A „minőség, szolgáltatások, teljesítmény és növekedés” elméletét követve bizalmat és dicséretet kaptunk a hazai és a világméretű vásárlóktól az IOS Certificate China 99,5%-os minőségéért.Sic kerámia célpontSzilícium-karbid porlasztási célpont bevonathoz. Fő célunk, hogy világszerte jó minőségű, versenyképes árat, elégedett szállítást és kiváló szolgáltatásokat nyújtsunk ügyfeleinknek.
A „minőség, szolgáltatások, teljesítmény és növekedés” elméletét követve bizalmat és dicséretet kaptunk a hazai és a világ minden tájáról érkező vásárlóktólKínai szilícium-karbid porlasztási célpont, Sic kerámia célpontSzigorú és teljes körű minőségellenőrzési rendszerrel rendelkezünk, amely biztosítja, hogy minden termék megfeleljen az ügyfelek minőségi követelményeinek. Emellett minden termékünket szigorúan ellenőriztük a szállítás előtt.
Szén / szén kompozitok(a továbbiakban: „C / C vagy CFC”) egyfajta szén alapú kompozit anyag, amelyet szénszállal és annak termékeivel (szénszál előgyártmány) erősítenek meg. Rendelkezik a szén tehetetlenségével és a szénszál nagy szilárdságával. Jó mechanikai tulajdonságokkal, hőállósággal, korrózióállósággal, súrlódáscsillapítással, valamint hő- és elektromos vezetőképességgel rendelkezik.
CVD-SiCA bevonat egyenletes szerkezetű, kompakt anyagú, magas hőmérséklettel szemben ellenálló, oxidációs ellenállású, nagy tisztaságú, sav- és lúgálló, szerves reagensekkel szemben ellenálló, stabil fizikai és kémiai tulajdonságokkal rendelkezik.
A nagy tisztaságú grafit anyagokkal összehasonlítva a grafit 400°C-on oxidálódni kezd, ami az oxidáció miatt porveszteséget okoz, ami környezetszennyezést okoz a perifériás eszközökben és a vákuumkamrákban, és növeli a nagy tisztaságú környezet szennyeződéseit.
A SiC bevonat azonban 1600 fokon is képes fizikai és kémiai stabilitást fenntartani, ezért széles körben használják a modern iparban, különösen a félvezetőiparban.
Cégünk CVD módszerrel végez SiC bevonatolási eljárást grafit, kerámiák és egyéb anyagok felületén, melynek során speciális, szenet és szilíciumot tartalmazó gázok magas hőmérsékleten reagálva nagy tisztaságú SiC molekulákat hoznak létre, amelyek a bevont anyagok felületére rakódnak le, SIC védőréteget képezve. A képződött SIC szilárdan kötődik a grafit alaphoz, különleges tulajdonságokat kölcsönözve a grafit alapnak, így a grafit felülete tömör, porozitásmentes, magas hőmérsékletnek ellenálló, korrózióálló és oxidációálló.
Főbb jellemzők:
1. Magas hőmérsékletű oxidációs ellenállás:
Az oxidációs ellenállás még 1600 °C hőmérsékleten is nagyon jó.
2. Nagy tisztaságú: kémiai gőzfázisú leválasztással, magas hőmérsékletű klórozási körülmények között állítják elő.
3. Erózióállóság: nagy keménység, tömör felület, finom részecskék.
4. Korrózióállóság: sav, lúg, só és szerves reagensek.
A CVD-SIC bevonatok főbb jellemzői:
| SiC-CVD | ||
| Sűrűség | (g/cm³)
| 3.21 |
| Hajlító szilárdság | (MPa)
| 470 |
| Hőtágulás | (10-6/Ó) | 4
|
| Hővezető képesség | (W/mK) | 300
|
