Berpegang pada teori “kualitas, layanan, kinerja dan pertumbuhan”, kami telah menerima kepercayaan dan pujian dari pembeli domestik dan dunia untuk Sertifikat IOS China 99,5%Target Keramik SicTarget Sputtering Karbida Silikon untuk Pelapisan, Tujuan utama kami adalah menyediakan kualitas yang baik, harga yang kompetitif, pengiriman yang memuaskan, dan layanan yang sangat baik kepada pelanggan kami di seluruh dunia.
Berpegang pada teori “kualitas, layanan, kinerja dan pertumbuhan”, kami telah menerima kepercayaan dan pujian dari pembeli domestik dan dunia atasSasaran Sputtering Karbida Silikon Tiongkok, Target Keramik Sic, Kami kini memiliki sistem kontrol kualitas yang ketat dan lengkap, yang memastikan bahwa setiap produk dapat memenuhi persyaratan kualitas pelanggan. Selain itu, semua barang kami telah diperiksa secara ketat sebelum pengiriman.
Karbon / komposit karbon(selanjutnya disebut "C/C atau CFC”) adalah sejenis material komposit yang berbahan dasar karbon dan diperkuat oleh serat karbon dan produk-produknya (preform serat karbon). Material ini memiliki kelembaman karbon dan kekuatan serat karbon yang tinggi. Material ini memiliki sifat mekanik yang baik, tahan panas, tahan korosi, peredam gesekan, serta karakteristik konduktivitas termal dan listrik.
CVD-SiCpelapis memiliki karakteristik struktur seragam, bahan padat, tahan suhu tinggi, tahan oksidasi, kemurnian tinggi, tahan asam & basa dan reagen organik, dengan sifat fisik dan kimia yang stabil.
Dibandingkan dengan bahan grafit dengan kemurnian tinggi, grafit mulai teroksidasi pada suhu 400C, yang akan menyebabkan hilangnya bubuk karena oksidasi, mengakibatkan pencemaran lingkungan pada perangkat periferal dan ruang vakum, serta meningkatkan kotoran di lingkungan dengan kemurnian tinggi.
Namun, lapisan SiC dapat mempertahankan kestabilan fisika dan kimia pada suhu 1600 derajat. Lapisan ini banyak digunakan dalam industri modern, terutama industri semikonduktor.
Perusahaan kami menyediakan layanan proses pelapisan SiC dengan metode CVD pada permukaan grafit, keramik, dan material lainnya, sehingga gas khusus yang mengandung karbon dan silikon bereaksi pada suhu tinggi untuk memperoleh molekul SiC dengan kemurnian tinggi, molekul tersebut diendapkan pada permukaan material yang dilapisi, membentuk lapisan pelindung SIC. SIC yang terbentuk terikat kuat pada dasar grafit, sehingga memberikan sifat khusus pada dasar grafit, sehingga membuat permukaan grafit menjadi padat, bebas porositas, tahan suhu tinggi, tahan korosi, dan tahan oksidasi.
Fitur utama:
1. Tahan terhadap oksidasi suhu tinggi:
ketahanan oksidasi masih sangat baik ketika suhu mencapai 1600 C.
2. Kemurnian tinggi: dibuat melalui deposisi uap kimia di bawah kondisi klorinasi suhu tinggi.
3. Tahan erosi: kekerasan tinggi, permukaan padat, partikel halus.
4. Tahan terhadap korosi: asam, alkali, garam dan reagen organik.
Spesifikasi Utama Pelapis CVD-SIC:
| SiC-CVD | ||
| Kepadatan | (gram/cc)
| 3.21 |
| Kekuatan lentur | (Mpa)
| 470 |
| Ekspansi termal | (10-6/TK) | 4
|
| Konduktivitas termal | (W/mK) | 300
|
