कोटिंग के लिए सिलिकॉन कार्बाइड स्पटरिंग टारगेट, सिलिकॉन कार्बाइड सिरेमिक टारगेट, सिलिकॉन रॉड, मैकेनिकल इंजीनियरिंग के लिए सिलिकॉन रॉड

संक्षिप्त वर्णन:


उत्पाद विवरण

उत्पाद टैग

"गुणवत्ता, सेवा, प्रदर्शन और विकास" के सिद्धांत का पालन करते हुए, हमने घरेलू और वैश्विक ग्राहकों से IOS सर्टिफिकेट चाइना 99.5% के लिए विश्वास और प्रशंसा प्राप्त की है।सिक सिरेमिक लक्ष्यकोटिंग के लिए सिलिकॉन कार्बाइड स्पटरिंग टारगेट। हमारा मुख्य उद्देश्य दुनिया भर में अपने ग्राहकों को अच्छी गुणवत्ता, प्रतिस्पर्धी मूल्य, संतोषजनक डिलीवरी और उत्कृष्ट सेवाएं प्रदान करना है।
"गुणवत्ता, सेवा, प्रदर्शन और विकास" के सिद्धांत का पालन करते हुए, हमने घरेलू और वैश्विक ग्राहकों से विश्वास और प्रशंसा प्राप्त की है।चीन सिलिकॉन कार्बाइड स्पटरिंग लक्ष्य, सिक सिरेमिक लक्ष्यअब हमारे पास एक सख्त और व्यापक गुणवत्ता नियंत्रण प्रणाली है, जो यह सुनिश्चित करती है कि प्रत्येक उत्पाद ग्राहकों की गुणवत्ता संबंधी आवश्यकताओं को पूरा करे। इसके अलावा, हमारे सभी उत्पादों की शिपमेंट से पहले कड़ी जांच की जाती है।

उत्पाद वर्णन

कार्बन / कार्बन मिश्रित पदार्थ(इसके बाद इस रूप में संदर्भित "सी/सी या सीएफसीकार्बन फाइबर और उसके उत्पादों (कार्बन फाइबर प्रीफॉर्म) द्वारा प्रबलित कार्बन आधारित एक प्रकार का मिश्रित पदार्थ है। इसमें कार्बन की जड़ता और कार्बन फाइबर की उच्च शक्ति दोनों गुण मौजूद हैं। इसमें अच्छे यांत्रिक गुण, ताप प्रतिरोध, संक्षारण प्रतिरोध, घर्षण अवमंदन और ऊष्मीय एवं विद्युत चालकता की विशेषताएं हैं।

सीवीडी-एसआईसीकोटिंग में एकसमान संरचना, सघन सामग्री, उच्च तापमान प्रतिरोध, ऑक्सीकरण प्रतिरोध, उच्च शुद्धता, अम्ल और क्षार प्रतिरोध तथा कार्बनिक अभिकर्मक प्रतिरोध जैसी विशेषताएं होती हैं, साथ ही इसके भौतिक और रासायनिक गुण स्थिर होते हैं।

उच्च शुद्धता वाले ग्रेफाइट पदार्थों की तुलना में, ग्रेफाइट 400 डिग्री सेल्सियस पर ऑक्सीकृत होना शुरू हो जाता है, जिससे ऑक्सीकरण के कारण पाउडर का नुकसान होता है, जिसके परिणामस्वरूप आसपास के उपकरणों और वैक्यूम कक्षों में पर्यावरणीय प्रदूषण होता है, और उच्च शुद्धता वाले वातावरण में अशुद्धियाँ बढ़ जाती हैं।

हालांकि, SiC कोटिंग 1600 डिग्री सेल्सियस पर भौतिक और रासायनिक स्थिरता बनाए रख सकती है, इसलिए इसका व्यापक रूप से आधुनिक उद्योग में, विशेष रूप से अर्धचालक उद्योग में उपयोग किया जाता है।

हमारी कंपनी ग्रेफाइट, सिरेमिक और अन्य सामग्रियों की सतह पर सीवीडी विधि द्वारा SiC कोटिंग प्रक्रिया सेवाएं प्रदान करती है। इस प्रक्रिया में कार्बन और सिलिकॉन युक्त विशेष गैसें उच्च तापमान पर प्रतिक्रिया करके उच्च शुद्धता वाले SiC अणु बनाती हैं। ये अणु लेपित सामग्रियों की सतह पर जमा होकर SiC सुरक्षात्मक परत का निर्माण करते हैं। निर्मित SiC ग्रेफाइट बेस से मजबूती से जुड़ जाता है, जिससे ग्रेफाइट बेस को विशेष गुण प्राप्त होते हैं। इस प्रकार, ग्रेफाइट की सतह सघन, छिद्ररहित, उच्च तापमान प्रतिरोधी, संक्षारण प्रतिरोधी और ऑक्सीकरण प्रतिरोधी बन जाती है।

 ग्रेफाइट सतह पर SiC कोटिंग प्रसंस्करण (MOCVD विधि द्वारा)

मुख्य विशेषताएं:

1. उच्च तापमान ऑक्सीकरण प्रतिरोध:

1600 डिग्री सेल्सियस तक के उच्च तापमान पर भी इसकी ऑक्सीकरण प्रतिरोधक क्षमता बहुत अच्छी रहती है।

2. उच्च शुद्धता: उच्च तापमान क्लोरीनीकरण की स्थिति में रासायनिक वाष्प निक्षेपण द्वारा निर्मित।

3. क्षरण प्रतिरोध: उच्च कठोरता, सघन सतह, महीन कण।

4. संक्षारण प्रतिरोध: अम्ल, क्षार, लवण और कार्बनिक अभिकर्मकों के प्रति प्रतिरोध।

 

सीवीडी-एसआईसी कोटिंग्स की मुख्य विशिष्टताएँ:

SiC-CVD

घनत्व

(जी/सीसी)

3.21

आनमनी सार्मथ्य

(एमपीए)

470

थर्मल विस्तार

(10-6/के)

4

ऊष्मीय चालकता

(W/mK)

300

विस्तृत चित्र

ग्रेफाइट सतह पर SiC कोटिंग प्रसंस्करण (MOCVD विधि द्वारा)ग्रेफाइट सतह पर SiC कोटिंग प्रसंस्करण (MOCVD विधि द्वारा)ग्रेफाइट सतह पर SiC कोटिंग प्रसंस्करण (MOCVD विधि द्वारा)ग्रेफाइट सतह पर SiC कोटिंग प्रसंस्करण (MOCVD विधि द्वारा)ग्रेफाइट सतह पर SiC कोटिंग प्रसंस्करण (MOCVD विधि द्वारा)

कारखाना की जानकारी

111

कारखाने के उपकरण

222

गोदाम

333

प्रमाणपत्र

प्रमाणपत्र22

 


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