OBULE SILICIUM
a sitronico
Acrustulumest frustum silicii circiter unum millimetrum crassum, superficiem planissimam praeditum, propter rationes technicas difficillimas. Usus subsequens determinat quae ratio crescendi crystalli adhibenda sit. In processu Czochralski, exempli gratia, silicium polycrystallinum liquefacitur et crystallum seminale tenuissimum in silicium liquefactum immergitur. Deinde crystallum seminale rotatur et lente sursum trahitur. Colossus gravissimus, monocrystallus, resultat. Proprietates electricas monocrystalli eligere licet addendo parvas unitates dopantium altae puritatis. Crystalli secundum specificationes emptoris dopantur, deinde poliuntur et in frusta secantur. Post varios gradus productionis additionales, emptor laminas suas specificatas in involucris specialibus accipit, quod permittit emptori uti...crustulumstatim in linea productionis suae.
Hodie, magna pars monocrystallorum silicii secundum processum Czochralskianum crescit, qui liquefactionem silicii polycrystallini altae puritatis in crucibulo quarzi hyperpuri et additionem dopantis (plerumque B, P, As, Sb) implicat. Crystallum seminale tenue, monocrystallinum, in silicium liquefactum immergitur. Deinde magnum crystallum CZ ex hoc tenui crystallo oritur. Regulatio accurata temperaturae et fluxus silicii liquefacti, rotationis crystalli et crucibuli, necnon celeritatis extractionis crystalli, massam silicii monocrystallini summae qualitatis efficit.
Tempus publicationis: III Iun. MMXXI