పరిచయంసిలికాన్ కార్బైడ్
సిలికాన్ కార్బైడ్ (SIC) యొక్క సాంద్రత 3.2 గ్రా/సెం.మీ³ ఉంటుంది. సహజ సిలికాన్ కార్బైడ్ చాలా అరుదు మరియు దీనిని ప్రధానంగా కృత్రిమ పద్ధతి ద్వారా సంశ్లేషణ చేస్తారు. స్ఫటిక నిర్మాణం యొక్క విభిన్న వర్గీకరణ ప్రకారం, సిలికాన్ కార్బైడ్ను α SiC మరియు β SiC అనే రెండు వర్గాలుగా విభజించవచ్చు. సిలికాన్ కార్బైడ్ (SIC) ప్రాతినిధ్యం వహించే మూడవ తరం సెమీకండక్టర్ అధిక ఫ్రీక్వెన్సీ, అధిక సామర్థ్యం, అధిక శక్తి, అధిక పీడన నిరోధకత, అధిక ఉష్ణోగ్రత నిరోధకత మరియు బలమైన రేడియేషన్ నిరోధకతను కలిగి ఉంటుంది. ఇది శక్తి పరిరక్షణ మరియు ఉద్గారాల తగ్గింపు, ఇంటెలిజెంట్ తయారీ మరియు సమాచార భద్రత వంటి ప్రధాన వ్యూహాత్మక అవసరాలకు అనుకూలంగా ఉంటుంది. ఇది కొత్త తరం మొబైల్ కమ్యూనికేషన్, కొత్త శక్తి వాహనాలు, హై-స్పీడ్ రైలు బండ్లు, ఎనర్జీ ఇంటర్నెట్ మరియు ఇతర పరిశ్రమల స్వతంత్ర ఆవిష్కరణ, అభివృద్ధి మరియు పరివర్తనకు మద్దతు ఇస్తుంది. అప్గ్రేడ్ చేయబడిన కీలక పదార్థాలు మరియు ఎలక్ట్రానిక్ భాగాలు ప్రపంచ సెమీకండక్టర్ టెక్నాలజీ మరియు పారిశ్రామిక పోటీకి కేంద్ర బిందువుగా మారాయి. 2020లో, ప్రపంచ ఆర్థిక మరియు వాణిజ్య సరళి పునర్నిర్మాణ దశలో ఉంది, మరియు చైనా ఆర్థిక వ్యవస్థ యొక్క అంతర్గత మరియు బాహ్య వాతావరణం మరింత సంక్లిష్టంగా మరియు కఠినంగా ఉంది, కానీ ప్రపంచంలోని మూడవ తరం సెమీకండక్టర్ పరిశ్రమ ఈ ధోరణికి వ్యతిరేకంగా అభివృద్ధి చెందుతోంది. సిలికాన్ కార్బైడ్ పరిశ్రమ ఒక కొత్త అభివృద్ధి దశలోకి ప్రవేశించిందని గుర్తించాలి.
సిలికాన్ కార్బైడ్అప్లికేషన్
సెమీకండక్టర్ పరిశ్రమలో సిలికాన్ కార్బైడ్ అనువర్తనాలు: సిలికాన్ కార్బైడ్ సెమీకండక్టర్ పరిశ్రమ గొలుసులో ప్రధానంగా అధిక స్వచ్ఛత గల సిలికాన్ కార్బైడ్ పౌడర్, సింగిల్ క్రిస్టల్ సబ్స్ట్రేట్, ఎపిటాక్సియల్, పవర్ డివైస్, మాడ్యూల్ ప్యాకేజింగ్ మరియు టెర్మినల్ అప్లికేషన్ మొదలైనవి ఉంటాయి.
1. సింగిల్ క్రిస్టల్ సబ్స్ట్రేట్ అనేది సెమీకండక్టర్ యొక్క సపోర్ట్ మెటీరియల్, కండక్టివ్ మెటీరియల్ మరియు ఎపిటాక్సియల్ గ్రోత్ సబ్స్ట్రేట్. ప్రస్తుతం, SiC సింగిల్ క్రిస్టల్ యొక్క గ్రోత్ పద్ధతులలో ఫిజికల్ గ్యాస్ ట్రాన్స్ఫర్ (PVT), లిక్విడ్ ఫేజ్ (LPE), హై టెంపరేచర్ కెమికల్ వేపర్ డిపోజిషన్ (htcvd) మొదలైనవి ఉన్నాయి. 2. ఎపిటాక్సియల్ సిలికాన్ కార్బైడ్ ఎపిటాక్సియల్ షీట్ అనేది నిర్దిష్ట అవసరాలతో మరియు సబ్స్ట్రేట్ యొక్క అదే ఓరియంటేషన్లో ఒక సింగిల్ క్రిస్టల్ ఫిల్మ్ (ఎపిటాక్సియల్ లేయర్) యొక్క పెరుగుదలను సూచిస్తుంది. ఆచరణాత్మక అనువర్తనంలో, వైడ్ బ్యాండ్ గ్యాప్ సెమీకండక్టర్ పరికరాలు దాదాపు అన్నీ ఎపిటాక్సియల్ లేయర్పైనే ఉంటాయి, మరియు సిలికాన్ కార్బైడ్ చిప్లు Gan ఎపిటాక్సియల్ లేయర్లతో సహా కేవలం సబ్స్ట్రేట్లుగా మాత్రమే ఉపయోగించబడతాయి.
3. అధిక స్వచ్ఛతSiCPVT పద్ధతి ద్వారా సిలికాన్ కార్బైడ్ సింగిల్ క్రిస్టల్ వృద్ధికి పౌడర్ ఒక ముడి పదార్థం. దీని ఉత్పత్తి స్వచ్ఛత SiC సింగిల్ క్రిస్టల్ యొక్క వృద్ధి నాణ్యత మరియు విద్యుత్ లక్షణాలను నేరుగా ప్రభావితం చేస్తుంది.
4. పవర్ పరికరం సిలికాన్ కార్బైడ్తో తయారు చేయబడింది, ఇది అధిక ఉష్ణోగ్రత నిరోధకత, అధిక ఫ్రీక్వెన్సీ మరియు అధిక సామర్థ్యం వంటి లక్షణాలను కలిగి ఉంటుంది. పరికరం యొక్క పని రూపం ప్రకారం,SiCపవర్ పరికరాలలో ప్రధానంగా పవర్ డయోడ్లు మరియు పవర్ స్విచ్ ట్యూబ్లు ఉంటాయి.
5. మూడవ తరం సెమీకండక్టర్ అనువర్తనంలో, GaN సెమీకండక్టర్కు పూరకంగా ఉండగలగడం తుది అనువర్తనం యొక్క ప్రయోజనం. SiC పరికరాల యొక్క అధిక మార్పిడి సామర్థ్యం, తక్కువ ఉష్ణ లక్షణాలు మరియు తేలికైన బరువు వంటి ప్రయోజనాల కారణంగా, SiO2 పరికరాలను భర్తీ చేసే ధోరణితో డౌన్స్ట్రీమ్ పరిశ్రమలో డిమాండ్ నిరంతరం పెరుగుతోంది. సిలికాన్ కార్బైడ్ మార్కెట్ అభివృద్ధి యొక్క ప్రస్తుత పరిస్థితి నిరంతరం అభివృద్ధి చెందుతోంది. మూడవ తరం సెమీకండక్టర్ అభివృద్ధి మార్కెట్ అనువర్తనానికి సిలికాన్ కార్బైడ్ నాయకత్వం వహిస్తోంది. మూడవ తరం సెమీకండక్టర్ ఉత్పత్తులు వేగంగా వ్యాపించాయి, అనువర్తన రంగాలు నిరంతరం విస్తరిస్తున్నాయి మరియు ఆటోమొబైల్ ఎలక్ట్రానిక్స్, 5G కమ్యూనికేషన్, ఫాస్ట్ ఛార్జింగ్ పవర్ సప్లై మరియు సైనిక అనువర్తనాల అభివృద్ధితో మార్కెట్ వేగంగా వృద్ధి చెందుతోంది.
పోస్ట్ చేసిన సమయం: మార్చి-16-2021