မိတ်ဆက်ခြင်းဆီလီကွန်ကာဗိုက်
ဆီလီကွန်ကာဗိုက် (SIC) သည် သိပ်သည်းဆ 3.2g/cm3 ရှိသည်။ သဘာဝဆီလီကွန်ကာဗိုက်သည် အလွန်ရှားပါးပြီး အဓိကအားဖြင့် အတုနည်းလမ်းဖြင့် ပေါင်းစပ်ထုတ်လုပ်သည်။ ပုံဆောင်ခဲဖွဲ့စည်းပုံကို အမျိုးအစားခွဲခြားမှုအမျိုးမျိုးအရ ဆီလီကွန်ကာဗိုက်ကို α SiC နှင့် β SiC ဟူ၍ အမျိုးအစားနှစ်မျိုးခွဲခြားနိုင်သည်။ ဆီလီကွန်ကာဗိုက် (SIC) ဖြင့် ကိုယ်စားပြုသော တတိယမျိုးဆက် တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်းသည် မြင့်မားသောကြိမ်နှုန်း၊ မြင့်မားသောစွမ်းဆောင်ရည်၊ မြင့်မားသောပါဝါ၊ မြင့်မားသောဖိအားခံနိုင်ရည်၊ မြင့်မားသောအပူချိန်ခံနိုင်ရည်နှင့် ပြင်းထန်သောရောင်ခြည်ခံနိုင်ရည်ရှိသည်။ ၎င်းသည် စွမ်းအင်ထိန်းသိမ်းရေးနှင့် ထုတ်လွှတ်မှုလျှော့ချရေး၊ ဉာဏ်ရည်ထက်မြက်သောထုတ်လုပ်မှုနှင့် သတင်းအချက်အလက်လုံခြုံရေးတို့၏ အဓိကမဟာဗျူဟာလိုအပ်ချက်များအတွက် သင့်လျော်သည်။ ၎င်းသည် မျိုးဆက်သစ်မိုဘိုင်းဆက်သွယ်ရေး၊ စွမ်းအင်ယာဉ်အသစ်များ၊ မြန်နှုန်းမြင့်ရထားလမ်းများ၊ စွမ်းအင်အင်တာနက်နှင့် အခြားစက်မှုလုပ်ငန်းများ၏ လွတ်လပ်သောဆန်းသစ်တီထွင်မှုနှင့် ဖွံ့ဖြိုးတိုးတက်မှုနှင့် အသွင်ပြောင်းမှုကို ပံ့ပိုးရန်ဖြစ်သည်။ အဆင့်မြှင့်တင်ထားသော အဓိကပစ္စည်းများနှင့် အီလက်ထရွန်းနစ်အစိတ်အပိုင်းများသည် ကမ္ဘာလုံးဆိုင်ရာ တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်းနည်းပညာနှင့် စက်မှုလုပ်ငန်းယှဉ်ပြိုင်မှု၏ အဓိကအာရုံစိုက်မှုဖြစ်လာသည်။ ၂၀၂၀ ခုနှစ်တွင် ကမ္ဘာလုံးဆိုင်ရာစီးပွားရေးနှင့် ကုန်သွယ်ရေးပုံစံသည် ပြန်လည်ပြုပြင်မွမ်းမံနေသောကာလတွင်ရှိနေပြီး တရုတ်နိုင်ငံ၏စီးပွားရေး၏ အတွင်းပိုင်းနှင့် အပြင်ပိုင်းပတ်ဝန်းကျင်သည် ပိုမိုရှုပ်ထွေးပြီး ပြင်းထန်သော်လည်း ကမ္ဘာပေါ်ရှိ တတိယမျိုးဆက် တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်းစက်မှုလုပ်ငန်းသည် ခေတ်ရေစီးကြောင်းနှင့် ဆန့်ကျင်ဘက်ကြီးထွားနေသည်။ ဆီလီကွန်ကာဗိုက်စက်မှုလုပ်ငန်းသည် ဖွံ့ဖြိုးတိုးတက်မှုအဆင့်သစ်သို့ ရောက်ရှိနေပြီဖြစ်ကြောင်း အသိအမှတ်ပြုရန် လိုအပ်ပါသည်။
ဆီလီကွန်ကာဗိုက်လျှောက်လွှာ
ဆီလီကွန်ကာဗိုက်လုပ်ငန်းတွင် ဆီလီကွန်ကာဗိုက်အသုံးချမှု ဆီလီကွန်ကာဗိုက်လုပ်ငန်းကွင်းဆက်တွင် အဓိကအားဖြင့် ဆီလီကွန်ကာဗိုက်မြင့်မားသောသန့်စင်မှုအမှုန့်၊ single crystal substrate၊ epitaxial၊ power device၊ module packaging နှင့် terminal application စသည်တို့ ပါဝင်သည်
၁။ single crystal substrate သည် semiconductor ၏ support material၊ conductive material နှင့် epitaxial growth substrate ဖြစ်သည်။ လက်ရှိတွင် SiC single crystal ၏ growth method များတွင် physical gas transfer (PVT)၊ liquid phase (LPE)၊ high temperature chemical vapor deposition (htcvd) စသည်တို့ ပါဝင်သည်။ ၂။ epitaxial silicon carbide epitaxial sheet ဆိုသည်မှာ သတ်မှတ်ထားသော လိုအပ်ချက်များနှင့် substrate နှင့် တူညီသော orientation ရှိသော single crystal film (epitaxial layer) ၏ growth ကို ရည်ညွှန်းသည်။ လက်တွေ့အသုံးချမှုတွင် wide band gap semiconductor devices အားလုံးနီးပါးသည် epitaxial layer ပေါ်တွင် ရှိနေပြီး silicon carbide chips များကိုယ်တိုင်က Gan epitaxial layers အပါအဝင် substrates အဖြစ်သာ အသုံးပြုသည်။
၃။ မြင့်မားသော သန့်ရှင်းစင်ကြယ်မှုSiCPVT နည်းလမ်းဖြင့် ဆီလီကွန်ကာဗိုက်တစ်ပုံစံတည်း ပုံဆောင်ခဲများ ကြီးထွားရန်အတွက် အမှုန့်သည် ကုန်ကြမ်းတစ်ခုဖြစ်သည်။ ၎င်း၏ထုတ်ကုန်သန့်စင်မှုသည် SiC တစ်ပုံစံတည်း ပုံဆောင်ခဲ၏ ကြီးထွားမှုအရည်အသွေးနှင့် လျှပ်စစ်ဂုဏ်သတ္တိများကို တိုက်ရိုက်အကျိုးသက်ရောက်စေသည်။
၄။ ပါဝါကိရိယာကို ဆီလီကွန်ကာဗိုက်ဖြင့် ပြုလုပ်ထားပြီး အပူချိန်မြင့်မားစွာခံနိုင်ရည်ရှိခြင်း၊ မြင့်မားသောကြိမ်နှုန်းနှင့် မြင့်မားသောစွမ်းဆောင်ရည်တို့ ပါဝင်သည်။ ကိရိယာ၏အလုပ်လုပ်ပုံအရSiCပါဝါကိရိယာများတွင် အဓိကအားဖြင့် ပါဝါဒိုင်အိုဒက်များနှင့် ပါဝါခလုတ်ပြွန်များ ပါဝင်သည်။
၅။ တတိယမျိုးဆက် semiconductor application တွင်၊ နောက်ဆုံး application ၏ အားသာချက်များမှာ GaN semiconductor ကို ဖြည့်စွက်နိုင်ခြင်းဖြစ်သည်။ မြင့်မားသော conversion efficiency၊ အပူနည်းသော ဝိသေသလက္ခဏာများနှင့် SiC devices များ၏ အလေးချိန်ပေါ့ပါးမှုတို့၏ အားသာချက်များကြောင့်၊ downstream industry ၏ demand သည် ဆက်လက်တိုးပွားနေပြီး SiO2 devices များကို အစားထိုးရန် လမ်းကြောင်းတစ်ခုရှိသည်။ လက်ရှိ silicon carbide ဈေးကွက် ဖွံ့ဖြိုးတိုးတက်မှုအခြေအနေသည် စဉ်ဆက်မပြတ် တိုးတက်နေပါသည်။ Silicon carbide သည် တတိယမျိုးဆက် semiconductor ဖွံ့ဖြိုးတိုးတက်မှု ဈေးကွက် application ကို ဦးဆောင်နေသည်။ တတိယမျိုးဆက် semiconductor ထုတ်ကုန်များသည် ပိုမိုမြန်ဆန်စွာ ထိုးဖောက်ဝင်ရောက်လာပြီး၊ application နယ်ပယ်များသည် စဉ်ဆက်မပြတ် တိုးချဲ့လာနေပြီး၊ automobile electronics၊ 5g ဆက်သွယ်ရေး၊ fast charging power supply နှင့် စစ်ဘက်ဆိုင်ရာ application များ ဖွံ့ဖြိုးတိုးတက်မှုနှင့်အတူ ဈေးကွက်သည် လျင်မြန်စွာ ကြီးထွားလာနေသည်။
ပို့စ်တင်ချိန်: ၂၀၂၁ ခုနှစ်၊ မတ်လ ၁၆ ရက်