono y silicio, se obtienen moléculas de SiC de alta pureza que se depositan sobre la superficie de los materiales recubiertos, formando una capa protectora de SiC. El SiC formado se adhiere firmemente a la base de grafito, otorgándole propiedades especiales. Esto se traduce en una superficie de grafito compacta, sin porosidad, resistente a altas temperaturas, a la corrosión y a la oxidación.

 Procesamiento de recubrimiento de SiC sobre superficies de grafito mediante susceptores MOCVD

Características principales:

1. Resistencia a la oxidación a altas temperaturas:

La resistencia a la oxidación sigue siendo muy buena incluso a temperaturas tan altas como 1600 °C.

2. Alta pureza: fabricado mediante deposición química de vapor bajo condiciones de cloración a alta temperatura.

3. Resistencia a la erosión: alta dureza, superficie compacta, partículas finas.

4. Resistencia a la corrosión: ácidos, álcalis, sales y reactivos orgánicos.

 

Especificaciones principales de los recubrimientos CVD-SIC:

SiC-CVD

Densidad

(g/cc)

3.21

Resistencia a la flexión

(Mpa)

470

Expansión térmica

(10-6/K)

4

Conductividad térmica

(W/mK)

300

Imágenes detalladas

Procesamiento de recubrimiento de SiC sobre superficies de grafito mediante susceptores MOCVDProcesamiento de recubrimiento de SiC sobre superficies de grafito mediante susceptores MOCVDProcesamiento de recubrimiento de SiC sobre superficies de grafito mediante susceptores MOCVDProcesamiento de recubrimiento de SiC sobre superficies de grafito mediante susceptores MOCVDProcesamiento de recubrimiento de SiC sobre superficies de grafito mediante susceptores MOCVD

Información de la empresa

111

Equipos de fábrica

222

Depósito

333

Certificaciones

Certificaciones22

 


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