Aféierung vunSiliziumkarbid
Siliziumkarbid (SIC) huet eng Dicht vun 3,2 g/cm3. Natierlecht Siliziumkarbid ass ganz rar a gëtt haaptsächlech duerch künstlech Methode synthetiséiert. No der verschiddener Klassifikatioun vun der Kristallstruktur kann Siliziumkarbid an zwou Kategorien agedeelt ginn: α SiC a β SiC. Den Hallefleeder vun der drëtter Generatioun, deen duerch Siliziumkarbid (SIC) vertrueden ass, huet eng héich Frequenz, héich Effizienz, héich Leeschtung, héich Drockbeständegkeet, héich Temperaturbeständegkeet a staark Stralungsbeständegkeet. Et ass gëeegent fir déi wichtegst strategesch Bedierfnesser vun Energiespueren an Emissiounsreduktioun, intelligenter Fabrikatioun an Informatiounssécherheet. Et soll déi onofhängeg Innovatioun an Entwécklung an Transformatioun vun der neier Generatioun vu Mobilkommunikatioun, neien Energiefahrzeugen, Héichgeschwindegkeetszuch, Energieinternet an aner Industrien ënnerstëtzen. Déi moderniséiert Kärmaterialien an elektronesch Komponenten sinn zum Fokus vun der globaler Hallefleedertechnologie an der Industriekonkurrenz ginn. Am Joer 2020 ass dat globalt Wirtschafts- a Handelsmuster an enger Period vum Ëmbau, an dat internt an externt Ëmfeld vun der chinesescher Wirtschaft ass méi komplex a schwéier, awer d'Halleffeterindustrie vun der drëtter Generatioun op der Welt wiisst géint den Trend. Et muss unerkannt ginn, datt d'Siliziumkarbidindustrie an eng nei Entwécklungsphase agaangen ass.
SiliziumkarbidApplikatioun
Uwendung vu Siliziumkarbid an der Hallefleederindustrie D'Siliziumkarbid-Halleffeterindustriekette ëmfaasst haaptsächlech Siliziumkarbidpulver mat héijer Rengheet, Eenkristallsubstrat, Epitaktik, Energieversuergungsgeräter, Modulverpackungen an Terminalanwendungen etc.
1. Eenzelkristallsubstrat ass d'Trägermaterial, d'leitend Material an den epitaktischen Wuesssubstrat vum Hallefleeder. Am Moment ëmfaassen d'Wuessmethoden vum SiC-Eenzelkristall physikalesch Gastransfer (PVT), flësseg Phas (LPE), héichtemperaturchemesch Dampfoflagerung (htcvd) asw. 2. Epitaktesch Siliziumcarbid-Epitaxialfolie bezitt sech op d'Wuesstum vun engem Eenzelkristallfilm (epitaxial Schicht) mat bestëmmten Ufuerderungen an der selwechter Orientéierung wéi de Substrat. An der praktescher Uwendung sinn d'Hallefleederkomponenten mat breeder Bandlück bal all op der epitaktischer Schicht, an d'Siliziumcarbidchips selwer ginn nëmmen als Substrat benotzt, dorënner och Gan-Epitaxialschichten.
3. héich RengheetSiCPulver ass e Rohmaterial fir de Wuesstum vu Siliziumcarbid-Eenkristaller mat der PVT-Method. Seng Produktreinheet beaflosst direkt d'Wuesstumsqualitéit an d'elektresch Eegeschafte vum SiC-Eenkristall.
4. Den Energieversuergungsapparat ass aus Siliziumkarbid gemaach, wat d'Charakteristike vun héijer Temperaturbeständegkeet, héijer Frequenz an héijer Effizienz huet. Jee no der Aarbechtsform vum Apparat,SiCZu den Energieversuergungsapparater gehéieren haaptsächlech Energiedioden a Stroumschalterréier.
5. An der Uwendung vun der Hallefleeder vun der drëtter Generatioun sinn d'Virdeeler vun der Endapplikatioun, datt se den GaN-Halbleeder ergänze kënnen. Wéinst de Virdeeler vun der héijer Konversiounseffizienz, der gerénger Heizungseigenschaften an dem Gewiicht vun de SiC-Komponenten wiisst d'Nofro vun der Downstream-Industrie weider, wat den Trend ass, SiO2-Komponenten z'ersetzen. Déi aktuell Situatioun vun der Entwécklung vum Siliziumkarbidmaart entwéckelt sech kontinuéierlech. Siliziumkarbid féiert d'Entwécklung vum Maart fir Hallefleeder vun der drëtter Generatioun un. D'Halbleederprodukter vun der drëtter Generatioun si méi séier agebaut ginn, d'Applikatiounsfelder expandéiere kontinuéierlech, an de Maart wiisst séier mat der Entwécklung vun der Automobilelektronik, der 5g-Kommunikatioun, der Schnellladestroumversuergung an der militärescher Uwendung.
Zäitpunkt vun der Verëffentlechung: 16. Mäerz 2021