Tolu minute e aoao ai e uiga i le silicon carbide (SIC)

Fa'atomuaga oSilikoni Karbida

O le silicon carbide (SIC) e 3.2g/cm3 le mafiafia. O le silicon carbide masani e seasea lava ma e tele lava ina gaosia e ala i le metotia fa'apitoa. E tusa ai ma le fa'avasegaga eseese o le fausaga o le tioata, e mafai ona vaevaeina le silicon carbide i ni vaega se lua: α SiC ma le β SiC. O le semiconductor lona tolu o lo'o fa'atusalia e le silicon carbide (SIC) e maualuga lona televave, maualuga le lelei, maualuga le malosi, tete'e maualuga i le mamafa, maualuga le vevela ma tete'e malosi i le radiation. E talafeagai mo mana'oga taua o le fa'asaoina o le malosi ma le fa'aitiitia o le fa'asa'olotoina o le ea, gaosiga atamai ma le saogalemu o fa'amatalaga. E lagolagoina ai le fa'afouga tuto'atasi ma le atina'eina ma le suiga o feso'ota'iga feavea'i fou, ta'avale malosi fou, nofoaafi saoasaoa maualuga, initaneti malosi ma isi alamanuia. O mea autu fa'aleleia ma vaega eletise ua avea ma taula'iga o tekinolosi semiconductor i le lalolagi atoa ma le tauvaga o alamanuia. I le 2020, o le tamaoaiga ma fefa'ataua'iga i le lalolagi atoa o lo'o i ai i se vaitaimi o le toe fa'aleleia, ma o le siosiomaga i totonu ma fafo o le tamaoaiga o Saina e sili atu ona lavelave ma ogaoga, ae o le alamanuia semiconductor lona tolu o le lalolagi o lo'o tuputupu a'e fa'asaga i le aga masani. E mana'omia ona iloa ua ulufale le alamanuia silicon carbide i se tulaga fou o le atina'eina.

Silikoni karbidatalosaga

O le fa'aogaina o le Silicon carbide i le alamanuia semiconductor o le filifili o alamanuia semiconductor silicon carbide e aofia ai le pauta mama maualuga o le silicon carbide, substrate tioata e tasi, epitaxial, masini eletise, afifiina o module ma le fa'aogaina o le terminal, ma isi.

1. O le substrate tioata e tasi o le mea lagolago, mea fa'aeletise ma le substrate tuputupu a'e epitaxial o le semiconductor. I le taimi nei, o auala tuputupu a'e o le SiC kristal e tasi e aofia ai le fesiitaiga o le kesi fa'aletino (PVT), vaega vai (LPE), fa'aputuga o le ausa vaila'au i le vevela maualuga (htcvd) ma isi mea fa'apena. 2. o le epitaxial silicon carbide epitaxial sheet e fa'atatau i le tuputupu a'e o se ata tioata e tasi (epitaxial layer) fa'atasi ai ma ni mana'oga patino ma le fa'atulagaga tutusa e pei o le substrate. I le fa'aogaina fa'atino, o masini semiconductor lautele o le band gap e toetoe lava o lo'o i luga o le vaega epitaxial, ma o silicon carbide chips lava ia e na'o le fa'aaogaina o ni substrates, e aofia ai vaega epitaxial Gan.

3. maualuga le mamaSiCO le pauta o se mea mata mo le tuputupu aʻe o le silicon carbide single crystal e ala i le metotia PVT. O lona mama o oloa e aʻafia saʻo ai le lelei o le tuputupu aʻe ma meatotino eletise o le SiC single crystal.

4. O le masini eletise e faia i le silicon carbide, lea e iai uiga o le tete'e atu i le vevela maualuga, maualuga le saoasaoa ma maualuga le lelei. E tusa ai ma le faiga o le masini,SiCO masini eletise e aofia ai diodes eletise ma paipa ki eletise.

5. I le faʻaaogaina o le semiconductor tupulaga lona tolu, o le lelei o le faʻaaogaina mulimuli o le mafai lea ona faʻaopoopoina le semiconductor GaN. Ona o le lelei o le maualuga o le lelei o le liua, uiga maualalo o le vevela ma le mama o masini SiC, o loʻo faʻaauau pea ona faʻateleina le manaʻoga o pisinisi i lalo ifo, lea e iai le aga masani o le suia o masini SiO2. O le tulaga o loʻo iai nei o le atinaʻeina o le maketi silicon carbide o loʻo faʻaauau pea ona atinaʻe. O le Silicon carbide e taʻitaʻia le faʻaaogaina o le maketi o le atinaʻeina o le semiconductor tupulaga lona tolu. O oloa semiconductor tupulaga lona tolu ua vave ona ulufale atu i ai, o loʻo faʻalauteleina pea fanua faʻaaogaina, ma o loʻo vave ona tuputupu aʻe le maketi faʻatasi ai ma le atinaʻeina o mea faʻaeletoronika taʻavale, fesoʻotaʻiga 5g, sapalai eletise vave ma faʻaaogaina faʻamiliteli. .