SİLİKON VAFRESİ
sitronikdən
Agofrettexniki cəhətdən çox tələbkar olan prosedurlar sayəsində son dərəcə düz səthə malik olan təxminən 1 millimetr qalınlığında silikon dilimidir.Sonrakı istifadə hansı kristal yetişdirmə prosedurunun tətbiq olunacağını müəyyənləşdirir.Məsələn, Czochralski prosesində polikristal silisium əridilir və karandaş kimi nazik toxum kristalı ərinmiş silisiumun içinə batırılır.Sonra toxum kristalı fırlanır və yavaş-yavaş yuxarıya çəkilir.Çox ağır bir kolossus, monokristal nəticələnir.Monokristalın elektrik xüsusiyyətlərini yüksək təmizlikli əlavə maddələrin kiçik vahidlərini əlavə etməklə seçmək mümkündür.Kristallar müştərinin spesifikasiyasına uyğun olaraq qatqılanır və sonra cilalanır və dilimlərə kəsilir.Müxtəlif əlavə istehsal addımlarından sonra müştəri müəyyən edilmiş vafliləri xüsusi qablaşdırmada alır ki, bu da müştəriyə məhsuldan istifadə etməyə imkan verir.gofretdərhal istehsal xəttində.
Bu gün silisium monokristallarının böyük bir hissəsi Czochralski prosesinə uyğun olaraq yetişdirilir ki, bu da polikristal yüksək təmiz silisiumun hipertəmiz kvars potasında əridilməsini və əlavə maddələrin (adətən B, P, As, Sb) əlavə edilməsini nəzərdə tutur.İncə, monokristal toxum kristalı ərimiş silisiumun içinə batırılır.Sonra bu nazik kristaldan böyük bir CZ kristalı əmələ gəlir.Ərinmiş silisiumun temperaturu və axınının, kristalın və pota fırlanmasının, həmçinin kristalın çəkilmə sürətinin dəqiq tənzimlənməsi son dərəcə yüksək keyfiyyətli monokristal silisium külçəsi ilə nəticələnir.
Göndərmə vaxtı: 03 iyun 2021-ci il