SILIZIUMWAFER
von sitronic
AWaferist eine etwa 1 Millimeter dicke Siliziumscheibe, die dank technisch anspruchsvoller Verfahren eine extrem glatte Oberfläche aufweist. Die spätere Verwendung bestimmt das anzuwendende Kristallzüchtungsverfahren. Beim Czochralski-Verfahren beispielsweise wird polykristallines Silizium geschmolzen und ein bleistiftdünner Impfkristall in die Schmelze getaucht. Anschließend wird der Impfkristall rotiert und langsam nach oben gezogen. Das Ergebnis ist ein sehr schwerer Koloss, ein Einkristall. Die elektrischen Eigenschaften des Einkristalls lassen sich durch Zugabe kleiner Einheiten hochreiner Dotierstoffe gezielt einstellen. Die Kristalle werden nach Kundenspezifikation dotiert, anschließend poliert und in Scheiben geschnitten. Nach verschiedenen weiteren Produktionsschritten erhält der Kunde seine spezifizierten Wafer in einer speziellen Verpackung, die ihm die Nutzung derWafersofort in seiner Produktionslinie.
Heute wird ein Großteil der Silizium-Einkristalle nach dem Czochralski-Verfahren gezüchtet. Dabei wird polykristallines hochreines Silizium in einem Tiegel aus hochreinem Quarz geschmolzen und mit Dotierstoffen (üblicherweise B, P, As, Sb) versetzt. Ein dünner, einkristalliner Impfkristall wird in die Siliziumschmelze getaucht. Aus diesem dünnen Kristall entwickelt sich dann ein großer CZ-Kristall. Durch präzise Regelung der Temperatur und des Durchflusses der Siliziumschmelze, der Kristall- und Tiegelrotation sowie der Kristallziehgeschwindigkeit entsteht ein monokristalliner Siliziumblock von höchster Qualität.
Beitragszeit: 03.06.2021