Introduzzjoni ta'Karbur tas-silikon
Il-karbur tas-silikon (SIC) għandu densità ta' 3.2g/cm3. Il-karbur tas-silikon naturali huwa rari ħafna u huwa sintetizzat prinċipalment b'metodu artifiċjali. Skont il-klassifikazzjoni differenti tal-istruttura tal-kristall, il-karbur tas-silikon jista' jinqasam f'żewġ kategoriji: α SiC u β SiC. Is-semikonduttur tat-tielet ġenerazzjoni rappreżentat mill-karbur tas-silikon (SIC) għandu frekwenza għolja, effiċjenza għolja, qawwa għolja, reżistenza għall-pressjoni għolja, reżistenza għat-temperatura għolja u reżistenza qawwija għar-radjazzjoni. Huwa adattat għall-ħtiġijiet strateġiċi ewlenin tal-konservazzjoni tal-enerġija u t-tnaqqis tal-emissjonijiet, il-manifattura intelliġenti u s-sigurtà tal-informazzjoni. Huwa maħsub biex jappoġġja l-innovazzjoni indipendenti u l-iżvilupp u t-trasformazzjoni tal-komunikazzjoni mobbli ta' ġenerazzjoni ġdida, vetturi tal-enerġija ġodda, ferroviji b'veloċità għolja, Internet tal-enerġija u industriji oħra. Il-materjali ewlenin aġġornati u l-komponenti elettroniċi saru l-fokus tat-teknoloġija globali tas-semikondutturi u l-kompetizzjoni tal-industrija. Fl-2020, ix-xejra ekonomika u kummerċjali globali tinsab fi perjodu ta' rimodelljar, u l-ambjent intern u estern tal-ekonomija taċ-Ċina huwa aktar kumpless u sever, iżda l-industrija tas-semikondutturi tat-tielet ġenerazzjoni fid-dinja qed tikber kontra x-xejra. Jeħtieġ li jiġi rikonoxxut li l-industrija tal-karbur tas-silikon daħlet fi stadju ġdid ta' żvilupp.
Karbur tas-silikonapplikazzjoni
L-applikazzjoni tal-karbur tas-silikon fl-industrija tas-semikondutturi Il-katina tal-industrija tas-semikondutturi tal-karbur tas-silikon tinkludi prinċipalment trab ta' purità għolja tal-karbur tas-silikon, sottostrat ta' kristall wieħed, epitassjali, apparat tal-enerġija, ippakkjar tal-moduli u applikazzjoni tat-terminal, eċċ.
1. Sottostrat ta' kristall wieħed huwa l-materjal ta' appoġġ, il-materjal konduttiv u s-sottostrat tat-tkabbir epitassjali tas-semikondutturi. Fil-preżent, il-metodi ta' tkabbir tal-kristall wieħed SiC jinkludu trasferiment fiżiku tal-gass (PVT), fażi likwida (LPE), depożizzjoni kimika tal-fwar f'temperatura għolja (htcvd) u oħrajn. 2. Folja epitassjali tal-karbur tas-silikon epitassjali tirreferi għat-tkabbir ta' film ta' kristall wieħed (saff epitassjali) b'ċerti rekwiżiti u l-istess orjentazzjoni bħas-sottostrat. Fl-applikazzjoni prattika, l-apparati semikondutturi b'medda wiesgħa ta' frekwenza kważi kollha huma fuq is-saff epitassjali, u ċ-ċipep tal-karbur tas-silikon infushom jintużaw biss bħala sottostrati, inklużi saffi epitassjali Gan.
3. purità għoljaSiCIt-trab huwa materja prima għat-tkabbir ta' kristall wieħed tas-silikon karbur bil-metodu PVT. Il-purità tal-prodott tiegħu taffettwa direttament il-kwalità tat-tkabbir u l-proprjetajiet elettriċi tal-kristall wieħed tas-SiC.
4. L-apparat tal-enerġija huwa magħmul minn karbur tas-silikon, li għandu l-karatteristiċi ta' reżistenza għat-temperatura għolja, frekwenza għolja u effiċjenza għolja. Skont il-forma ta' ħidma tal-apparat,SiCL-apparati tal-enerġija jinkludu prinċipalment dijodi tal-enerġija u tubi tas-swiċċ tal-enerġija.
5. Fl-applikazzjoni tas-semikondutturi tat-tielet ġenerazzjoni, il-vantaġġi tal-applikazzjoni finali huma li jistgħu jikkomplementaw is-semikondutturi GaN. Minħabba l-vantaġġi ta' effiċjenza għolja ta' konverżjoni, karatteristiċi ta' tisħin baxx u piż ħafif tal-apparati SiC, id-domanda tal-industrija downstream tkompli tiżdied, u għandha t-tendenza li tissostitwixxi l-apparati SiO2. Is-sitwazzjoni attwali tal-iżvilupp tas-suq tal-karbur tas-silikon qed tiżviluppa kontinwament. Il-karbur tas-silikon qed imexxi l-applikazzjoni tas-suq tal-iżvilupp tas-semikondutturi tat-tielet ġenerazzjoni. Il-prodotti semikondutturi tat-tielet ġenerazzjoni ġew infiltrati aktar malajr, l-oqsma tal-applikazzjoni qed jespandu kontinwament, u s-suq qed jikber malajr bl-iżvilupp tal-elettronika tal-karozzi, il-komunikazzjoni 5g, il-provvista tal-enerġija tal-iċċarġjar veloċi u l-applikazzjoni militari.
Ħin tal-posta: 16 ta' Marzu 2021