Pagpapakilala ngSilikon na Karbida
Ang Silicon carbide (SIC) ay may densidad na 3.2g/cm3. Ang natural na silicon carbide ay napakabihirang at pangunahing na-synthesize sa pamamagitan ng artipisyal na pamamaraan. Ayon sa iba't ibang klasipikasyon ng istruktura ng kristal, ang silicon carbide ay maaaring hatiin sa dalawang kategorya: α SiC at β SiC. Ang ikatlong henerasyon ng semiconductor na kinakatawan ng silicon carbide (SIC) ay may mataas na frequency, mataas na kahusayan, mataas na lakas, resistensya sa mataas na presyon, resistensya sa mataas na temperatura at malakas na resistensya sa radiation. Ito ay angkop para sa mga pangunahing estratehikong pangangailangan ng pagtitipid ng enerhiya at pagbabawas ng emisyon, matalinong pagmamanupaktura at seguridad ng impormasyon. Ito ay upang suportahan ang malayang inobasyon at pag-unlad at pagbabago ng bagong henerasyon ng mobile communication, mga bagong sasakyan ng enerhiya, mga high-speed rail train, enerhiya Internet at iba pang mga industriya. Ang mga na-upgrade na pangunahing materyales at elektronikong bahagi ay naging pokus ng pandaigdigang teknolohiya ng semiconductor at kompetisyon sa industriya. Sa 2020, ang pandaigdigang padron ng ekonomiya at kalakalan ay nasa isang panahon ng pagbabago, at ang panloob at panlabas na kapaligiran ng ekonomiya ng Tsina ay mas kumplikado at matindi, ngunit ang industriya ng ikatlong henerasyon ng semiconductor sa mundo ay lumalaki laban sa trend. Kailangang kilalanin na ang industriya ng silicon carbide ay pumasok sa isang bagong yugto ng pag-unlad.
Silikon karbidaaplikasyon
Ang aplikasyon ng silicon carbide sa industriya ng semiconductor ay pangunahing kinabibilangan ng silicon carbide high purity powder, single crystal substrate, epitaxial, power device, module packaging at terminal application, atbp.
1. Ang single crystal substrate ay ang support material, conductive material, at epitaxial growth substrate ng semiconductor. Sa kasalukuyan, ang mga paraan ng paglaki ng SiC single crystal ay kinabibilangan ng physical gas transfer (PVT), liquid phase (LPE), high temperature chemical vapor deposition (htcvd) at iba pa. 2. Ang epitaxial silicon carbide epitaxial sheet ay tumutukoy sa paglaki ng isang single crystal film (epitaxial layer) na may ilang partikular na pangangailangan at parehong oryentasyon gaya ng substrate. Sa praktikal na aplikasyon, ang mga wide band gap semiconductor device ay halos lahat ay nasa epitaxial layer, at ang mga silicon carbide chip mismo ay ginagamit lamang bilang substrate, kabilang ang mga Gan epitaxial layer.
3. mataas na kadalisayanSiCAng pulbos ay isang hilaw na materyal para sa pagpapatubo ng silicon carbide single crystal sa pamamagitan ng pamamaraang PVT. Ang kadalisayan ng produkto nito ay direktang nakakaapekto sa kalidad ng pagpapatubo at mga katangiang elektrikal ng SiC single crystal.
4. Ang aparatong pang-kuryente ay gawa sa silicon carbide, na may mga katangian ng resistensya sa mataas na temperatura, mataas na frequency at mataas na kahusayan. Ayon sa anyo ng aparato,SiCAng mga aparatong pang-kapangyarihan ay pangunahing kinabibilangan ng mga power diode at mga tubo ng switch ng kuryente.
5. Sa aplikasyon ng ikatlong henerasyon ng semiconductor, ang mga bentahe ng pangwakas na aplikasyon ay maaari silang umakma sa GaN semiconductor. Dahil sa mga bentahe ng mataas na kahusayan sa conversion, mababang katangian ng pag-init at magaan na mga aparatong SiC, ang demand ng downstream na industriya ay patuloy na tumataas, na may trend ng pagpapalit ng mga aparatong SiO2. Ang kasalukuyang sitwasyon ng pag-unlad ng merkado ng silicon carbide ay patuloy na umuunlad. Nangunguna ang silicone carbide sa aplikasyon ng merkado ng pag-unlad ng ikatlong henerasyon ng semiconductor. Ang mga produktong semiconductor ng ikatlong henerasyon ay mas mabilis na nakapasok, ang mga larangan ng aplikasyon ay patuloy na lumalawak, at ang merkado ay mabilis na lumalaki kasabay ng pag-unlad ng mga elektronikong sasakyan, 5g na komunikasyon, mabilis na pag-charge ng power supply at aplikasyong militar.
Oras ng pag-post: Mar-16-2021