SILISIUMSKIVE

SILISIUMSKIVE

fra Sitronic

Akjekser en skive silisium omtrent 1 millimeter tykk som har en ekstremt flat overflate takket være prosedyrer som er teknisk svært krevende. Den påfølgende bruken bestemmer hvilken krystalldyrkingsprosedyre som skal brukes. I Czochralski-prosessen smeltes for eksempel det polykrystallinske silisiumet og en blyanttynn kimkrystall dyppes i det smeltede silisiumet. Kimkrystallen roteres deretter og trekkes sakte oppover. Resultatet er en veldig tung koloss, en monokrystall. Det er mulig å velge monokrystallens elektriske egenskaper ved å tilsette små enheter av dopanter med høy renhet. Krystallene dopes i samsvar med kundens spesifikasjoner og poleres deretter og kuttes i skiver. Etter diverse ekstra produksjonstrinn mottar kunden sine spesifiserte wafere i spesialemballasje, som lar kunden brukekjeksumiddelbart i produksjonslinjen.

I dag dyrkes en stor del av silisiummonokrystallene i henhold til Czochralski-prosessen, som innebærer smelting av polykrystallinsk høyrens silisium i en hyperren kvartsdigel og tilsetning av dopant (vanligvis B, P, As, Sb). En tynn, monokrystallinsk kimkrystall dyppes i det smeltede silisiumet. En stor CZ-krystall utvikles deretter fra denne tynne krystallen. Presis regulering av temperaturen og strømningen av det smeltede silisiumet, krystallens og digelens rotasjon, samt krystallens trekkhastighet resulterer i en monokrystallinsk silisiumbarre av ekstremt høy kvalitet.