Ro-ràdhCarbaid Shilicon
Tha dùmhlachd de 3.2g/cm3 aig silicon carbide (SIC). Tha silicon carbide nàdarrach gu math tearc agus tha e air a cho-chur sa mhòr-chuid le dòigh fuadain. A rèir an seòrsachadh eadar-dhealaichte de structar criostail, faodar silicon carbide a roinn ann an dà roinn: α SiC agus β SiC. Tha tricead àrd, èifeachdas àrd, cumhachd àrd, strì an aghaidh cuideam àrd, strì an aghaidh teòthachd àrd agus strì an aghaidh rèididheachd làidir aig an treas ginealach leth-chonnsachaidh air a riochdachadh le silicon carbide (SIC). Tha e freagarrach airson prìomh fheumalachdan ro-innleachdail glèidhteachas lùtha agus lughdachadh sgaoilidhean, saothrachadh tuigseach agus tèarainteachd fiosrachaidh. Tha e gus taic a thoirt do ùr-ghnàthachadh neo-eisimeileach agus leasachadh agus cruth-atharrachadh conaltradh gluasadach ginealach ùr, carbadan lùtha ùra, trèanaichean rèile àrd-astar, eadar-lìn lùtha agus gnìomhachasan eile. Tha na prìomh stuthan ùraichte agus na co-phàirtean dealanach air a bhith nam prìomh fhòcas air teicneòlas leth-chonnsachaidh cruinneil agus farpais gnìomhachais. Ann an 2020, tha pàtran eaconamach is malairt na cruinne ann an àm ath-dhealbhachaidh, agus tha àrainneachd a-staigh agus a-muigh eaconamaidh Shìona nas iom-fhillte agus nas cruaidhe, ach tha gnìomhachas leth-chonnsachaidh an treas ginealach san t-saoghal a’ fàs an aghaidh a’ ghluasaid. Feumar aithneachadh gu bheil gnìomhachas silicon carbide air a dhol a-steach do ìre leasachaidh ùr.
Carbide sileaconachtagradh
Tha cleachdadh silicon carbide ann an gnìomhachas leth-chonnsachaidh a’ toirt a-steach slabhraidh gnìomhachas leth-chonnsachaidh silicon carbide sa mhòr-chuid pùdar àrd-ghlanachd silicon carbide, fo-strat criostail singilte, epitaxial, inneal cumhachd, pacadh modalan agus cleachdadh crìochnachaidh, msaa.
1. Is e stuth taice, stuth giùlain agus stuth fàis epitaxial leth-chonnsachaidh a th’ ann an substrate criostail singilte. An-dràsta, tha na dòighean fàis airson criostal singilte SiC a’ toirt a-steach gluasad gas corporra (PVT), ìre leaghaidh (LPE), tasgadh smùid ceimigeach aig teòthachd àrd (htcvd) agus mar sin air adhart. 2. Tha duilleag epitaxial silicon carbide epitaxial a’ toirt iomradh air fàs film criostail singilte (sreath epitaxial) le riatanasan sònraichte agus an aon stiùireadh ris an t-substrate. Ann an cleachdadh practaigeach, tha cha mhòr a h-uile inneal leth-chonnsachaidh beàrn còmhlan farsaing air an t-sreath epitaxial, agus chan eil sgoltagan silicon carbide fhèin air an cleachdadh ach mar substrates, a’ gabhail a-steach sreathan epitaxial Gan.
3. purrachd àrdSiC’S e pùdar stuth amh a th’ ann airson fàs criostail shingilte silicon carbide leis an dòigh PVT. Bidh purrachd an toraidh aige a’ toirt buaidh dhìreach air càileachd fàis agus feartan dealain criostail shingilte SiC.
4. Tha an inneal cumhachd air a dhèanamh de charbid silicon, aig a bheil feartan strì an aghaidh teòthachd àrd, tricead àrd agus èifeachdas àrd. A rèir cruth obrach an inneil,SiCTha innealan cumhachd sa mhòr-chuid a’ toirt a-steach diodes cumhachd agus tiùban suidse cumhachd.
5. Ann an tagradh leth-chonnsachaidh an treas ginealach, is e na buannachdan a tha an lùib an tagraidh deireannach gum faod iad cur ri leth-chonnsachaidh GaN. Air sgàth buannachdan èifeachdas tionndaidh àrd, feartan teasachaidh ìosal agus cuideam innealan SiC, tha iarrtas gnìomhachas sìos an abhainn a’ sìor dhol am meud, agus tha seo a’ leantainn gu gluasad gus innealan SiO2 a chur nan àite. Tha an suidheachadh làithreach a thaobh leasachadh margaidh silicon carbide a’ sìor leasachadh. Tha silicon carbide a’ stiùireadh tagradh margaidh leasachaidh leth-chonnsachaidh an treas ginealach. Tha toraidhean leth-chonnsachaidh an treas ginealach air a dhol a-steach nas luaithe, tha na raointean tagraidh a’ leudachadh gu cunbhalach, agus tha am margadh a’ fàs gu luath le leasachadh electronics chàraichean, conaltradh 5g, solar cumhachd cosgais luath agus tagradh armachd. .
Àm puist: 16 Màrt 2021