Siliziumwafer

Siliziumwafer

vun der Sitronic

AWaferass eng Scheif Silizium, ongeféier 1 Millimeter déck, déi eng extrem flaach Uewerfläch huet, dank Prozeduren, déi technesch ganz usprochsvoll sinn. Déi spéider Notzung bestëmmt, wéi eng Kristallwuessungsprozedur soll benotzt ginn. Am Czochralski-Prozess gëtt zum Beispill de polykristalline Silizium geschmolz an e bleistiftdënne Keimkristall gëtt an de geschmollte Silizium getippt. De Keimkristall gëtt dann gedréit a lues no uewe gezunn. E ganz schwéiere Koloss, e Monokristall, entsteet. Et ass méiglech, d'elektresch Charakteristike vum Monokristall ze wielen, andeems kleng Eenheeten vun héichreine Dotierungsmëttel bäigefüügt ginn. D'Kristaller ginn no de Spezifikatioune vum Client dotiert an dann poléiert a Scheiwen geschnidden. No verschiddenen zousätzleche Produktiounsschrëtt kritt de Client seng spezifizéiert Waferen an enger spezieller Verpackung, déi et him erlaabt, déi ... ze benotzen.Waferdirekt an senger Produktiounslinn.

Hautdesdaags gëtt e groussen Deel vun de Siliziummonokristaller nom Czochralski-Prozess ugebaut, bei deem polykristallint héichrein Silizium an engem hyperreine Quarz-Tichel geschmolt an den Dotierstoff (normalerweis B, P, As, Sb) bäigefüügt gëtt. E dënnen, monokristalline Keimkristall gëtt an de geschmollte Silizium getippt. Aus dësem dënne Kristall entsteet dann e groussen CZ-Kristall. Eng präzis Reguléierung vun der Temperatur an dem Duerchfluss vum geschmollte Silizium, der Rotatioun vum Kristall an dem Tichel, souwéi der Zuchgeschwindegkeet vum Kristall resultéiert an engem extrem héichwäertege monokristalline Siliziumbarren.