সিলিকন ওয়েফার

সিলিকন ওয়েফার

সিট্রোনিক থেকে

Aওয়েফারএটি প্রায় ১ মিলিমিটার পুরু সিলিকনের একটি স্লাইস, যার পৃষ্ঠতল অত্যন্ত মসৃণ হয়, যা প্রযুক্তিগতভাবে অত্যন্ত কঠিন কিছু পদ্ধতির কারণে সম্ভব হয়। এর পরবর্তী ব্যবহার নির্ধারণ করে যে কোন ক্রিস্টাল গ্রোয়িং পদ্ধতি প্রয়োগ করা হবে। উদাহরণস্বরূপ, চোকরালস্কি প্রক্রিয়ায়, পলিক্রিস্টালাইন সিলিকন গলানো হয় এবং একটি পেন্সিলের মতো সরু বীজ ক্রিস্টাল গলিত সিলিকনে ডুবানো হয়। এরপর বীজ ক্রিস্টালটিকে ঘোরানো হয় এবং ধীরে ধীরে উপরের দিকে টেনে তোলা হয়। এর ফলে একটি বিশাল ভারী মনোক্রিস্টাল তৈরি হয়। উচ্চ-বিশুদ্ধ ডোপ্যান্টের ছোট ছোট একক যোগ করে মনোক্রিস্টালের বৈদ্যুতিক বৈশিষ্ট্য নির্বাচন করা সম্ভব। গ্রাহকের নির্দিষ্টকরণ অনুযায়ী ক্রিস্টালগুলিতে ডোপিং করা হয় এবং তারপর সেগুলিকে পালিশ করে স্লাইসে কাটা হয়। বিভিন্ন অতিরিক্ত উৎপাদন ধাপের পর, গ্রাহক বিশেষ প্যাকেজিংয়ে তার নির্দিষ্ট ওয়েফারগুলি গ্রহণ করে, যা গ্রাহককে ব্যবহারের সুযোগ দেয়।ওয়েফারঅবিলম্বে এর উৎপাদন লাইনে।

বর্তমানে, সিলিকন মনোক্রিস্টালের একটি বড় অংশ চোজরালস্কি প্রক্রিয়া অনুসারে তৈরি করা হয়। এই প্রক্রিয়ায় একটি অতি-বিশুদ্ধ কোয়ার্টজ পাত্রে পলিক্রিস্টালাইন উচ্চ-বিশুদ্ধ সিলিকন গলানো হয় এবং ডোপ্যান্ট (সাধারণত B, P, As, Sb) যোগ করা হয়। একটি পাতলা, মনোক্রিস্টালাইন বীজ ক্রিস্টাল গলিত সিলিকনে ডুবানো হয়। এরপর এই পাতলা ক্রিস্টালটি থেকে একটি বড় CZ ক্রিস্টাল তৈরি হয়। গলিত সিলিকনের তাপমাত্রা ও প্রবাহ, ক্রিস্টাল ও পাত্রের ঘূর্ণন, এবং ক্রিস্টাল টানার গতির সুনির্দিষ্ট নিয়ন্ত্রণের ফলে অত্যন্ত উচ্চ মানের মনোক্রিস্টালাইন সিলিকন পিণ্ড তৈরি হয়।