Örtmek üçin Sic Keramik Nyşana Silikon Karbid Püskürtme Nyşanasy, Sic Çybyk, mehaniki inženerçilik üçin silikon çybyk

Gysgaça düşündiriş:


Önümiň jikme-jiklikleri

Önümiň tegleri

“Hil, hyzmatlar, netijelilik we ösüş” teoriýasyna eýerip, biz IOS Certificate China 99.5% üçin ýerli we dünýä derejesinde alyjylardan ynam we öwgü aldyk.Sic Keramika NyşanyÖrtük üçin kremniý karbidiniň püskürtme nyşany, biziň esasy maksatlarymyz bütin dünýäde müşderilerimize ýokary hilli, bäsdeşlikli baha, kanagatlanarly eltip berme we ajaýyp hyzmatlar bilen üpjün etmekdir.
"Hil, hyzmatlar, netijelilik we ösüş" teoriýasyna eýerip, biz ýerli we dünýä derejesinde alyjylardan ynam we öwgü aldykHytaýyň kremniý karbidiniň püskürtme nyşany, Sic Keramika Nyşany, Häzirki wagtda biziň berk we doly hil gözegçiligi ulgamymyz bar, bu bolsa her bir önümiň müşderileriň hil talaplaryna laýyk gelmegini üpjün edýär. Mundan başga-da, ähli önümlerimiz iberilmezden öň berk barlagdan geçirildi.

Önümiň düşündirişi

Uglerod / uglerod kompozitleri(mundan beýläk “C / C ýa-da CFC”) ugleroda esaslanýan we uglerod süýümi we onuň önümleri (uglerod süýüminiň öňünden taýýarlanan önümi) bilen berkidilen kompozit materialyň bir görnüşidir. Ol uglerodyň inersiýasyna we uglerod süýüminiň ýokary berkligine eýedir. Ol gowy mehaniki häsiýetlere, ýylylyga çydamlylyga, korroziýa garşylygyna, sürtülme dempingine we ýylylyk we elektrik geçirijilik häsiýetlerine eýedir.

CVD-SiCörtük birmeňzeş gurluş, ykjam material, ýokary temperatura çydamlylygy, oksidlenme çydamlylygy, ýokary arassalyk, kislota we şekere çydamlylygy we durnukly fiziki we himiki häsiýetlere eýe bolan organiki reagent aýratynlyklaryna eýedir.

Ýokary arassa grafit materiallary bilen deňeşdirilende, grafit 400C-da oksidleşmäge başlaýar, bu bolsa oksidlenme sebäpli poroşogyň ýitmegine sebäp bolýar, bu bolsa daşky gurşawyň periferik enjamlaryna we wakuum kameralaryna hapalanmagyna we ýokary arassa gurşawyň hapaçylyklarynyň köpelmegine getirýär.

Şeýle-de bolsa, SiC örtügi 1600 gradusda fiziki we himiki durnuklylygy saklap bilýär, ol häzirki zaman senagatynda, esasanam ýarymgeçiriji senagatynda giňden ulanylýar.

Kompaniýamyz grafit, keramika we beýleki materiallaryň ýüzünde CVD usuly bilen SiC örtük proses hyzmatlaryny hödürleýär, şonuň üçin uglerod we kremniý saklaýan ýörite gazlar ýokary temperaturada reaksiýa girip, ýokary arassalykdaky SiC molekulalaryny, örtülen materiallaryň ýüzünde ýerleşdirilen molekulalary, SIC gorag gatlagyny emele getirýär. Emele gelen SIC grafit binýadyna berk baglanyp, grafit binýadyna ýörite häsiýetleri berýär, şeýlelik bilen grafitiň ýüzüni ykjam, gözenekli, ýokary temperatura çydamly, korroziýa we oksidlenme çydamly edýär.

 Grafit ýüzündäki MOCVD susseptorlarynda SiC örtügini işläp çykarmak

Esasy aýratynlyklar:

1. Ýokary temperatura oksidlenme garşylygy:

temperatura 1600 C çenli ýokary bolanda hem oksidlenme garşylygy örän gowy bolýar.

2. Ýokary arassalyk: ýokary temperatura hlorlamak şertinde himiki bug çökündisi arkaly ýasalýar.

3. Eroziýa garşylygy: ýokary gatylyk, ykjam ýüz, ownuk bölejikler.

4. Korroziýa garşylygy: kislota, aşgar, duz we organiki reagentler.

 

CVD-SIC örtükleriniň esasy aýratynlyklary:

SiC-CVD

Dykyzlyk

(g/cc)

3.21

Bükülme güýji

(Mpa)

470

Termal giňelme

(10-6/K)

4

Ýylylyk geçirijiligi

(W/mK)

300

Jikme-jik suratlar

Grafit ýüzündäki MOCVD susseptorlarynda SiC örtügini işläp çykarmakGrafit ýüzündäki MOCVD susseptorlarynda SiC örtügini işläp çykarmakGrafit ýüzündäki MOCVD susseptorlarynda SiC örtügini işläp çykarmakGrafit ýüzündäki MOCVD susseptorlarynda SiC örtügini işläp çykarmakGrafit ýüzündäki MOCVD susseptorlarynda SiC örtügini işläp çykarmak

Kompaniýa maglumatlary

111

Zawodyň enjamlary

222

Ambar

333

Sertifikatlar

Sertifikatlar22

 


  • Öňki:
  • Indiki:

  • WhatsApp-da onlaýn söhbetdeşlik!