Dengan berpegang teguh pada teori “kualitas, layanan, kinerja, dan pertumbuhan”, kami telah menerima kepercayaan dan pujian dari pembeli domestik dan internasional untuk Sertifikat IOS China 99,5%.Target Keramik SicTarget Sputtering Silikon Karbida untuk Pelapisan, Tujuan utama kami adalah untuk menyediakan pelanggan kami di seluruh dunia dengan kualitas yang baik, harga yang kompetitif, pengiriman yang memuaskan, dan layanan yang prima.
Dengan berpegang teguh pada teori “kualitas, layanan, kinerja, dan pertumbuhan”, kami telah menerima kepercayaan dan pujian dari pembeli domestik dan internasional atasTarget Sputtering Silikon Karbida China, Target Keramik SicSaat ini kami memiliki sistem kontrol kualitas yang ketat dan lengkap, yang memastikan bahwa setiap produk dapat memenuhi persyaratan kualitas pelanggan. Selain itu, semua barang kami telah diperiksa secara ketat sebelum pengiriman.
Karbon / komposit karbon(selanjutnya disebut "C/C atau CFC”(Karbon komposit) adalah jenis material komposit yang berbasis karbon dan diperkuat oleh serat karbon dan produk-produknya (preform serat karbon). Material ini memiliki inersia karbon dan kekuatan tinggi serat karbon. Ia memiliki sifat mekanik yang baik, ketahanan panas, ketahanan korosi, peredaman gesekan, serta karakteristik konduktivitas termal dan listrik.
CVD-SiCLapisan ini memiliki karakteristik struktur seragam, material padat, tahan suhu tinggi, tahan oksidasi, kemurnian tinggi, tahan asam & basa, serta tahan terhadap reagen organik, dengan sifat fisik dan kimia yang stabil.
Dibandingkan dengan material grafit kemurnian tinggi, grafit mulai teroksidasi pada suhu 400°C, yang akan menyebabkan hilangnya serbuk akibat oksidasi, mengakibatkan pencemaran lingkungan pada perangkat periferal dan ruang vakum, serta meningkatkan pengotor di lingkungan dengan kemurnian tinggi.
Namun, lapisan SiC dapat mempertahankan stabilitas fisik dan kimia pada suhu 1600 derajat, dan banyak digunakan dalam industri modern, terutama dalam industri semikonduktor.
Perusahaan kami menyediakan layanan proses pelapisan SiC dengan metode CVD pada permukaan grafit, keramik, dan material lainnya. Gas khusus yang mengandung karbon dan silikon bereaksi pada suhu tinggi untuk mendapatkan molekul SiC dengan kemurnian tinggi. Molekul-molekul tersebut kemudian diendapkan pada permukaan material yang dilapisi, membentuk lapisan pelindung SiC. SiC yang terbentuk terikat kuat pada dasar grafit, memberikan sifat khusus pada dasar grafit, sehingga membuat permukaan grafit menjadi padat, bebas pori, tahan suhu tinggi, tahan korosi, dan tahan oksidasi.
Fitur utama:
1. Ketahanan oksidasi suhu tinggi:
Ketahanan terhadap oksidasi masih sangat baik bahkan pada suhu setinggi 1600 C.
2. Kemurnian tinggi: dibuat dengan pengendapan uap kimia di bawah kondisi klorinasi suhu tinggi.
3. Ketahanan terhadap erosi: kekerasan tinggi, permukaan padat, partikel halus.
4. Ketahanan terhadap korosi: asam, alkali, garam, dan reagen organik.
Spesifikasi Utama Lapisan CVD-SIC:
| SiC-CVD | ||
| Kepadatan | (g/cc)
| 3.21 |
| Kekuatan lentur | (Mpa)
| 470 |
| Ekspansi termal | (10-6/K) | 4
|
| Konduktivitas termal | (W/mK) | 300
|
