Mir halen eis un d'Theorie vun "Qualitéit, Servicer, Leeschtung a Wuesstem" a kruten Vertrauen a Luef vun nationalen a weltwäite Keefer fir den IOS Zertifikat China 99,5%Sic Keramik ZilSiliziumkarbid-Sputterziel fir Beschichtung, Eis Haaptziler sinn et, eise Clienten weltwäit mat gudder Qualitéit, kompetitive Präisser, zefriddener Liwwerung an exzellente Servicer ze bidden.
Mir halen eis un d'Theorie vu "Qualitéit, Servicer, Leeschtung a Wuesstem" a mir hunn Vertrauen a Luef vun nationalen a weltwäite Keefer kritt.China Siliziumkarbid Sputtering Zil, Sic Keramik ZilMir hunn elo e strikt a komplett Qualitéitskontrollsystem, dat garantéiert, datt all Produkt d'Qualitéitsufuerderunge vun de Clienten erfëllt. Ausserdeem goufen all eis Artikelen virum Versand streng iwwerpréift.
Kuelestoff / Kuelestoffkompositen(weiderhin als "C / C oder FCKW) ass eng Zort Kompositmaterial, dat op Kuelestoff baséiert a mat Kuelefaser a senge Produkter (Kuelefaser-Präform) verstäerkt ass. Et huet souwuel d'Inertie vu Kuelestoff wéi och déi héich Stäerkt vu Kuelefaser. Et huet gutt mechanesch Eegeschaften, Hëtztbeständegkeet, Korrosiounsbeständegkeet, Reibungsdämpfung a gutt thermesch an elektresch Leetfäegkeetseigenschaften.
CVD-SiCD'Beschichtung huet d'Charakteristike vun enger eenheetlecher Struktur, engem kompakten Material, héijer Temperaturbeständegkeet, Oxidatiounsbeständegkeet, héijer Rengheet, Säure- a Alkaliresistenz an organesche Reagenzien, mat stabile physikaleschen a chemeschen Eegeschaften.
Am Verglach mat héichreine Graphitmaterialien fänkt Graphit bei 400°C un ze oxidéieren, wat zu engem Pulververloscht duerch Oxidatioun féiert, wat zu Ëmweltverschmotzung vun Peripheriegeräter a Vakuumkammeren féiert, an d'Onreinheeten an der héichreiner Ëmwelt erhéicht.
Wéi och ëmmer, kann d'SiC-Beschichtung physikalesch a chemesch Stabilitéit bei 1600 Grad behalen, si gëtt wäit an der moderner Industrie benotzt, besonnesch an der Hallefleederindustrie.
Eis Firma bitt SiC-Beschichtungsprozessdéngschter mat der CVD-Method op der Uewerfläch vu Graphit, Keramik an aner Materialien un, sou datt speziell Gaser, déi Kuelestoff a Silizium enthalen, bei héijer Temperatur reagéieren, fir héichreine SiC-Moleküle ze kréien, déi sech op der Uewerfläch vun de beschichtete Materialien ofsetzen an doduerch eng SIC-Schutzschicht bilden. Déi entstane SIC ass fest un d'Graphitbasis gebonnen, wat der Graphitbasis speziell Eegeschafte gëtt, wouduerch d'Uewerfläch vum Graphit kompakt, porositéitsfräi, héichtemperaturbeständeg, korrosiounsbeständeg an oxidationsbeständeg ass.
Haaptmerkmale:
1. Oxidatiounsbeständegkeet bei héijen Temperaturen:
D'Oxidatiounsbeständegkeet ass ëmmer nach ganz gutt bei Temperaturen bis zu 1600 °C.
2. Héich Rengheet: duerch chemesch Gasoflagerung ënner héijer Temperaturchloréierungsbedingung hiergestallt.
3. Erosiounsbeständegkeet: héich Häert, kompakt Uewerfläch, fein Partikelen.
4. Korrosiounsbeständegkeet: Säure, Alkali, Salz an organesch Reagenzien.
Haaptspezifikatioune vu CVD-SIC Beschichtungen:
| SiC-CVD | ||
| Dicht | (g/cc)
| 3.21 |
| Biegefestigkeit | (Mpa)
| 470 |
| Thermesch Expansioun | (10-6/K) | 4
|
| Wärmeleitfäegkeet | (W/mK) | 300
|
