Кереш сүзКремний карбиды
Кремний карбиды (SIC) тыгызлыгы 3,2 г/см3. Табигый кремний карбиды бик сирәк очрый һәм нигездә ясалма ысул белән синтезлана. Кристалл структурасының төрле классификациясенә нигезләнеп, кремний карбидын ике категориягә бүлеп була: α SiC һәм β SiC. Кремний карбиды (SIC) белән күрсәтелгән өченче буын ярымүткәргеч югары ешлыклы, югары нәтиҗәле, югары куәтле, югары басымга чыдам, югары температурага чыдам һәм көчле нурланышка чыдам. Ул энергияне саклау һәм чыгаруны киметү, акыллы җитештерү һәм мәгълүмати куркынычсызлык кебек төп стратегик ихтыяҗлар өчен яраклы. Ул яңа буын мобиль элемтә, яңа энергия транспорт чаралары, югары тизлекле тимер юл поездлары, энергетика интернеты һәм башка тармакларның мөстәкыйль инновацияләрен, үсешен һәм трансформациясен хуплау өчен эшләнә. Яңартылган төп материаллар һәм электрон компонентлар глобаль ярымүткәргеч технологияләре һәм тармак көндәшлегенең үзәгенә әйләнде. 2020 елда глобаль икътисади һәм сәүдә схемасы үзгәртеп кору чорында, һәм Кытай икътисадының эчке һәм тышкы мохите катлаулырак һәм җитдирәк, ләкин дөньяда өченче буын ярымүткәргеч сәнәгате бу тенденциягә каршы үсә. Кремний карбиды сәнәгатенең яңа үсеш этабына керүен танырга кирәк.
Кремний карбидыгариза
Ярымүткәргечләр сәнәгатендә кремний карбидын куллану кремний карбиды ярымүткәргечләр сәнәгате чылбыры, нигездә, кремний карбидының югары сафлыклы порошогын, монокристалл субстратын, эпитаксиаль, көч җайланмасын, модуль төргәген һәм терминал куллануын һ.б. үз эченә ала.
1. Монокристалл субстрат - ярымүткәргечнең терәк материалы, үткәрүче материалы һәм эпитаксиаль үсеш субстраты. Хәзерге вакытта SiC монокристаллының үсеш ысулларына физик газ күчерү (PVT), сыек фаза (LPE), югары температуралы химик пар утырту (HTCVD) һ.б. керә. 2. Эпитаксиаль кремний карбиды эпитаксиаль катламы билгеле бер таләпләр һәм субстрат белән бер үк юнәлештә монокристалл пленка (эпитаксиаль катлам) үсүен аңлата. Гамәли кулланылышта киң полосалы ярымүткәргеч җайланмаларның барысы да диярлек эпитаксиаль катламда урнашкан, һәм кремний карбиды чиплары үзләре субстрат буларак кына кулланыла, шул исәптән Ган эпитаксиаль катламнары.
3. югары сафлыкSiCпорошок - PVT ысулы белән кремний карбиды монокристаллын үстерү өчен чимал. Аның продуктының сафлыгы SiC монокристалының үсеш сыйфатына һәм электр үзлекләренә турыдан-туры тәэсир итә.
4. көч җайланмасы кремний карбидыннан ясалган, ул югары температурага чыдамлык, югары ешлык һәм югары нәтиҗәлелек үзенчәлекләренә ия. Җайланманың эш формасы буенча,SiCкөч җайланмаларына, нигездә, көч диодлары һәм көч ачкыч лампалары керә.
5. Өченче буын ярымүткәргеч куллануда, соңгы куллануның өстенлекләре шунда ки, алар GaN ярымүткәргечне тулыландыра ала. Югары конверсия нәтиҗәлелеге, түбән җылыту үзенчәлекләре һәм SiC җайланмаларының җиңеллеге өстенлекләре аркасында, агымдагы сәнәгатьнең ихтыяҗы арта бара, бу SiO2 җайланмаларын алыштыру тенденциясенә ия. Кремний карбиды базары үсешенең хәзерге торышы даими үсештә. Кремний карбиды өченче буын ярымүткәргеч җитештерү базарында алдынгы урынны алып тора. Өченче буын ярымүткәргеч продуктлары тизрәк үтеп керде, куллану өлкәләре даими киңәя, һәм автомобиль электроникасы, 5G элемтәсе, тиз зарядкалы электр белән тәэмин итү һәм хәрби куллану үсеше белән базар тиз үсә.
Бастырып чыгару вакыты: 2021 елның 16 марты