Berpegang teguh pada teori "kualiti, perkhidmatan, prestasi dan pertumbuhan", kami telah menerima kepercayaan dan pujian daripada pembeli domestik dan seluruh dunia untuk Sijil IOS China 99.5%.Sasaran Seramik SicSasaran Percikan Silikon Karbida untuk Salutan, Objektif utama kami adalah untuk menyediakan pelanggan kami di seluruh dunia dengan kualiti yang baik, harga yang kompetitif, penghantaran yang memuaskan dan perkhidmatan yang cemerlang.
Berpegang teguh pada teori "kualiti, perkhidmatan, prestasi dan pertumbuhan", kami telah menerima kepercayaan dan pujian daripada pembeli domestik dan seluruh dunia untukSasaran Percikan Silikon Karbida China, Sasaran Seramik Sic, Kami kini mempunyai sistem kawalan kualiti yang ketat dan lengkap, yang memastikan setiap produk dapat memenuhi keperluan kualiti pelanggan. Selain itu, semua barang kami telah diperiksa dengan ketat sebelum penghantaran.
Komposit karbon / karbon(selepas ini dirujuk sebagai “C / C atau CFC”) ialah sejenis bahan komposit yang berasaskan karbon dan diperkukuh oleh gentian karbon dan produknya (serat karbon prabentuk). Ia mempunyai inersia karbon dan kekuatan gentian karbon yang tinggi. Ia mempunyai sifat mekanikal, rintangan haba, rintangan kakisan, redaman geseran dan ciri-ciri kekonduksian terma dan elektrik yang baik.
CVD-SiCSalutan mempunyai ciri-ciri struktur seragam, bahan padat, rintangan suhu tinggi, rintangan pengoksidaan, ketulenan tinggi, rintangan asid & alkali dan reagen organik, dengan sifat fizikal dan kimia yang stabil.
Berbanding dengan bahan grafit berketulenan tinggi, grafit mula teroksida pada suhu 400°C, yang akan menyebabkan kehilangan serbuk akibat pengoksidaan, mengakibatkan pencemaran alam sekitar pada peranti periferal dan ruang vakum, dan meningkatkan kekotoran persekitaran berketulenan tinggi.
Walau bagaimanapun, salutan SiC boleh mengekalkan kestabilan fizikal dan kimia pada 1600 darjah, Ia digunakan secara meluas dalam industri moden, terutamanya dalam industri semikonduktor.
Syarikat kami menyediakan perkhidmatan proses salutan SiC melalui kaedah CVD pada permukaan grafit, seramik dan bahan lain, supaya gas khas yang mengandungi karbon dan silikon bertindak balas pada suhu tinggi untuk mendapatkan molekul SiC ketulenan tinggi, molekul yang termendap pada permukaan bahan bersalut, membentuk lapisan pelindung SIC. SIC yang terbentuk terikat kuat pada asas grafit, memberikan sifat khas asas grafit, sekali gus menjadikan permukaan grafit padat, bebas keliangan, tahan suhu tinggi, tahan kakisan dan tahan pengoksidaan.
Ciri-ciri utama:
1. Rintangan pengoksidaan suhu tinggi:
Rintangan pengoksidaan masih sangat baik apabila suhu setinggi 1600 C.
2. Ketulenan tinggi: dihasilkan melalui pemendapan wap kimia di bawah keadaan pengklorinan suhu tinggi.
3. Rintangan hakisan: kekerasan tinggi, permukaan padat, zarah halus.
4. Rintangan kakisan: reagen asid, alkali, garam dan organik.
Spesifikasi Utama Salutan CVD-SIC:
| SiC-CVD | ||
| Ketumpatan | (g/cc)
| 3.21 |
| Kekuatan lenturan | (Mpa)
| 470 |
| Pengembangan haba | (10-6/K) | 4
|
| Kekonduksian terma | (W/mK) | 300
|
