Iṣẹju mẹta lati kọ ẹkọ nipa silicon carbide (SIC)

Ifihan tiSilikoni Kabọidi

Silikoni carbide (SIC) ní ìwọ̀n tó tó 3.2g/cm3. Silikoni carbide adayeba ṣọ̀wọ́n gan-an, a sì máa ń ṣe é nípa lílo ọ̀nà àtọwọ́dá. Gẹ́gẹ́ bí ìyàsọ́tọ̀ tó yàtọ̀ síra ti ìṣètò kirisita, a lè pín silikoni carbide sí ẹ̀ka méjì: α SiC àti β SiC. Ìran kẹta semiconductor tí silicon carbide (SIC) dúró fún ní ìgbàlódé gíga, iṣẹ́ tó ga, agbára gíga, ìdènà titẹ gíga, ìdènà otutu gíga àti ìdènà ìtànṣán tó lágbára. Ó yẹ fún àwọn àìní pàtàkì ti ìpamọ́ agbára àti ìdínkù ìtújáde, iṣẹ́ ọnà tó ní ọgbọ́n àti ààbò ìwífún. Ó jẹ́ láti ṣètìlẹ́yìn fún ìṣẹ̀dá àti ìdàgbàsókè òmìnira àti ìyípadà ìbánisọ̀rọ̀ alágbékalẹ̀ tuntun, àwọn ọkọ̀ ayọ́kẹ́lẹ́ agbára tuntun, àwọn ọkọ̀ ojú irin oníyàrá gíga, Íńtánẹ́ẹ̀tì agbára àti àwọn ilé iṣẹ́ mìíràn. Àwọn ohun èlò pàtàkì tí a ti mú sunwọ̀n síi àti àwọn ohun èlò ẹ̀rọ itanna ti di àfiyèsí ìmọ̀-ẹ̀rọ semiconductor kárí ayé àti ìdíje ilé iṣẹ́. Ní ọdún 2020, ètò ọrọ̀-ajé àti ìṣòwò kárí ayé wà ní àkókò àtúnṣe, àti àyíká inú àti òde ti ọrọ̀-ajé China túbọ̀ le koko síi, ṣùgbọ́n ilé iṣẹ́ semiconductor ìran kẹta ní àgbáyé ń dàgbàsókè lòdì sí àṣà náà. Ó yẹ kí a mọ̀ pé ilé iṣẹ́ silicon carbide ti wọ ìpele ìdàgbàsókè tuntun.

Silikoni kabọidiohun elo

Ohun elo silikoni carbide ninu ile-iṣẹ semikondokito silikoni carbide semikondokito ile-iṣẹ pq pataki pẹlu lulú mimọ giga silikoni carbide, ipilẹ kristali kan ṣoṣo, epitaxial, ẹrọ agbara, apoti modulu ati ohun elo ebute, ati bẹbẹ lọ

1. Ohun èlò ìpìlẹ̀ kirisita kan ṣoṣo ni ohun èlò ìrànwọ́, ohun èlò ìdarí àti ohun èlò ìdàgbàsókè epitaxial ti semiconductor. Lọ́wọ́lọ́wọ́, àwọn ọ̀nà ìdàgbàsókè ti kirisita kan ṣoṣo ti SiC ní ìgbéjáde gaasi ti ara (PVT), ìpele omi (LPE), ìdènà ooru kemikali ti o ga ni iwọn otutu (htcvd) àti bẹ́ẹ̀ bẹ́ẹ̀ lọ. 2. ìwé epitaxial silicon carbide epitaxial tọ́ka sí ìdàgbàsókè ti fíìmù kirisita kan ṣoṣo (epitaxial layer) pẹ̀lú àwọn ohun kan pàtó àti ìtọ́sọ́nà kan náà gẹ́gẹ́ bí substrate. Nínú lílo ohun èlò, àwọn ẹ̀rọ semiconductor gap wide band ló fẹ́rẹ̀ẹ́ wà lórí epitaxial layer, àti pé àwọn chips silicon carbide fúnra wọn ni a ń lò gẹ́gẹ́ bí substrate nìkan, títí kan àwọn fẹlẹfẹlẹ Gan epitaxial.

3. mímọ́ gaSiCLúùtù jẹ́ ohun èlò aise fún ìdàgbàsókè sílíkọ́nì carbide kan ṣoṣo nípasẹ̀ ọ̀nà PVT. Ìmọ́tótó ọjà rẹ̀ ní ipa taara lórí dídára ìdàgbàsókè àti àwọn ànímọ́ iná mànàmáná ti sílíkọ́nì kan ṣoṣo ti SiC.

4. A fi silicon carbide ṣe ẹ̀rọ agbára náà, èyí tí ó ní àwọn ànímọ́ bíi resistance otutu gíga, igbohunsafẹfẹ giga ati ṣiṣe daradara gíga. Gẹ́gẹ́ bí ìrísí iṣẹ́ ẹ̀rọ náà,SiCÀwọn ẹ̀rọ agbára ní àwọn diódì agbára àti àwọn páìpù ìyípadà agbára.

5. Nínú ìlò semiconductor ìran kẹta, àwọn àǹfààní ìlò ìparí ni pé wọ́n lè ṣe àfikún semiconductor GaN. Nítorí àwọn àǹfààní ti ìyípadà gíga, àwọn ànímọ́ ìgbóná tí kò pọ̀ àti ìwọ̀n fúyẹ́ ti àwọn ẹ̀rọ SiC, ìbéèrè ti ilé iṣẹ́ ìsàlẹ̀ ń tẹ̀síwájú láti pọ̀ sí i, èyí tí ó ní àṣà láti rọ́pò àwọn ẹ̀rọ SiO2. Ipò ìdàgbàsókè ọjà silicon carbide lọ́wọ́lọ́wọ́ ń dàgbàsókè nígbà gbogbo. Silicon carbide ń ṣáájú ìlò ọjà idagbasoke semiconductor ìran kẹta. Àwọn ọjà semiconductor ìran kẹta ti wọ inú rẹ̀ kíákíá, àwọn pápá ìlò náà ń fẹ̀ sí i nígbà gbogbo, ọjà náà sì ń dàgbàsókè kíákíá pẹ̀lú ìdàgbàsókè ti ẹ̀rọ itanna ọkọ̀ ayọ́kẹ́lẹ́, ìbánisọ̀rọ̀ 5g, ìpèsè agbára gbígbà kíákíá àti ìlò ológun.