تونۇشتۇرۇشكرېمنىي كاربىدى
كرېمنىي كاربىدى (SIC) نىڭ زىچلىقى 3.2g/cm3. تەبىئىي كرېمنىي كاربىدى ناھايىتى ئاز ئۇچرايدۇ ۋە ئاساسلىقى سۈنئىي ئۇسۇلدا بىرىكتۈرۈلىدۇ. كىرىستال قۇرۇلمىسىنىڭ ئوخشىمايدىغان تۈرگە ئايرىلىشىغا ئاساسەن، كرېمنىي كاربىدىنى ئىككى تۈرگە بۆلۈشكە بولىدۇ: α SiC ۋە β SiC. كرېمنىي كاربىدى (SIC) بىلەن ۋەكىللىك قىلىنىدىغان ئۈچىنچى ئەۋلاد يېرىم ئۆتكۈزگۈچ يۇقىرى چاستوتا، يۇقىرى ئۈنۈملۈك، يۇقىرى قۇۋۋەت، يۇقىرى بېسىمغا قارشى تۇرۇش، يۇقىرى تېمپېراتۇرىغا قارشى تۇرۇش ۋە كۈچلۈك رادىئاتسىيەگە قارشى تۇرۇش ئىقتىدارىغا ئىگە. ئۇ ئېنېرگىيە تېجەش ۋە قويۇپ بېرىشنى ئازايتىش، ئەقلىي ئىشلەپچىقىرىش ۋە ئۇچۇر بىخەتەرلىكى قاتارلىق ئاساسلىق ئىستراتېگىيىلىك ئېھتىياجلارغا ماس كېلىدۇ. ئۇ يېڭى ئەۋلاد كۆچمە ئالاقە، يېڭى ئېنېرگىيەلىك ئاپتوموبىللار، يۇقىرى سۈرئەتلىك تۆمۈريول پويىزلىرى، ئېنېرگىيە ئىنتېرنېتى قاتارلىق كەسىپلەرنىڭ مۇستەقىل يېڭىلىق يارىتىشى ۋە تەرەققىياتى ۋە ئۆزگىرىشىنى قوللاش ئۈچۈندۇر. يېڭىلانغان يادرولۇق ماتېرىياللار ۋە ئېلېكترونلۇق زاپچاسلار دۇنيا يېرىم ئۆتكۈزگۈچ تېخنىكىسى ۋە كەسىپ رىقابىتىنىڭ مەركىزىگە ئايلاندى. 2020-يىلى، دۇنيا ئىقتىسادى ۋە سودا ئەندىزىسى قايتا قۇرۇش مەزگىلىدە تۇرماقتا، جۇڭگو ئىقتىسادىنىڭ ئىچكى ۋە تاشقى مۇھىتى تېخىمۇ مۇرەككەپ ۋە ئېغىر، ئەمما دۇنيادىكى ئۈچىنچى ئەۋلاد يېرىم ئۆتكۈزگۈچ كەسپى بۇ يۈزلىنىشكە قارشى تەرەققىي قىلماقتا. كرېمنىي كاربىد سانائىتىنىڭ يېڭى تەرەققىيات باسقۇچىغا كىرگەنلىكىنى ئېتىراپ قىلىش كېرەك.
كرېمنىي كاربىدىئىلتىماس
يېرىم ئۆتكۈزگۈچ سانائىتىدە كرېمنىي كاربىدنىڭ ئىشلىتىلىشى كرېمنىي كاربىد يېرىم ئۆتكۈزگۈچ سانائىتى زەنجىرى ئاساسلىقى كرېمنىي كاربىد يۇقىرى ساپلىق پاراشوكى، يەككە كىرىستاللىق ئاساس، ئېپىتاكسىيال، ئېلېكتر ئۈسكۈنىسى، مودۇل ئورالمىسى ۋە تېرمىنال قوللىنىش قاتارلىقلارنى ئۆز ئىچىگە ئالىدۇ.
1. يەككە كىرىستاللىق ئاساسىي ماتېرىيال يېرىم ئۆتكۈزگۈچنىڭ تىرەك ماتېرىيالى، ئۆتكۈزگۈچ ماتېرىيالى ۋە ئېپىتاكسىيال ئۆسۈش ئاساسىي ماتېرىيالى. ھازىر SiC يەككە كىرىستالنىڭ ئۆسۈش ئۇسۇللىرى فىزىكىلىق گاز يۆتكەش (PVT)، سۇيۇق باسقۇچ (LPE)، يۇقىرى تېمپېراتۇرىلىق خىمىيىلىك پارغا چۆكۈش (htcvd) قاتارلىقلارنى ئۆز ئىچىگە ئالىدۇ. 2. ئېپىتاكسىيال كرېمنىي كاربىد ئېپىتاكسىيال يوپۇرمىقى بەلگىلىك تەلەپلەر ۋە ئاساسىي ماتېرىيال بىلەن ئوخشاش يۆنىلىشكە ئىگە يەككە كىرىستاللىق پەردە (ئېپىتاكسىيال قەۋەت) نىڭ ئۆسۈشىنى كۆرسىتىدۇ. ئەمەلىي قوللىنىشتا، كەڭ بەلباغ بوشلۇقىدىكى يېرىم ئۆتكۈزگۈچ ئۈسكۈنىلەرنىڭ ھەممىسى دېگۈدەك ئېپىتاكسىيال قەۋەتتە بولىدۇ، كرېمنىي كاربىد پارچىلىرىنىڭ ئۆزى پەقەت ئاساسىي ماتېرىيال سۈپىتىدە ئىشلىتىلىدۇ، بۇنىڭ ئىچىدە Gan ئېپىتاكسىيال قەۋەتلىرىمۇ بار.
3. يۇقىرى ساپلىقSiCپاراشوك PVT ئۇسۇلى ئارقىلىق كرېمنىي كاربىد يەككە كرىستالىنى ئۆستۈرۈشنىڭ خام ئەشياسى بولۇپ، ئۇنىڭ مەھسۇلاتىنىڭ ساپلىقى SiC يەككە كرىستالىنىڭ ئۆسۈش سۈپىتى ۋە ئېلېكتر خۇسۇسىيىتىگە بىۋاسىتە تەسىر كۆرسىتىدۇ.
4. بۇ ئېلېكتر ئۈسكۈنىسى يۇقىرى تېمپېراتۇرىغا چىداملىق، يۇقىرى چاستوتا ۋە يۇقىرى ئۈنۈملۈك بولۇش خۇسۇسىيىتىگە ئىگە كرېمنىي كاربىدتىن ياسالغان. ئۈسكۈنىنىڭ ئىشلەش شەكلىگە ئاساسەن،SiCئېلېكتر ئۈسكۈنىلىرى ئاساسلىقى ئېلېكتر دىئودلىرى ۋە ئېلېكتر ئالماشتۇرغۇچ تۇرۇبىلىرىنى ئۆز ئىچىگە ئالىدۇ.
5. ئۈچىنچى ئەۋلاد يېرىم ئۆتكۈزگۈچ قوللىنىشتا، ئاخىرقى قوللىنىشنىڭ ئەۋزەللىكى شۇكى، ئۇلار GaN يېرىم ئۆتكۈزگۈچنى تولۇقلىيالايدۇ. يۇقىرى ئايلاندۇرۇش ئۈنۈمى، تۆۋەن قىزىتىش خۇسۇسىيىتى ۋە يېنىك SiC ئۈسكۈنىلىرىنىڭ ئەۋزەللىكى سەۋەبىدىن، تۆۋەن ئېقىم سانائىتىنىڭ ئېھتىياجى ئۈزلۈكسىز ئېشىپ، SiO2 ئۈسكۈنىلىرىنىڭ ئورنىنى ئېلىش يۈزلىنىشىگە ئىگە. كرېمنىي كاربىد بازىرىنىڭ تەرەققىياتىنىڭ ھازىرقى ئەھۋالى ئۈزلۈكسىز تەرەققىي قىلماقتا. كرېمنىي كاربىد ئۈچىنچى ئەۋلاد يېرىم ئۆتكۈزگۈچ ئېچىش بازىرى قوللىنىشىدا باشلامچىلىق رولىنى ئوينايدۇ. ئۈچىنچى ئەۋلاد يېرىم ئۆتكۈزگۈچ مەھسۇلاتلىرى تېز سۈرئەتتە سىڭىپ كىردى، قوللىنىش ساھەلىرى ئۈزلۈكسىز كېڭىيىۋاتىدۇ، ھەمدە ئاپتوموبىل ئېلېكترون مەھسۇلاتلىرى، 5g ئالاقە، تېز قۇۋۋەتلەش توك بىلەن تەمىنلەش ۋە ھەربىي قوللىنىشنىڭ تەرەققىياتىغا ئەگىشىپ بازار تېز سۈرئەتتە تەرەققىي قىلماقتا.
ئېلان قىلىنغان ۋاقىت: 2021-يىلى 3-ئاينىڭ 16-كۈنى