GirişSilikon karbidi
Kremniý karbidiniň (SIC) dykyzlygy 3,2 g/sm3. Tebigy kremniý karbidi örän seýrek duş gelýär we esasan emeli usul bilen sintez edilýär. Kristal gurluşynyň dürli klassifikasiýasyna görä, kremniý karbidini iki kategoriýa bölmek bolýar: α SiC we β SiC. Kremniý karbidi (SIC) bilen görkezilen üçünji nesil ýarymgeçiriji ýokary ýygylyga, ýokary netijelilige, ýokary güýje, ýokary basyşa, ýokary temperatura garşylygyna we güýçli radiasiýa garşylygyna eýedir. Ol energiýany tygşytlamak we zyňyndylary azaltmak, akylly önümçilik we maglumat howpsuzlygy ýaly esasy strategik zerurlyklary üçin amatlydyr. Ol täze nesil mobil aragatnaşygynyň, täze energiýa ulaglarynyň, ýokary tizlikli demir ýol otlularynyň, energiýa internetiniň we beýleki pudaklaryň garaşsyz innowasiýalaryny we ösüşini we özgerdilmesini goldamak üçin niýetlenendir. Täzelenen esasy materiallar we elektron komponentler global ýarymgeçiriji tehnologiýasynyň we senagat bäsdeşliginiň merkezine öwrüldi. 2020-nji ýylda global ykdysady we söwda gurluşy täzeden gurulmak döwründe we Hytaýyň ykdysadyýetiniň içki we daşarky gurşawy has çylşyrymly we agyr, ýöne dünýäde üçünji nesil ýarymgeçiriji senagaty bu meýile garşy ösýär. Kremniý karbidi senagatynyň täze ösüş tapgyryna gadam basandygyny ykrar etmek gerek.
Kremniý karbidiprogramma
Ýarymgeçirijiler senagatynda kremniý karbidiniň ulanylyşy kremniý karbidiniň ýarymgeçirijiler senagat zynjyry esasan kremniý karbidiniň ýokary arassalyk poroşogyny, bir kristall substratyny, epitaksial, güýç enjamy, modul gaplamasyny we terminal ulanylyşyny we ş.m. öz içine alýar.
1. monokristal substrat ýarymgeçirijiniň goldaw materialy, geçiriji materialy we epitaksial ösüş substratydyr. Häzirki wagtda SiC monokristalynyň ösüş usullary fiziki gaz geçirijiligi (PVT), suwuk faza (LPE), ýokary temperaturaly himiki bug çökündisi (HTCVD) we ş.m. öz içine alýar. 2. epitaksial kremniý karbidi epitaksial list belli bir talaplar we substrat bilen birmeňzeş ugur bilen monokristal plýonkasynyň (epitaksial gatlak) ösüşini aňladýar. Amaly ulanylyşda giň zolakly ýarymgeçiriji enjamlaryň hemmesi diýen ýaly epitaksial gatlakda ýerleşýär we kremniý karbid çipleriniň özi diňe substrat hökmünde ulanylýar, şol sanda Gan epitaksial gatlaklary.
3. ýokary arassalykSiCporoşok kremniý karbidiniň monokristalyny PVT usuly bilen ösdürmek üçin çig mal bolup durýar. Onuň önüminiň arassalygy SiC monokristalynyň ösüş hiline we elektrik häsiýetlerine gönüden-göni täsir edýär.
4. güýç enjamy ýokary temperatura garşylyk, ýokary ýygylyk we ýokary netijelilik aýratynlyklaryna eýe bolan kremniý karbidinden ýasalýar. Enjamyň iş görnüşine görä,SiCgüýç enjamlaryna esasan güýç diodlary we güýç açar lampalary girýär.
5. Üçünji nesil ýarymgeçiriji ulanylyşynda, ahyrky ulanylyşyň artykmaçlyklary, olaryň GaN ýarymgeçirijisiniň üstüni ýetirip bilmegidir. Ýokary konwersiýa netijeliligi, pes gyzdyryjy häsiýetleri we SiC enjamlarynyň ýeňilligi ýaly artykmaçlyklary sebäpli, aşaky akym senagatynda isleg artmagyny dowam etdirýär, bu bolsa SiO2 enjamlaryny çalşyrmak meýlini döredýär. Kremniý karbidi bazarynyň ösüşiniň häzirki ýagdaýy yzygiderli ösýär. Kremniý karbidi üçünji nesil ýarymgeçirijileriň ösüş bazarynda öňdebaryjy orny eýeleýär. Üçünji nesil ýarymgeçiriji önümleri has çalt aralaşdy, ulanylyş ugurlary yzygiderli giňelýär we awtoulag elektronikasynyň, 5G aragatnaşygynyň, çalt zarýad berilýän elektrik üpjünçiliginiň we harby ulanylyşyň ösmegi bilen bazar çalt ösýär.
Ýerleşdirilen wagty: 2021-nji ýylyň 16-njy marty